Buchumschlag

Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch

The author suggests using the etching method MacEtch (metal-assisted chemical etching) for production of micro- and nanostructures of porous silicon. The paper presents research results on the morphology structures obtained at different parameters of deposition and etching processes. The research ha...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2013
1. Verfasser:	Iatsunskyi, I. R.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2013
Schlagworte:	пористый кремний неэлектролитическое (химическое) травление
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.6.52
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Формирование полированной поверхности халькогенидов Bi и Sb в травильных композициях K2Cr2O7–HBr
von: Pavlovich, I. I., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
von: Andronova, О. V., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Особенности изготовления Cd1–xZnxTe-детектора ионизирующего излучения
von: Tomashik, Z. F., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
von: Boltovets, M. S., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Особенности плазмохимического травления торцов кремниевых пластин для фотоэлектрических преобразователей
von: Fedorovich, O. A., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния
von: Forsh, P. A., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
von: Novosyadlyi, S. P., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов
von: Turtsevich, A. S.
Veröffentlicht: (2008)

Кремний мультипористой текстуры для фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии
von: Yerokhov, V. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трехмерной интеграции кристаллов
von: Golishnikov, А. А., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Оптимизация конструкции мембранных датчиков
von: Rubcevich, I. I., et al.
Veröffentlicht: (2009)

МЕМБРАННІ МАТЕРІАЛИ НА ОСНОВІ ПОРИСТОГО АНОДНОГО ОКСИДУ АЛЮМІНІЮ
von: Rozhdestvenska, Liudmyla, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Automation of measurements of the rate of thin films chemical etching
von: Іваницький, В. П., et al.
Veröffentlicht: (2024)

ВПЛИВ ПОРИСТОГО СЕРЕДОВИЩА НА ТЕПЛООБМІН ПРИ ПЛІВКОВОМУ КИПІННІ РІДИНИ
von: Avramenko, A.A., et al.
Veröffentlicht: (2021)

Режим работы двухкаскадного термоэлектрического охлаждающего устройства, обеспечивающий минимальную интенсивность отказов
von: Dudin, S. V., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Energy-saving technology for processing of exhausted etching solutions with obtaining of ferromagnetic compounds
von: Samchenko, Dmitry N., et al.
Veröffentlicht: (2022)

Investigation of the process of microrelief structures formation in chromium films based on the method of chemical etching
von: Панкратова, А. В., et al.
Veröffentlicht: (2021)

Получение эффективных катодолюминесцентных структур на базе пленочной технологии
von: Kovalenko, L. F., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Низкоразмерные кристаллы кремния для фотоэлектрических преобразователей
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Технология изготовления контактов к карбиду кремния
von: Kudryk, Ya. Ya., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках
von: Venger, E. F., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
von: Vakiv, M. M., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Температурные поля в растущем кристалле «солнечного кремния»
von: Kondrik, A. I., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии
von: Voronin, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Двухфункциональный датчик давления-температуры на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Тензорезисторы для низких температур на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)

ПОЛУЧЕНИЕ ЛОПАТОК ГТУ ИЗ НОВОГО ЖАРОПРОЧНОГО СПЛАВА В КЕРАМИЧЕСКИХ ФОРМАХ ПО УДАЛЯЕМЫМ ППС–МОДЕЛЯМ
von: Шинский, О. И., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Высокотемпературные датчики давления с тензорезисторами на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Методы удаления дефектов, возникающих при жидкостном травлении поверхности поликристаллического кремния
von: Ivanchykou, A. E., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния
von: Rakhmatov, A. Z., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Получение тонких пленок Si3N4 при пониженном давлении на пластинах диаметром до 200 мм
von: Nalivaiko, O. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний»
von: Smyntyna, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Локальные свойства электрически активных дефектов в солнечных батареях на основе кремния
von: Popov, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Влияние исходных дефектов на распределение механических напряжений и деформаций при окислении кремния
von: Kulinich, O. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Исследование частотной зависимости проводимости нитевидных кристаллов кремния при криогенных температурах для создания сенсоров температуры на их основе
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом плазмохимического осаждения на кремниевую подложку
von: Rubtsevich, I. I., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пленок поликристаллического кремния, легированных фосфором в процессе роста
von: Nalivaiko, O. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов
von: Popov, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2009)