Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент
There is a conception that irradiation of semiconductor crystals with high energy electrons (300 keV) results in a significant and irreversible deterioration of their electrical, optical and structural properties. Semiconductors are typically irradiated by low voltage electron accelerators with a co...
Gespeichert in:
| Datum: | 2014 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | Garkavenko, A. S., Mokritskii, V. A., Banzak, O. V., Zavadskii, V. A. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2014
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2014.5-6.51 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentÄhnliche Einträge
-
Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки
von: Garkavenko, A. S., et al.
Veröffentlicht: (2014) -
Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент
von: Гаркавенко, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2014) -
Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки
von: Гаркавенко, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2014) -
Природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов CdS
von: Garkavenko, A. S.
Veröffentlicht: (2012) -
Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
von: Kudrynskyi, Z. R., et al.
Veröffentlicht: (2012)