Зображення обкладинки

Наноструктурированные антидиффузионные слои в контактах к широкозонным полупроводникам

The interrelation between the antidiffusion properties of titanium diboride films and their nanocrystalline structure is investigated. We made a valid assumption that the main reason for degradation of contacts with TiB2-based diffusion layers is diffusion through the TiB2 film through dislocations...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2013
Автор:	Kudryk, Ya. Ya.
Формат:	Стаття
Мова:	Українська
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2013
Теми:	антидиффузионный слой нанокристаллическая пленка термическая стабильность широкозонный полупроводник контакт
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.6.03
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

Схожі ресурси

Омические контакты к материалам на основе нитрида индия
за авторством: Sai, P. O.
Опубліковано: (2016)

Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Ч. 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
за авторством: Boltovets, N. S., та інші
Опубліковано: (2010)

Технология изготовления контактов к карбиду кремния
за авторством: Kudryk, Ya. Ya., та інші
Опубліковано: (2013)

Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний»
за авторством: Smyntyna, V. A., та інші
Опубліковано: (2011)

Сопротивление контактов тонкопленочного резистора
за авторством: Spirin, V. G.
Опубліковано: (2008)

Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
за авторством: Novitskyi, S. V.
Опубліковано: (2012)

Конденсаторы на основе интеркалата GaSe
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2010)

Методика и установка для определения теплопроводности полупроводников с использованием лучистой энергии
за авторством: Gurbanniyazov, M. A., та інші
Опубліковано: (2011)

Перестраиваемая линия задержки сигнала СВЧ-диапазона на основе сегнетоэлектрических и алмазных пленок
за авторством: Afanasyev, M. S., та інші
Опубліковано: (2010)

Исследование кристаллов Cu2ZnSnTe4 и гетеропереходов на их основе
за авторством: Kovaliuk, T. T., та інші
Опубліковано: (2015)

Системы контроля-мониторинга температуры и влажности среды на основе толстых пленок оксишпинелей
за авторством: Vakiv, N. M.
Опубліковано: (2010)

Исследование удельного сопротивления омических контактов Au–Ti–Pd–n-Si для лавинно-пролетных диодов
за авторством: Basanets, V. V., та інші
Опубліковано: (2015)

Безадгезивные акустические мембраны на полиимидной основе
за авторством: Vorob'ev, A. V., та інші
Опубліковано: (2014)

Наноструктурированная композитная пленка для сенсоров влажности
за авторством: Kovalenko, K. L., та інші
Опубліковано: (2009)

Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2009)

Особенности изготовления Cd1–xZnxTe-детектора ионизирующего излучения
за авторством: Tomashik, Z. F., та інші
Опубліковано: (2013)

Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n-GaAs
за авторством: Melebayew, D., та інші
Опубліковано: (2008)

МАЛОШУМНІ Й ЕКОНОМІЧНІ АКТИВНІ ЕЛЕКТРОДИ ДЛЯ СУХИХ КОНТАКТНИХ ЕКГ
за авторством: Voropai , Andrii, та інші
Опубліковано: (2022)

Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe
за авторством: Parkhomenko, H. P., та інші
Опубліковано: (2016)

Технология изготовления гибких терморезисторов на полиимидной основе
за авторством: Dinev, D. A., та інші
Опубліковано: (2013)

Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-ТiО2:Mn/p-CdTe
за авторством: Mostovyi, A. I., та інші
Опубліковано: (2013)

Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев
за авторством: Dranchuk, S. N., та інші
Опубліковано: (2013)

ПРИМЕНЕНИЕ МЕТОДА МНОГОМАСШТАБНОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ В ИЗОЛЯЦИИ СИЛОВОГО КАБЕЛЯ НА 330 кВ В АВАРИЙНОМ РЕЖИМЕ
за авторством: Кучерявая , И.Н.
Опубліковано: (2012)

Повышение надежности контакта тонкопленочных резисторов
за авторством: Lugin, A. N., та інші
Опубліковано: (2010)

Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO – p-InSe
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2015)

Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2013)

Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)

Вплив гетерування на процес формування алюмінієвого омічного контакту
за авторством: Litvinenko, Victor, та інші
Опубліковано: (2020)

ПРИБЛИЖЕННЫЕ ГРАНИЧНЫЕ УСЛОВИЯ И КОЭФФИЦИЕНТЫ ЭКРАНИРОВАНИЯ ТОНКИХ ПРОВОДЯЩИХ ОБОЛОЧЕК
за авторством: Бондина, Н.Н., та інші
Опубліковано: (2012)

Поліпшення зворотних характеристик кремнієвого варикапа за допомогою низькотемпературного гетерування
за авторством: Litvinenko, Victor, та інші
Опубліковано: (2023)

Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем
за авторством: Dranchuk, S. M., та інші
Опубліковано: (2012)

Переходное контактное сопротивление в электрических соединениях с плоскими контактами
за авторством: Efimenko, A. A., та інші
Опубліковано: (2013)

ВЕРИФІКАЦІЯ СКІНЧЕННО-ЕЛЕМЕНТНОЇ МОДЕЛІ КОНТАКТУ ГОРИЗОНТАЛЬНОЇ ОБОЛОНКОВОЇ СТРУКТУРИ З ЛОЖЕМЕНТОМ
за авторством: KUCHERENKO, O. Ye., та інші
Опубліковано: (2025)

МАТЕМАТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ РАЗВИТИЯ ПРОЦЕССОВ НА КАТОДЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ
за авторством: Милых, В.И., та інші
Опубліковано: (2013)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2008)

Выбор предпочтительных слоев для проводников при трассировке многослойных печатных плат
за авторством: Petrosjan, G. S., та інші
Опубліковано: (2010)

ОСЕСИМЕТРИЧНА КОНТАКТНА ЗАДАЧА ТЕРМОПРУЖНОСТІ ПРО ТИСК ШТАМПА, ЩО ОБЕРТАЄТЬСЯ, НА ПРУЖНИЙ ТРАНСВЕРСАЛЬНО-ІЗОТРОПНИЙ ШАР
за авторством: Окрепкий, Богдан Степанович, та інші
Опубліковано: (2011)

Расчет характеристик рентгеновского излучения
за авторством: Dushkin, S. A., та інші
Опубліковано: (2008)

Погрешности при измерении характеристик рентгеновских установок
за авторством: Dushkin, S. A., та інші
Опубліковано: (2011)

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2014)