Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев

• Дата: 2014
• Автори: Kurmashev, Sh. D., Kulinich, O. A., Brusenskaya, G. I., Verem’eva, A. V.
• Формат: Стаття
• Мова: Ukrainian
• Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2014
• Теми: эпитаксиальный кремний; дислокации; радиационные дефекты; сток дефектов; радиационная устойчивость
• Онлайн доступ: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2014.5-6.57
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

The authors investigate the possibility of increasing the radiation resistance of silicon epitaxial layers by creating radiation defects sinks in the form of dislocation networks of the density of 109–1012 m–2. Such networks are created before the epitaxial layer is applied on the front sur...