Наноструктурированные антидиффузионные слои в контактах к широкозонным полупроводникам

Наноструктурированные антидиффузионные слои в контактах к широкозонным полупроводникам

The interrelation between the antidiffusion properties of titanium diboride films and their nanocrystalline structure is investigated. We made a valid assumption that the main reason for degradation of contacts with TiB2-based diffusion layers is diffusion through the TiB2 film through dislocations...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2013
1. Verfasser: Kudryk, Ya. Ya.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainian
Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2013
Schlagworte:
антидиффузионный слой
нанокристаллическая пленка
термическая стабильность
широкозонный полупроводник
контакт
Online Zugang:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.6.03
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment
id oai:tkea.com.ua:article-337
record_format ojs
spelling oai:tkea.com.ua:article-3372025-05-30T19:35:01Z Nanostructured antidiffusion layers in contacts to wide-gap semiconductors Наноструктурированные антидиффузионные слои в контактах к широкозонным полупроводникам Kudryk, Ya. Ya. antidiffusion layer nanocrystal film heat stability wide-gap semiconductor contact антидиффузионный слой нанокристаллическая пленка термическая стабильность широкозонный полупроводник контакт The interrelation between the antidiffusion properties of titanium diboride films and their nanocrystalline structure is investigated. We made a valid assumption that the main reason for degradation of contacts with TiB2-based diffusion layers is diffusion through the TiB2 film through dislocations (formed due to stresses that appear in the course of ohmic contact formation) rather than chemical interaction. In that case, increase of mechanical strength of the TiB2 film at reduction of grain size will affect its diffusion strength more strongly than growth of diffusion penetrability owing to increase of grain boundary role. Our investigations showed that, to ensure maximal mechanical strength and heat stability, the size of nanocrystallites in films forming diffusion barriers has to lie within 3–15 nm. The TiB2 films with optimal nanocrystallite parameters can be obtained using magnetron sputtering with discharge current of 0,4 A and oxygen content in a target up to 8 at.%. Application of TiB2-based nanocrystal films as antidiffusion layers in contacts to wide-gap semiconductors makes it possible to raise heat stability of devices based on such semiconductors. Исследована связь между антидиффузионными свойствами пленок на основе TiB2 и их на­но­кри­стал­ли­чес­кой структурой, определены оптимальные размеры нанокристаллитов и условия образования нанокристаллической пленки. Применение таких пленок в качестве ан­ти­ди­ф­фу­зи­он­ных слоев в контактах к широкозонным полупроводникам позволяет повысить тер­мо­стой­кость приборов на их основе. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2013-12-19 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.6.03 10.15222/TKEA2013.6.03 Technology and design in electronic equipment; No. 6 (2013): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 3-13 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 6 (2013): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 3-13 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.6.03/301 Copyright (c) 2013 Kudryk Ya. Ya. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
institution Technology and design in electronic equipment
baseUrl_str
datestamp_date 2025-05-30T19:35:01Z
collection OJS
language Ukrainian
topic антидиффузионный слой
нанокристаллическая пленка
термическая стабильность
широкозонный полупроводник
контакт
spellingShingle антидиффузионный слой
нанокристаллическая пленка
термическая стабильность
широкозонный полупроводник
контакт
Kudryk, Ya. Ya.
Наноструктурированные антидиффузионные слои в контактах к широкозонным полупроводникам
topic_facet antidiffusion layer
nanocrystal film
heat stability
wide-gap semiconductor
contact
антидиффузионный слой
нанокристаллическая пленка
термическая стабильность
широкозонный полупроводник
контакт
format Article
author Kudryk, Ya. Ya.
author_facet Kudryk, Ya. Ya.
author_sort Kudryk, Ya. Ya.
title Наноструктурированные антидиффузионные слои в контактах к широкозонным полупроводникам
title_short Наноструктурированные антидиффузионные слои в контактах к широкозонным полупроводникам
title_full Наноструктурированные антидиффузионные слои в контактах к широкозонным полупроводникам
title_fullStr Наноструктурированные антидиффузионные слои в контактах к широкозонным полупроводникам
title_full_unstemmed Наноструктурированные антидиффузионные слои в контактах к широкозонным полупроводникам
title_sort наноструктурированные антидиффузионные слои в контактах к широкозонным полупроводникам
title_alt Nanostructured antidiffusion layers in contacts to wide-gap semiconductors
description The interrelation between the antidiffusion properties of titanium diboride films and their nanocrystalline structure is investigated. We made a valid assumption that the main reason for degradation of contacts with TiB2-based diffusion layers is diffusion through the TiB2 film through dislocations (formed due to stresses that appear in the course of ohmic contact formation) rather than chemical interaction. In that case, increase of mechanical strength of the TiB2 film at reduction of grain size will affect its diffusion strength more strongly than growth of diffusion penetrability owing to increase of grain boundary role. Our investigations showed that, to ensure maximal mechanical strength and heat stability, the size of nanocrystallites in films forming diffusion barriers has to lie within 3–15 nm. The TiB2 films with optimal nanocrystallite parameters can be obtained using magnetron sputtering with discharge current of 0,4 A and oxygen content in a target up to 8 at.%. Application of TiB2-based nanocrystal films as antidiffusion layers in contacts to wide-gap semiconductors makes it possible to raise heat stability of devices based on such semiconductors.
publisher PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
publishDate 2013
url https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.6.03
work_keys_str_mv AT kudrykyaya nanostructuredantidiffusionlayersincontactstowidegapsemiconductors
AT kudrykyaya nanostrukturirovannyeantidiffuzionnyesloivkontaktahkširokozonnympoluprovodnikam
first_indexed 2025-09-24T17:30:46Z
last_indexed 2025-09-24T17:30:46Z
_version_ 1850410240868089857

Ähnliche Einträge