Зображення обкладинки

Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ

Silicon p–i–n-structures are usually obtained using conventional diffusion method or liquid phase epitaxy (LPE). In both cases, the formation of p- and n-layers occurs in two stages. This technological approach is quite complex. Moreover, when forming bilateral high-voltage epitaxial layers, their p...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2013
Автори:	Vakiv, N. M., Krukovsky, S. I., Tymchyshyn, V. R., Vas'kiv, A. P.
Формат:	Стаття
Мова:	Українська
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2013
Теми:	эпитаксиальный слой жидкофазная эпитаксия редкоземельный элемент легирование
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.6.41
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

Схожі ресурси

Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
за авторством: Vakiv, M. M., та інші
Опубліковано: (2010)

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2014)

Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2012)

Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2013)

Светоизлучающие диоды белого света: состояние и основные тенденции развития
за авторством: Struhljak, N. Ja., та інші
Опубліковано: (2006)

Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами
за авторством: Krukovsky, S. I., та інші
Опубліковано: (2007)

Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А4В6
за авторством: Tkachuk, A. I., та інші
Опубліковано: (2007)

Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев
за авторством: Dranchuk, S. N., та інші
Опубліковано: (2013)

Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев
за авторством: Kurmashev, Sh. D., та інші
Опубліковано: (2014)

Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
за авторством: Andronova, О. V., та інші
Опубліковано: (2008)

Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений A³B⁵
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2007)

Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Maronchuk, I. E., та інші
Опубліковано: (2008)

Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
за авторством: Borisenko, A. G., та інші
Опубліковано: (2005)

Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)

Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем
за авторством: Dranchuk, S. M., та інші
Опубліковано: (2012)

Комплексно-легированные эпитаксиальные структуры InP/InGaAsP для оптоэлектроники
за авторством: Krukovsky, S. I.
Опубліковано: (2026)

Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
за авторством: Andronova, E. V., та інші
Опубліковано: (2011)

Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2006)

Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2007)

Природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов CdS
за авторством: Garkavenko, A. S.
Опубліковано: (2012)

Мощные резисторы нового поколения на основе углеродных (алмазоподобных) пленок
за авторством: Rotner, S. M., та інші
Опубліковано: (2006)

Гальваномагнитные микродатчики положения на базе германиевого микропровода
за авторством: Aleinikov, E. A., та інші
Опубліковано: (2006)

Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
за авторством: Novosyadlyi, S. P., та інші
Опубліковано: (2009)

Обобщенный теоретический подход к анализу газофазных процессов эпитаксии
за авторством: Voronin, V. O., та інші
Опубліковано: (2006)

Технология создания легированных бором слоев на алмазе
за авторством: Zyablyuk, K. N., та інші
Опубліковано: (2012)

Simulating characteristics of Si/Ge tandem monolithic solar cell with Si1-xGex buffer layer: Моделирование характеристик тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх
за авторством: Gnilenko, A. B., та інші
Опубліковано: (2015)

ПРОЦЕССЫ В RLC-ЦЕПИ СИНУСОИДАЛЬНОГО НАПРЯЖЕНИЯ С УПРАВЛЯЕМЫМ РЕВЕРСИРОВАНИЕМ ЕМКОСТИ
за авторством: Шидловская, Н.А.
Опубліковано: (2010)

Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-ТiО2:Mn/p-CdTe
за авторством: Mostovyi, A. I., та інші
Опубліковано: (2013)

Датчики Холла на основе структур GaAs, полученных низкотемпературной ЖФЭ из расплавов Bi
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2002)

Жидкокристаллические мониторы для авиационной техники
за авторством: Kovalenko, L. F., та інші
Опубліковано: (2009)

ИССЛЕДОВАНИЕ RLC-ЦЕПИ СИНУСОИДАЛЬНОГО НАПРЯЖЕНИЯ С УПРАВЛЯЕМЫМ РЕВЕРСИРОВАНИЕМ ИНДУКТИВНОГО ЭЛЕМЕНТА
за авторством: Шидловская, Н.А.
Опубліковано: (2011)

Методика определения эффективной площади фоточувствительного элемента фотодиода
за авторством: Butenko, V. K., та інші
Опубліковано: (2007)

Электрическое сопротивление контакта тонкопленочных резисторов
за авторством: Lougin, A. N., та інші
Опубліковано: (2006)

О двухсторонних оценках приближения функций обобщенными средними Бохнера-Рисса в НР, 0 < р ≤ 1
за авторством: Коломойцев, Ю.С.
Опубліковано: (2010)

Высокоэффективные катодные элементы для газоразрядных источников света
за авторством: Sevastyanov, V. V., та інші
Опубліковано: (2009)

Наноструктурированная композитная пленка для сенсоров влажности
за авторством: Kovalenko, K. L., та інші
Опубліковано: (2009)

Кремний мультипористой текстуры для фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии
за авторством: Yerokhov, V. Yu., та інші
Опубліковано: (2009)

ПРИБЛИЖЕННЫЕ ГРАНИЧНЫЕ УСЛОВИЯ И КОЭФФИЦИЕНТЫ ЭКРАНИРОВАНИЯ ТОНКИХ ПРОВОДЯЩИХ ОБОЛОЧЕК
за авторством: Бондина, Н.Н., та інші
Опубліковано: (2012)

Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
за авторством: Борисенко, А.Г., та інші
Опубліковано: (2005)

Микроволновый импеданс эпитаксиальных пленок высокотемпературных сверхпроводников
за авторством: Мелков, Г.А., та інші
Опубліковано: (1995)