Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch
The author suggests using the etching method MacEtch (metal-assisted chemical etching) for production of micro- and nanostructures of porous silicon. The paper presents research results on the morphology structures obtained at different parameters of deposition and etching processes. The research ha...
Saved in:
| Date: | 2013 |
|---|---|
| Main Author: | Iatsunskyi, I. R. |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2013
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.6.52 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentSimilar Items
-
Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch
by: Яцунский, И.Р.
Published: (2013) -
Формирование полированной поверхности халькогенидов Bi и Sb в травильных композициях K2Cr2O7–HBr
by: Pavlovich, I. I., et al.
Published: (2011) -
Obtaining porous silicon suitable for sensor technology using MacEtch nonelectrolytic etching
by: I. R. Jatsunskij
Published: (2013) -
Особенности изготовления Cd1–xZnxTe-детектора ионизирующего излучения
by: Tomashik, Z. F., et al.
Published: (2013) -
Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний»
by: Smyntyna, V. A., et al.
Published: (2011)