Исследование удельного сопротивления омических кон­так­тов Au–Ti–Pd–n-Si для лавинно-пролетных диодов

Both contact resistivity of Au–Ti–Pd–n-Si ohmic contact and mechanism of current flow are studied in the 100 – 360 K temperature range. A method is proposed for reduction of error in determination of contact resistivity based on analysis of statistical dependences of the measured contact resistivity...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2015
Автори: Basanets, V. V., Slepokurov, V. S., Shinkarenko, V. V., Kudrik, R. Ya., Kudrik, Ya. Ya.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2015
Теми:
Онлайн доступ:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2015.1.33
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment