Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch
The author suggests using the etching method MacEtch (metal-assisted chemical etching) for production of micro- and nanostructures of porous silicon. The paper presents research results on the morphology structures obtained at different parameters of deposition and etching processes. The research ha...
Gespeichert in:
| Datum: | 2013 |
|---|---|
| 1. Verfasser: | Iatsunskyi, I. R. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2013
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.6.52 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentÄhnliche Einträge
Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch
von: Яцунский, И.Р.
Veröffentlicht: (2013)
von: Яцунский, И.Р.
Veröffentlicht: (2013)
Obtaining porous silicon suitable for sensor technology using MacEtch nonelectrolytic etching
von: I. R. Jatsunskij
Veröffentlicht: (2013)
von: I. R. Jatsunskij
Veröffentlicht: (2013)
Газоанализаторы на основе пористого карбида кремния
von: Moskovchenko, N. N., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Moskovchenko, N. N., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Формирование полированной поверхности халькогенидов Bi и Sb в травильных композициях K2Cr2O7–HBr
von: Pavlovich, I. I., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Pavlovich, I. I., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
von: Novosyadlyi, S. P., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Novosyadlyi, S. P., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния
von: Forsh, P. A., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Forsh, P. A., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
von: Andronova, О. V., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Andronova, О. V., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Кремний мультипористой текстуры для фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии
von: Yerokhov, V. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Yerokhov, V. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Влияние плазмохимического травления на структуру поверхности кремниевых пластин фотоэлектрических преобразователей
von: Polozov, B. P., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Polozov, B. P., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов
von: Turtsevich, A. S.
Veröffentlicht: (2008)
von: Turtsevich, A. S.
Veröffentlicht: (2008)
Особенности изготовления Cd1–xZnxTe-детектора ионизирующего излучения
von: Tomashik, Z. F., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Tomashik, Z. F., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
von: Boltovets, M. S., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Boltovets, M. S., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Получение и свойства пористого карбида кремния
von: Светличная, Л.А., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Светличная, Л.А., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний»
von: Smyntyna, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Smyntyna, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Влияние исходных дефектов на распределение механических напряжений и деформаций при окислении кремния
von: Kulinich, O. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Kulinich, O. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трехмерной интеграции кристаллов
von: Golishnikov, А. А., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Golishnikov, А. А., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Двухфункциональный датчик давления-температуры на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Взаимодействие атомарного водорода с поверхностью монокристаллов кремния
von: Zhavzharov, E. L., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Zhavzharov, E. L., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Высокотемпературные датчики давления с тензорезисторами на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Особенности плазмохимического травления торцов кремниевых пластин для фотоэлектрических преобразователей
von: Fedorovich, O. A., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Fedorovich, O. A., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Температурные поля в растущем кристалле «солнечного кремния»
von: Kondrik, A. I., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Kondrik, A. I., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Устойчивость к окислению и модифицирование винилсиланами пористого кремния
von: Барабаш, Р.Н., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Барабаш, Р.Н., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Химическое модифицирование поверхности пористого кремния группами полиоксиэтилированных спиртов
von: Суворова, А.О., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Суворова, А.О., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трехмерной интеграции кристаллов
von: Голишников, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Голишников, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Локальные свойства электрически активных дефектов в солнечных батареях на основе кремния
von: Popov, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Popov, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Получение периодических слоев GaAs методом электрохимического травления
von: Дяденчук, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Дяденчук, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пленок поликристаллического кремния, легированных фосфором в процессе роста
von: Nalivaiko, O. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Nalivaiko, O. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Повышение эффективности кремниевых солнечных элементов посредством нанопористого покрытия
von: Dzhafarov, T. D., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Dzhafarov, T. D., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Роль пластической деформации в получении нанокремния
von: Smyntyna, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Smyntyna, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Исследование влияния электронного облучения на кремниевые тензорезисторы
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Масс-спектрометрическое определение компонентов желчи методом DIOS с использованием модифицированного пористого кремния
von: Севериновская, О.В., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Севериновская, О.В., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Оптические параметры нанокомпозитных плёнок пористого оксида алюминия c квантовыми точками кремния или германия
von: Ушенин, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Ушенин, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Исследование влияни кислорода на скорость и анизотропию глубинного травления кремния в плазмохимическом реакторе с управляемым магнитним полем
von: Гладковский, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Гладковский, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Влияние буферного слоя пористого карбида кремния на формирование границы раздела с оксидным слоем (обзор)
von: Охрименко, О.Б.
Veröffentlicht: (2012)
von: Охрименко, О.Б.
Veröffentlicht: (2012)
Тензорезисторы для низких температур на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Система измерения магнитного поля и температуры с цифровой обработкой сигнала
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Масс-спектрометрическое изучение адсорбции гистамина и аргинина на различных видах поверхности пористого кремния методом лазерной десорбционной ионизации
von: Шмыголь, И.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Шмыголь, И.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Универсальная система для измерения усилия-перемещения
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Оптимізація процесу осушення пористого шару
von: Гайвась, Б.
Veröffentlicht: (2007)
von: Гайвась, Б.
Veröffentlicht: (2007)
Ähnliche Einträge
-
Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch
von: Яцунский, И.Р.
Veröffentlicht: (2013) -
Obtaining porous silicon suitable for sensor technology using MacEtch nonelectrolytic etching
von: I. R. Jatsunskij
Veröffentlicht: (2013) -
Газоанализаторы на основе пористого карбида кремния
von: Moskovchenko, N. N., et al.
Veröffentlicht: (2006) -
Формирование полированной поверхности халькогенидов Bi и Sb в травильных композициях K2Cr2O7–HBr
von: Pavlovich, I. I., et al.
Veröffentlicht: (2011) -
Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
von: Novosyadlyi, S. P., et al.
Veröffentlicht: (2009)