Наноструктурированные антидиффузионные слои в контактах к широкозонным полупроводникам
The interrelation between the antidiffusion properties of titanium diboride films and their nanocrystalline structure is investigated. We made a valid assumption that the main reason for degradation of contacts with TiB2-based diffusion layers is diffusion through the TiB2 film through dislocations...
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2013
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.6.03 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1856543824383311872 |
|---|---|
| author | Kudryk, Ya. Ya. |
| author_facet | Kudryk, Ya. Ya. |
| author_sort | Kudryk, Ya. Ya. |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2025-05-30T19:35:01Z |
| description | The interrelation between the antidiffusion properties of titanium diboride films and their nanocrystalline structure is investigated. We made a valid assumption that the main reason for degradation of contacts with TiB2-based diffusion layers is diffusion through the TiB2 film through dislocations (formed due to stresses that appear in the course of ohmic contact formation) rather than chemical interaction. In that case, increase of mechanical strength of the TiB2 film at reduction of grain size will affect its diffusion strength more strongly than growth of diffusion penetrability owing to increase of grain boundary role. Our investigations showed that, to ensure maximal mechanical strength and heat stability, the size of nanocrystallites in films forming diffusion barriers has to lie within 3–15 nm. The TiB2 films with optimal nanocrystallite parameters can be obtained using magnetron sputtering with discharge current of 0,4 A and oxygen content in a target up to 8 at.%. Application of TiB2-based nanocrystal films as antidiffusion layers in contacts to wide-gap semiconductors makes it possible to raise heat stability of devices based on such semiconductors. |
| first_indexed | 2025-09-24T17:30:46Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-337 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-09-24T17:30:46Z |
| publishDate | 2013 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-3372025-05-30T19:35:01Z Nanostructured antidiffusion layers in contacts to wide-gap semiconductors Наноструктурированные антидиффузионные слои в контактах к широкозонным полупроводникам Kudryk, Ya. Ya. antidiffusion layer nanocrystal film heat stability wide-gap semiconductor contact антидиффузионный слой нанокристаллическая пленка термическая стабильность широкозонный полупроводник контакт The interrelation between the antidiffusion properties of titanium diboride films and their nanocrystalline structure is investigated. We made a valid assumption that the main reason for degradation of contacts with TiB2-based diffusion layers is diffusion through the TiB2 film through dislocations (formed due to stresses that appear in the course of ohmic contact formation) rather than chemical interaction. In that case, increase of mechanical strength of the TiB2 film at reduction of grain size will affect its diffusion strength more strongly than growth of diffusion penetrability owing to increase of grain boundary role. Our investigations showed that, to ensure maximal mechanical strength and heat stability, the size of nanocrystallites in films forming diffusion barriers has to lie within 3–15 nm. The TiB2 films with optimal nanocrystallite parameters can be obtained using magnetron sputtering with discharge current of 0,4 A and oxygen content in a target up to 8 at.%. Application of TiB2-based nanocrystal films as antidiffusion layers in contacts to wide-gap semiconductors makes it possible to raise heat stability of devices based on such semiconductors. Исследована связь между антидиффузионными свойствами пленок на основе TiB2 и их нанокристаллической структурой, определены оптимальные размеры нанокристаллитов и условия образования нанокристаллической пленки. Применение таких пленок в качестве антидиффузионных слоев в контактах к широкозонным полупроводникам позволяет повысить термостойкость приборов на их основе. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2013-12-19 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.6.03 10.15222/TKEA2013.6.03 Technology and design in electronic equipment; No. 6 (2013): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 3-13 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 6 (2013): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 3-13 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.6.03/301 Copyright (c) 2013 Kudryk Ya. Ya. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | антидиффузионный слой нанокристаллическая пленка термическая стабильность широкозонный полупроводник контакт Kudryk, Ya. Ya. Наноструктурированные антидиффузионные слои в контактах к широкозонным полупроводникам |
| title | Наноструктурированные антидиффузионные слои в контактах к широкозонным полупроводникам |
| title_alt | Nanostructured antidiffusion layers in contacts to wide-gap semiconductors |
| title_full | Наноструктурированные антидиффузионные слои в контактах к широкозонным полупроводникам |
| title_fullStr | Наноструктурированные антидиффузионные слои в контактах к широкозонным полупроводникам |
| title_full_unstemmed | Наноструктурированные антидиффузионные слои в контактах к широкозонным полупроводникам |
| title_short | Наноструктурированные антидиффузионные слои в контактах к широкозонным полупроводникам |
| title_sort | наноструктурированные антидиффузионные слои в контактах к широкозонным полупроводникам |
| topic | антидиффузионный слой нанокристаллическая пленка термическая стабильность широкозонный полупроводник контакт |
| topic_facet | antidiffusion layer nanocrystal film heat stability wide-gap semiconductor contact антидиффузионный слой нанокристаллическая пленка термическая стабильность широкозонный полупроводник контакт |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.6.03 |
| work_keys_str_mv | AT kudrykyaya nanostructuredantidiffusionlayersincontactstowidegapsemiconductors AT kudrykyaya nanostrukturirovannyeantidiffuzionnyesloivkontaktahkširokozonnympoluprovodnikam |