Зображення обкладинки

Исследование удельного сопротивления омических контактов Au–Ti–Pd–n-Si для лавинно-пролетных диодов

Both contact resistivity of Au–Ti–Pd–n-Si ohmic contact and mechanism of current flow are studied in the 100 – 360 K temperature range. A method is proposed for reduction of error in determination of contact resistivity based on analysis of statistical dependences of the measured contact resistivity...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2015
Автори:	Basanets, V. V., Slepokurov, V. S., Shinkarenko, V. V., Kudrik, R. Ya., Kudrik, Ya. Ya.
Формат:	Стаття
Мова:	Українська
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2015
Теми:	удельное сопротивление омический контакт лавинно-пролетный диод термополевая эмиссия
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2015.1.33
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

Схожі ресурси

Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя
за авторством: Kudryk, Ya. Ya.
Опубліковано: (2009)

Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
за авторством: Bosiy, V. I., та інші
Опубліковано: (2007)

Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
за авторством: Novitskyi, S. V.
Опубліковано: (2012)

Технология изготовления контактов к карбиду кремния
за авторством: Kudryk, Ya. Ya., та інші
Опубліковано: (2013)

Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Ч. 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
за авторством: Boltovets, N. S., та інші
Опубліковано: (2010)

Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
за авторством: Krasnov, V. A., та інші
Опубліковано: (2008)

Омические контакты к материалам на основе нитрида индия
за авторством: Sai, P. O.
Опубліковано: (2016)

Режимы работы лавинно-генераторных диодов микроволнового диапазона
за авторством: Максимов, П.П.
Опубліковано: (2016)

Динамика двухчастотных лавинно-генераторных диодов микроволнового диапазона
за авторством: Лукин, К.А., та інші
Опубліковано: (2015)

Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов
за авторством: Gorban, A. N., та інші
Опубліковано: (2008)

Investigation of contact resistivity for Au—Ti—Pd—n-Si ohmic contacts for impatt diodes
за авторством: V. V. Basanets, та інші
Опубліковано: (2015)

Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
за авторством: Sоlоdukha, V. A., та інші
Опубліковано: (2012)

Methods for deter-mination of schottky barrier height from I-V curves (review)
за авторством: Ja. Ja. Kudrik, та інші
Опубліковано: (2014)

Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
за авторством: Босый, В.И., та інші
Опубліковано: (2007)

Організація програмних засобів діагностичної обробки сигналів акустичної емісії
за авторством: Ірмухаметова, Рано Мархазітовна, та інші
Опубліковано: (2014)

Моделирование электрических схем защиты с использованием силовых лавинных диодов Кравчина В. В., Нагорная Н. Н.
за авторством: Kravchina, V. V., та інші
Опубліковано: (2010)

Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
за авторством: Boltovets, M. S., та інші
Опубліковано: (2009)

Вольтамперная характеристика и наведенный ток во внешней цепи лавинно-генераторных диодов на основе обратносмещенных резких p–n-переходов
за авторством: Лукин, К.А., та інші
Опубліковано: (2015)

Общий случай нелинейной деформационносиловой модели пролетных железобетонных конструкций
за авторством: Карпюк, В.М., та інші
Опубліковано: (2018)

Диоды Ганна из GaAs с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны
за авторством: Ivanov, V. N., та інші
Опубліковано: (2007)

Синхронізація генераторів на ЛПД імпульсної та безперервної дії у мм-діапазоні довжини хвиль. Частина 1. Конструкції генераторів і узагальнена модель їх синхронізації зовнішнім сигналом
за авторством: Karushkin, Mykola
Опубліковано: (2021)

Продление ресурса металлических пролетных строений железнодорожных мостов с усталостными повреждениями
за авторством: Кирьян, В.И., та інші
Опубліковано: (2007)

Manufacturing technology for contacts to silicon carbide
за авторством: Ja. Ja. Kudrik, та інші
Опубліковано: (2013)

Когерентное сложение мощности в лавинно-генераторных диодах
за авторством: Лукин, К.А., та інші
Опубліковано: (2012)

Nanostructured antidiffusion layers in contacts to wide-gap semiconductors
за авторством: Ja. Ja. Kudrik
Опубліковано: (2013)

Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа
за авторством: Baranov, V. V., та інші
Опубліковано: (2007)

Использование метода импедансной спектроскопии для анализа бензанольного топлива
за авторством: Kukla, A. L., та інші
Опубліковано: (2015)

Відчуження частки учасником ТОВ третій особі
за авторством: Лавріненко, І.А.
Опубліковано: (2010)

Радиационная технология улучшения омических контактов к элементам электронной техники
за авторством: Konakova, R. V., та інші
Опубліковано: (2010)

Закономерности деградации светоизлучающих диодов
за авторством: Викулин, И.М., та інші
Опубліковано: (2004)

Тепловые режимы формирования омических контактов к арсениду галлия
за авторством: Иващук, А.В.
Опубліковано: (2000)

Поглотители СВЧ-энергии на основе нитрида алюминия с высоким уровнем поглощения
за авторством: Chasnyk, V. I.
Опубліковано: (2014)

Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов
за авторством: Горбань, А.Н., та інші
Опубліковано: (2008)

Радиационная технология улучшения омических контактов к элементам электронной техники
за авторством: Конакова, Р.В., та інші
Опубліковано: (2010)

О возможности увеличения удельного импульса тяги детонационной камеры
за авторством: Золотько, А.Е., та інші
Опубліковано: (2010)

Экспериментальное исследование удельного электрического сопротивления насыпного слоя термоантрацита
за авторством: Безуглый, В.А., та інші
Опубліковано: (2019)

Effect of microwave treatment on the parameters of Au-TiBx-GaAs(SiC 6H) surface-barrier structures
за авторством: Abdizhaliev, S.K., та інші
Опубліковано: (2003)

Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
за авторством: Новицкий, С.В.
Опубліковано: (2012)

Характеристики варизонных AlInN диодов Ганна
за авторством: Кайдаш, М.В.
Опубліковано: (2013)

Установка для измерения удельного коэффициента силы света материалов со световозвращающим эффектом
за авторством: Butenko, V. K., та інші
Опубліковано: (2009)