Исследование удельного сопротивления омических кон­так­тов Au–Ti–Pd–n-Si для лавинно-пролетных диодов

Исследование удельного сопротивления омических кон­так­тов Au–Ti–Pd–n-Si для лавинно-пролетных диодов

Both contact resistivity of Au–Ti–Pd–n-Si ohmic contact and mechanism of current flow are studied in the 100 – 360 K temperature range. A method is proposed for reduction of error in determination of contact resistivity based on analysis of statistical dependences of the measured contact resistivity...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2015
Hauptverfasser: Basanets, V. V., Slepokurov, V. S., Shinkarenko, V. V., Kudrik, R. Ya., Kudrik, Ya. Ya.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainian
Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2015
Schlagworte:
удельное сопротивление
омический контакт
лавинно-пролетный диод
термополевая эмиссия
Online Zugang:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2015.1.33
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment
id oai:tkea.com.ua:article-290
record_format ojs
spelling oai:tkea.com.ua:article-2902025-05-30T19:33:09Z Investigation of contact resistivity for Au–Ti–Pd–n-Si ohmic contacts for impatt diodes Исследование удельного сопротивления омических кон­так­тов Au–Ti–Pd–n-Si для лавинно-пролетных диодов Basanets, V. V. Slepokurov, V. S. Shinkarenko, V. V. Kudrik, R. Ya. Kudrik, Ya. Ya. contact resistivity ohmic contact IMPATT diode thermal-field emission удельное сопротивление омический контакт лавинно-пролетный диод термополевая эмиссия Both contact resistivity of Au–Ti–Pd–n-Si ohmic contact and mechanism of current flow are studied in the 100 – 360 K temperature range. A method is proposed for reduction of error in determination of contact resistivity based on analysis of statistical dependences of the measured contact resistivity values (which are in the range of (0.9 – 2.0).10–5 Ω.cm2). On the basis of the contact resistivity temperature dependence, it is found for an ohmic contact with barrier height of 0.22 eV that the field mechanism of current flow is predominant in the 100 – 200 K temperature range, while thermal-field emission with activation energy of 0.08 eV is predominant in the 200 – 360 K temperature range. Исследовано удельное сопротивление омического контакта Au–Ti–Pd–n-Si и механизм токопереноса в интервале температур 100 – 360 К. Предложен способ уменьшения погрешности определения удельного контактного сопротивления на основе анализа статистических зависимостей измеренных величин. Измеренные значения удельного контактного сопротивления лежат в диапазоне (0,9 – 2.0).10–5 Ом•см2. При использовании температурной зависимости удельного контактного сопротивления установлено, что в омическом контакте с высотой барьера 0,22 эВ в температурном диапазоне 100 – 200 К преобладает полевой механизм токопереноса, в диапазоне 200 – 360 К — термополевой с энергией активации примерно 0,08 эВ. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2015-02-24 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2015.1.33 10.15222/TKEA2015.1.33 Technology and design in electronic equipment; No. 1 (2015): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 33-37 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 1 (2015): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 33-37 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2015.1.33/257 Copyright (c) 2015 Basanets V. V., Slepokurov V. S., Shinkarenko V. V., Kudrik R. Ya., Kudrik Ya. Ya. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
institution Technology and design in electronic equipment
baseUrl_str
datestamp_date 2025-05-30T19:33:09Z
collection OJS
language Ukrainian
topic удельное сопротивление
омический контакт
лавинно-пролетный диод
термополевая эмиссия
spellingShingle удельное сопротивление
омический контакт
лавинно-пролетный диод
термополевая эмиссия
Basanets, V. V.
Slepokurov, V. S.
Shinkarenko, V. V.
Kudrik, R. Ya.
Kudrik, Ya. Ya.
Исследование удельного сопротивления омических кон­так­тов Au–Ti–Pd–n-Si для лавинно-пролетных диодов
topic_facet contact resistivity
ohmic contact
IMPATT diode
thermal-field emission
удельное сопротивление
омический контакт
лавинно-пролетный диод
термополевая эмиссия
format Article
author Basanets, V. V.
Slepokurov, V. S.
Shinkarenko, V. V.
Kudrik, R. Ya.
Kudrik, Ya. Ya.
author_facet Basanets, V. V.
Slepokurov, V. S.
Shinkarenko, V. V.
Kudrik, R. Ya.
Kudrik, Ya. Ya.
author_sort Basanets, V. V.
title Исследование удельного сопротивления омических кон­так­тов Au–Ti–Pd–n-Si для лавинно-пролетных диодов
title_short Исследование удельного сопротивления омических кон­так­тов Au–Ti–Pd–n-Si для лавинно-пролетных диодов
title_full Исследование удельного сопротивления омических кон­так­тов Au–Ti–Pd–n-Si для лавинно-пролетных диодов
title_fullStr Исследование удельного сопротивления омических кон­так­тов Au–Ti–Pd–n-Si для лавинно-пролетных диодов
title_full_unstemmed Исследование удельного сопротивления омических кон­так­тов Au–Ti–Pd–n-Si для лавинно-пролетных диодов
title_sort исследование удельного сопротивления омических кон­так­тов au–ti–pd–n-si для лавинно-пролетных диодов
title_alt Investigation of contact resistivity for Au–Ti–Pd–n-Si ohmic contacts for impatt diodes
description Both contact resistivity of Au–Ti–Pd–n-Si ohmic contact and mechanism of current flow are studied in the 100 – 360 K temperature range. A method is proposed for reduction of error in determination of contact resistivity based on analysis of statistical dependences of the measured contact resistivity values (which are in the range of (0.9 – 2.0).10–5 Ω.cm2). On the basis of the contact resistivity temperature dependence, it is found for an ohmic contact with barrier height of 0.22 eV that the field mechanism of current flow is predominant in the 100 – 200 K temperature range, while thermal-field emission with activation energy of 0.08 eV is predominant in the 200 – 360 K temperature range.
publisher PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
publishDate 2015
url https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2015.1.33
work_keys_str_mv AT basanetsvv investigationofcontactresistivityforautipdnsiohmiccontactsforimpattdiodes
AT slepokurovvs investigationofcontactresistivityforautipdnsiohmiccontactsforimpattdiodes
AT shinkarenkovv investigationofcontactresistivityforautipdnsiohmiccontactsforimpattdiodes
AT kudrikrya investigationofcontactresistivityforautipdnsiohmiccontactsforimpattdiodes
AT kudrikyaya investigationofcontactresistivityforautipdnsiohmiccontactsforimpattdiodes
AT basanetsvv issledovanieudelʹnogosoprotivleniâomičeskihkontaktovautipdnsidlâlavinnoproletnyhdiodov
AT slepokurovvs issledovanieudelʹnogosoprotivleniâomičeskihkontaktovautipdnsidlâlavinnoproletnyhdiodov
AT shinkarenkovv issledovanieudelʹnogosoprotivleniâomičeskihkontaktovautipdnsidlâlavinnoproletnyhdiodov
AT kudrikrya issledovanieudelʹnogosoprotivleniâomičeskihkontaktovautipdnsidlâlavinnoproletnyhdiodov
AT kudrikyaya issledovanieudelʹnogosoprotivleniâomičeskihkontaktovautipdnsidlâlavinnoproletnyhdiodov
first_indexed 2025-09-24T17:30:41Z
last_indexed 2025-09-24T17:30:41Z
_version_ 1850410234107920384

Ähnliche Einträge