Наноструктурированные антидиффузионные слои в контактах к широкозонным полупроводникам
The interrelation between the antidiffusion properties of titanium diboride films and their nanocrystalline structure is investigated. We made a valid assumption that the main reason for degradation of contacts with TiB2-based diffusion layers is diffusion through the TiB2 film through dislocations...
Gespeichert in:
| Datum: | 2013 |
|---|---|
| 1. Verfasser: | Kudryk, Ya. Ya. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2013
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.6.03 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentÄhnliche Einträge
Омические контакты к материалам на основе нитрида индия
von: Sai, P. O.
Veröffentlicht: (2016)
von: Sai, P. O.
Veröffentlicht: (2016)
Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Ч. 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
von: Boltovets, N. S., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Boltovets, N. S., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Технология изготовления контактов к карбиду кремния
von: Kudryk, Ya. Ya., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Kudryk, Ya. Ya., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний»
von: Smyntyna, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Smyntyna, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Сопротивление контактов тонкопленочного резистора
von: Spirin, V. G.
Veröffentlicht: (2008)
von: Spirin, V. G.
Veröffentlicht: (2008)
Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
von: Novitskyi, S. V.
Veröffentlicht: (2012)
von: Novitskyi, S. V.
Veröffentlicht: (2012)
Конденсаторы на основе интеркалата GaSe
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Методика и установка для определения теплопроводности полупроводников с использованием лучистой энергии
von: Gurbanniyazov, M. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Gurbanniyazov, M. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Перестраиваемая линия задержки сигнала СВЧ-диапазона на основе сегнетоэлектрических и алмазных пленок
von: Afanasyev, M. S., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Afanasyev, M. S., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Исследование кристаллов Cu2ZnSnTe4 и гетеропереходов на их основе
von: Kovaliuk, T. T., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Kovaliuk, T. T., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Системы контроля-мониторинга температуры и влажности среды на основе толстых пленок оксишпинелей
von: Vakiv, N. M.
Veröffentlicht: (2010)
von: Vakiv, N. M.
Veröffentlicht: (2010)
Исследование удельного сопротивления омических контактов Au–Ti–Pd–n-Si для лавинно-пролетных диодов
von: Basanets, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Basanets, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Безадгезивные акустические мембраны на полиимидной основе
von: Vorob'ev, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Vorob'ev, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Наноструктурированная композитная пленка для сенсоров влажности
von: Kovalenko, K. L., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Kovalenko, K. L., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Особенности изготовления Cd1–xZnxTe-детектора ионизирующего излучения
von: Tomashik, Z. F., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Tomashik, Z. F., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n-GaAs
von: Melebayew, D., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Melebayew, D., et al.
Veröffentlicht: (2008)
МАЛОШУМНІ Й ЕКОНОМІЧНІ АКТИВНІ ЕЛЕКТРОДИ ДЛЯ СУХИХ КОНТАКТНИХ ЕКГ
von: Voropai , Andrii, et al.
Veröffentlicht: (2022)
von: Voropai , Andrii, et al.
Veröffentlicht: (2022)
Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe
von: Parkhomenko, H. P., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Parkhomenko, H. P., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Технология изготовления гибких терморезисторов на полиимидной основе
von: Dinev, D. A., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Dinev, D. A., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-ТiО2:Mn/p-CdTe
von: Mostovyi, A. I., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Mostovyi, A. I., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев
von: Dranchuk, S. N., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Dranchuk, S. N., et al.
Veröffentlicht: (2013)
ПРИМЕНЕНИЕ МЕТОДА МНОГОМАСШТАБНОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ В ИЗОЛЯЦИИ СИЛОВОГО КАБЕЛЯ НА 330 кВ В АВАРИЙНОМ РЕЖИМЕ
von: Кучерявая , И.Н.
Veröffentlicht: (2012)
von: Кучерявая , И.Н.
Veröffentlicht: (2012)
Повышение надежности контакта тонкопленочных резисторов
von: Lugin, A. N., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Lugin, A. N., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO – p-InSe
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Вплив гетерування на процес формування алюмінієвого омічного контакту
von: Litvinenko, Victor, et al.
Veröffentlicht: (2020)
von: Litvinenko, Victor, et al.
Veröffentlicht: (2020)
ПРИБЛИЖЕННЫЕ ГРАНИЧНЫЕ УСЛОВИЯ И КОЭФФИЦИЕНТЫ ЭКРАНИРОВАНИЯ ТОНКИХ ПРОВОДЯЩИХ ОБОЛОЧЕК
von: Бондина, Н.Н., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Бондина, Н.Н., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Поліпшення зворотних характеристик кремнієвого варикапа за допомогою низькотемпературного гетерування
von: Litvinenko, Victor, et al.
Veröffentlicht: (2023)
von: Litvinenko, Victor, et al.
Veröffentlicht: (2023)
Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем
von: Dranchuk, S. M., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Dranchuk, S. M., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Переходное контактное сопротивление в электрических соединениях с плоскими контактами
von: Efimenko, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Efimenko, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2013)
ВЕРИФІКАЦІЯ СКІНЧЕННО-ЕЛЕМЕНТНОЇ МОДЕЛІ КОНТАКТУ ГОРИЗОНТАЛЬНОЇ ОБОЛОНКОВОЇ СТРУКТУРИ З ЛОЖЕМЕНТОМ
von: KUCHERENKO, O. Ye., et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: KUCHERENKO, O. Ye., et al.
Veröffentlicht: (2025)
МАТЕМАТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ РАЗВИТИЯ ПРОЦЕССОВ НА КАТОДЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ
von: Милых, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Милых, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
von: Yodgorova, D. M., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Yodgorova, D. M., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Выбор предпочтительных слоев для проводников при трассировке многослойных печатных плат
von: Petrosjan, G. S., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Petrosjan, G. S., et al.
Veröffentlicht: (2010)
ОСЕСИМЕТРИЧНА КОНТАКТНА ЗАДАЧА ТЕРМОПРУЖНОСТІ ПРО ТИСК ШТАМПА, ЩО ОБЕРТАЄТЬСЯ, НА ПРУЖНИЙ ТРАНСВЕРСАЛЬНО-ІЗОТРОПНИЙ ШАР
von: Окрепкий, Богдан Степанович, et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Окрепкий, Богдан Степанович, et al.
Veröffentlicht: (2011)
Расчет характеристик рентгеновского излучения
von: Dushkin, S. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Dushkin, S. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Погрешности при измерении характеристик рентгеновских установок
von: Dushkin, S. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Dushkin, S. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Ähnliche Einträge
-
Омические контакты к материалам на основе нитрида индия
von: Sai, P. O.
Veröffentlicht: (2016) -
Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Ч. 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
von: Boltovets, N. S., et al.
Veröffentlicht: (2010) -
Технология изготовления контактов к карбиду кремния
von: Kudryk, Ya. Ya., et al.
Veröffentlicht: (2013) -
Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний»
von: Smyntyna, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2011) -
Сопротивление контактов тонкопленочного резистора
von: Spirin, V. G.
Veröffentlicht: (2008)