Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch
The author suggests using the etching method MacEtch (metal-assisted chemical etching) for production of micro- and nanostructures of porous silicon. The paper presents research results on the morphology structures obtained at different parameters of deposition and etching processes. The research ha...
Saved in:
| Date: | 2013 |
|---|---|
| Main Author: | Iatsunskyi, I. R. |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2013
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.6.52 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentSimilar Items
Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch
by: Яцунский, И.Р.
Published: (2013)
by: Яцунский, И.Р.
Published: (2013)
Obtaining porous silicon suitable for sensor technology using MacEtch nonelectrolytic etching
by: I. R. Jatsunskij
Published: (2013)
by: I. R. Jatsunskij
Published: (2013)
Газоанализаторы на основе пористого карбида кремния
by: Moskovchenko, N. N., et al.
Published: (2006)
by: Moskovchenko, N. N., et al.
Published: (2006)
Формирование полированной поверхности халькогенидов Bi и Sb в травильных композициях K2Cr2O7–HBr
by: Pavlovich, I. I., et al.
Published: (2011)
by: Pavlovich, I. I., et al.
Published: (2011)
Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
by: Novosyadlyi, S. P., et al.
Published: (2009)
by: Novosyadlyi, S. P., et al.
Published: (2009)
Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния
by: Forsh, P. A., et al.
Published: (2009)
by: Forsh, P. A., et al.
Published: (2009)
Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
by: Andronova, О. V., et al.
Published: (2008)
by: Andronova, О. V., et al.
Published: (2008)
Кремний мультипористой текстуры для фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии
by: Yerokhov, V. Yu., et al.
Published: (2009)
by: Yerokhov, V. Yu., et al.
Published: (2009)
Влияние плазмохимического травления на структуру поверхности кремниевых пластин фотоэлектрических преобразователей
by: Polozov, B. P., et al.
Published: (2006)
by: Polozov, B. P., et al.
Published: (2006)
Получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов
by: Turtsevich, A. S.
Published: (2008)
by: Turtsevich, A. S.
Published: (2008)
Особенности изготовления Cd1–xZnxTe-детектора ионизирующего излучения
by: Tomashik, Z. F., et al.
Published: (2013)
by: Tomashik, Z. F., et al.
Published: (2013)
Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
by: Boltovets, M. S., et al.
Published: (2009)
by: Boltovets, M. S., et al.
Published: (2009)
Получение и свойства пористого карбида кремния
by: Светличная, Л.А., et al.
Published: (2005)
by: Светличная, Л.А., et al.
Published: (2005)
Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний»
by: Smyntyna, V. A., et al.
Published: (2011)
by: Smyntyna, V. A., et al.
Published: (2011)
Влияние исходных дефектов на распределение механических напряжений и деформаций при окислении кремния
by: Kulinich, O. A., et al.
Published: (2008)
by: Kulinich, O. A., et al.
Published: (2008)
Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трехмерной интеграции кристаллов
by: Golishnikov, А. А., et al.
Published: (2014)
by: Golishnikov, А. А., et al.
Published: (2014)
Двухфункциональный датчик давления-температуры на основе нитевидных кристаллов кремния
by: Druzhinin, A. A., et al.
Published: (2013)
by: Druzhinin, A. A., et al.
Published: (2013)
Взаимодействие атомарного водорода с поверхностью монокристаллов кремния
by: Zhavzharov, E. L., et al.
Published: (2006)
by: Zhavzharov, E. L., et al.
Published: (2006)
Высокотемпературные датчики давления с тензорезисторами на основе нитевидных кристаллов кремния
by: Druzhinin, A. A., et al.
Published: (2012)
by: Druzhinin, A. A., et al.
Published: (2012)
Особенности плазмохимического травления торцов кремниевых пластин для фотоэлектрических преобразователей
by: Fedorovich, O. A., et al.
Published: (2009)
by: Fedorovich, O. A., et al.
Published: (2009)
Температурные поля в растущем кристалле «солнечного кремния»
by: Kondrik, A. I., et al.
Published: (2012)
by: Kondrik, A. I., et al.
Published: (2012)
Устойчивость к окислению и модифицирование винилсиланами пористого кремния
by: Барабаш, Р.Н., et al.
Published: (2006)
by: Барабаш, Р.Н., et al.
Published: (2006)
Химическое модифицирование поверхности пористого кремния группами полиоксиэтилированных спиртов
by: Суворова, А.О., et al.
Published: (2011)
by: Суворова, А.О., et al.
Published: (2011)
Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трехмерной интеграции кристаллов
by: Голишников, А.А., et al.
Published: (2014)
by: Голишников, А.А., et al.
Published: (2014)
Локальные свойства электрически активных дефектов в солнечных батареях на основе кремния
by: Popov, V. M., et al.
Published: (2010)
by: Popov, V. M., et al.
Published: (2010)
Получение периодических слоев GaAs методом электрохимического травления
by: Дяденчук, А.Ф., et al.
Published: (2014)
by: Дяденчук, А.Ф., et al.
Published: (2014)
Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пленок поликристаллического кремния, легированных фосфором в процессе роста
by: Nalivaiko, O. Yu., et al.
Published: (2009)
by: Nalivaiko, O. Yu., et al.
Published: (2009)
Повышение эффективности кремниевых солнечных элементов посредством нанопористого покрытия
by: Dzhafarov, T. D., et al.
Published: (2012)
by: Dzhafarov, T. D., et al.
Published: (2012)
Роль пластической деформации в получении нанокремния
by: Smyntyna, V. A., et al.
Published: (2011)
by: Smyntyna, V. A., et al.
Published: (2011)
Исследование влияния электронного облучения на кремниевые тензорезисторы
by: Druzhinin, A. A., et al.
Published: (2010)
by: Druzhinin, A. A., et al.
Published: (2010)
Масс-спектрометрическое определение компонентов желчи методом DIOS с использованием модифицированного пористого кремния
by: Севериновская, О.В., et al.
Published: (2010)
by: Севериновская, О.В., et al.
Published: (2010)
Оптические параметры нанокомпозитных плёнок пористого оксида алюминия c квантовыми точками кремния или германия
by: Ушенин, Ю.В., et al.
Published: (2013)
by: Ушенин, Ю.В., et al.
Published: (2013)
Исследование влияни кислорода на скорость и анизотропию глубинного травления кремния в плазмохимическом реакторе с управляемым магнитним полем
by: Гладковский, В.В., et al.
Published: (2017)
by: Гладковский, В.В., et al.
Published: (2017)
Влияние буферного слоя пористого карбида кремния на формирование границы раздела с оксидным слоем (обзор)
by: Охрименко, О.Б.
Published: (2012)
by: Охрименко, О.Б.
Published: (2012)
Тензорезисторы для низких температур на основе нитевидных кристаллов кремния
by: Druzhinin, A. A., et al.
Published: (2008)
by: Druzhinin, A. A., et al.
Published: (2008)
Система измерения магнитного поля и температуры с цифровой обработкой сигнала
by: Druzhinin, A. A., et al.
Published: (2013)
by: Druzhinin, A. A., et al.
Published: (2013)
Масс-спектрометрическое изучение адсорбции гистамина и аргинина на различных видах поверхности пористого кремния методом лазерной десорбционной ионизации
by: Шмыголь, И.В., et al.
Published: (2007)
by: Шмыголь, И.В., et al.
Published: (2007)
Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин
by: Druzhinin, A. A., et al.
Published: (2011)
by: Druzhinin, A. A., et al.
Published: (2011)
Универсальная система для измерения усилия-перемещения
by: Druzhinin, A. A., et al.
Published: (2006)
by: Druzhinin, A. A., et al.
Published: (2006)
Оптимізація процесу осушення пористого шару
by: Гайвась, Б.
Published: (2007)
by: Гайвась, Б.
Published: (2007)
Similar Items
-
Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch
by: Яцунский, И.Р.
Published: (2013) -
Obtaining porous silicon suitable for sensor technology using MacEtch nonelectrolytic etching
by: I. R. Jatsunskij
Published: (2013) -
Газоанализаторы на основе пористого карбида кремния
by: Moskovchenko, N. N., et al.
Published: (2006) -
Формирование полированной поверхности халькогенидов Bi и Sb в травильных композициях K2Cr2O7–HBr
by: Pavlovich, I. I., et al.
Published: (2011) -
Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
by: Novosyadlyi, S. P., et al.
Published: (2009)