Buchumschlag

Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch

The author suggests using the etching method MacEtch (metal-assisted chemical etching) for production of micro- and nanostructures of porous silicon. The paper presents research results on the morphology structures obtained at different parameters of deposition and etching processes. The research ha...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2013
1. Verfasser:	Iatsunskyi, I. R.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2013
Schlagworte:	пористый кремний неэлектролитическое (химическое) травление
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.6.52
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch
von: Яцунский, И.Р.
Veröffentlicht: (2013)

Получение и свойства пористого карбида кремния
von: Svetlichnaya, L. A., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Obtaining porous silicon suitable for sensor technology using MacEtch nonelectrolytic etching
von: I. R. Jatsunskij
Veröffentlicht: (2013)

Газоанализаторы на основе пористого карбида кремния
von: Moskovchenko, N. N., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Формирование полированной поверхности халькогенидов Bi и Sb в травильных композициях K2Cr2O7–HBr
von: Pavlovich, I. I., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
von: Novosyadlyi, S. P., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния
von: Forsh, P. A., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
von: Andronova, О. V., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Кремний мультипористой текстуры для фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии
von: Yerokhov, V. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Влияние плазмохимического травления на структуру поверхности кремниевых пластин фотоэлектрических преобразователей
von: Polozov, B. P., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов
von: Turtsevich, A. S.
Veröffentlicht: (2008)

Газочувствительные структуры "силицид кобальта – пористый кремний – кремний"
von: Belousov, I. V., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Особенности изготовления Cd1–xZnxTe-детектора ионизирующего излучения
von: Tomashik, Z. F., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Получение и свойства пористого карбида кремния
von: Светличная, Л.А., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний»
von: Smyntyna, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
von: Boltovets, M. S., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Влияние исходных дефектов на распределение механических напряжений и деформаций при окислении кремния
von: Kulinich, O. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трехмерной интеграции кристаллов
von: Golishnikov, А. А., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Лазерное текстурирование поверхности предварительно нагретого монокристалла кремния
von: Krapivko, H. I.
Veröffentlicht: (2005)

Двухфункциональный датчик давления-температуры на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Взаимодействие атомарного водорода с поверхностью монокристаллов кремния
von: Zhavzharov, E. L., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Высокотемпературные датчики давления с тензорезисторами на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Газоанализаторы на основе пористого карбида кремния
von: Московченко, Н.Н., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Особенности плазмохимического травления торцов кремниевых пластин для фотоэлектрических преобразователей
von: Fedorovich, O. A., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Температурные поля в растущем кристалле «солнечного кремния»
von: Kondrik, A. I., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Химическое модифицирование поверхности пористого кремния группами полиоксиэтилированных спиртов
von: Суворова, А.О., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Устойчивость к окислению и модифицирование винилсиланами пористого кремния
von: Барабаш, Р.Н., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трехмерной интеграции кристаллов
von: Голишников, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Локальные свойства электрически активных дефектов в солнечных батареях на основе кремния
von: Popov, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Получение периодических слоев GaAs методом электрохимического травления
von: Дяденчук, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пленок поликристаллического кремния, легированных фосфором в процессе роста
von: Nalivaiko, O. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Повышение эффективности кремниевых солнечных элементов посредством нанопористого покрытия
von: Dzhafarov, T. D., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Роль пластической деформации в получении нанокремния
von: Smyntyna, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Исследование влияния электронного облучения на кремниевые тензорезисторы
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Детекторы оптического сигнала на основе структур Au-nSi-Al, Au-nSi
von: Yodgorova, D. M., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Масс-спектрометрическое определение компонентов желчи методом DIOS с использованием модифицированного пористого кремния
von: Севериновская, О.В., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Коллоквиум MAC № 124 «Двойные и взаимодействующие галактики»
Veröffentlicht: (1989)

Оптические параметры нанокомпозитных плёнок пористого оксида алюминия c квантовыми точками кремния или германия
von: Ушенин, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
von: Borisenko, A. G., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Влияние буферного слоя пористого карбида кремния на формирование границы раздела с оксидным слоем (обзор)
von: Охрименко, О.Б.
Veröffentlicht: (2012)