Получение двухсторонних высоковольтных эпитак­сиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ

• Дата: 2013
• Автори: Vakiv, N. M., Krukovsky, S. I., Tymchyshyn, V. R., Vas'kiv, A. P.
• Формат: Стаття
• Мова: Ukrainian
• Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2013
• Теми: эпитаксиальный слой; жидкофазная эпитаксия; редкоземельный элемент; легирование
• Онлайн доступ: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.6.41
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

Silicon p–i–n-structures are usually obtained using conventional diffusion method or liquid phase epitaxy (LPE). In both cases, the formation of p- and n-layers occurs in two stages. This technological approach is quite complex. Moreover, when forming bilateral high-voltage epitaxial layers, their p...