Двухфункциональный датчик давления-температуры на основе нитевидных кристаллов кремния
The article presents the design of a pressure-temperature sensor based on p-type silicon whiskers, doped with boron, with a resistivity of 0,005 Ohm?cm. The sensor is operable in a temperature range from –100 to +200°C and at pressures from 0 to 20 MPa. The sensor is designed for a wide range of app...
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автори: | Druzhinin, A. A., Kutrakov, A. P., Liakh-Kaguy, N. S., Vuitsyk, A. M. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2013
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.4.23 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipmentСхожі ресурси
Система измерения магнитного поля и температуры с цифровой обработкой сигнала
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2013)
Двухфункциональный датчик давления-температуры на основе нитевидных кристаллов кремния
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2013)
Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2015)
Высокотемпературные датчики давления с тензорезисторами на основе нитевидных кристаллов кремния
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2012)
Тензорезисторы для низких температур на основе нитевидных кристаллов кремния
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2008)
Высокотемпературные датчики давления с тензорезисторами на основе нитевидных кристаллов кремния
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2012)
Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2011)
Исследование частотной зависимости проводимости нитевидных кристаллов кремния при криогенных температурах для создания сенсоров температуры на их основе
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2019)
Тензорезисторы для низких температур на основе нитевидных кристаллов кремния
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2008)
Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом
за авторством: Druzhinin, А. A., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Druzhinin, А. A., та інші
Опубліковано: (2012)
Трехпараметрический генераторный датчик
за авторством: Filinyuk, M. A., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Filinyuk, M. A., та інші
Опубліковано: (2014)
Датчик скорости газового потока
за авторством: Godovaniouk, V. N., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Godovaniouk, V. N., та інші
Опубліковано: (2011)
Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний»
за авторством: Smyntyna, V. A., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Smyntyna, V. A., та інші
Опубліковано: (2011)
Исследование частотной зависимости проводимости нитевидных кристаллов кремния при криогенных температурах для создания сенсоров температуры на их основе
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2016)
Влияние исходных дефектов на распределение механических напряжений и деформаций при окислении кремния
за авторством: Kulinich, O. A., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Kulinich, O. A., та інші
Опубліковано: (2008)
Первичные преобразователи давления криогенных жидкостей
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2007)
Получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов
за авторством: Turtsevich, A. S.
Опубліковано: (2008)
за авторством: Turtsevich, A. S.
Опубліковано: (2008)
Исследование влияния электронного облучения на кремниевые тензорезисторы
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2010)
ЛАЗЕРНЫЙ ДАТЧИК ВИБРАЦИЙ, ОСНОВАННЫЙ НА ЧАСТОТНО-ФАЗОВОМ МЕТОДЕ ИЗМЕРЕНИЯ РАССТОЯНИЙ
за авторством: Брагинец, И.А., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Брагинец, И.А., та інші
Опубліковано: (2010)
Механические свойства нитевидных кристаллов HfB₂
за авторством: Дуб, С.Н., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Дуб, С.Н., та інші
Опубліковано: (2013)
Датчик угла поворота генераторного типа с элементом на поверхностных акустических волнах
за авторством: Lepikh, Ya. I.
Опубліковано: (2009)
за авторством: Lepikh, Ya. I.
Опубліковано: (2009)
Магнитокоммутируемая микросхема и датчик измерения скорости ветра на ее основе
за авторством: Kasimov, F. D., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Kasimov, F. D., та інші
Опубліковано: (2009)
Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch
за авторством: Iatsunskyi, I. R.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Iatsunskyi, I. R.
Опубліковано: (2013)
Полуактивный радиочастотный датчик контроля расхода электроэнергии
за авторством: Lishchinskaya, L. B., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Lishchinskaya, L. B., та інші
Опубліковано: (2012)
Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трехмерной интеграции кристаллов
за авторством: Golishnikov, А. А., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Golishnikov, А. А., та інші
Опубліковано: (2014)
Температурные поля в растущем кристалле «солнечного кремния»
за авторством: Kondrik, A. I., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Kondrik, A. I., та інші
Опубліковано: (2012)
Влияние самоинтеркаляции меди на термоэлектрические свойства легированных кристаллов Bi2Te3 в процессе их хранения
за авторством: Aliyeva, A. P., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Aliyeva, A. P., та інші
Опубліковано: (2016)
Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2014)
Измерение температуры с использованием оптических датчиков на основе двулучепреломляющих кристаллов
за авторством: Gaba, V. M.
Опубліковано: (2009)
за авторством: Gaba, V. M.
Опубліковано: (2009)
Волоконно-оптичний датчик для контролю параметрів повітряних ліній електропередачі
за авторством: Лежнюк, П.Д., та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: Лежнюк, П.Д., та інші
Опубліковано: (2024)
Первичные преобразователи для микродатчиков ускорения и давления на алмазных материалах
за авторством: Altuchov, A. A., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Altuchov, A. A., та інші
Опубліковано: (2009)
Физические свойства кристаллов Sn₂P₂S₆ при изменении уровня давления и температуры
за авторством: Тягур, Ю.И.
Опубліковано: (2007)
за авторством: Тягур, Ю.И.
Опубліковано: (2007)
Локальные свойства электрически активных дефектов в солнечных батареях на основе кремния
за авторством: Popov, V. M., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Popov, V. M., та інші
Опубліковано: (2010)
Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пленок поликристаллического кремния, легированных фосфором в процессе роста
за авторством: Nalivaiko, O. Yu., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Nalivaiko, O. Yu., та інші
Опубліковано: (2009)
Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
за авторством: Kudrynskyi, Z. R., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Kudrynskyi, Z. R., та інші
Опубліковано: (2012)
Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2011)
ВЛИЯНИЕ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ ВОДНЫХ ТРИИНГОВ НА ПЛОТНОСТИ ТОКОВ И ДАВЛЕНИЯ, ВОЗНИКАЮЩИЕ В ПОЛИЭТИЛЕНОВОЙ ИЗОЛЯЦИИ
за авторством: Щерба, М.А.
Опубліковано: (2016)
за авторством: Щерба, М.А.
Опубліковано: (2016)
Оптический датчик температуры на основе нанокристаллической пленки SiC
за авторством: Lopin, A. V., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Lopin, A. V., та інші
Опубліковано: (2007)
Приборное обеспечение измерения параметров ультразвуковых воздействий в технологических процессах
за авторством: Lanin, V. L., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Lanin, V. L., та інші
Опубліковано: (2008)
Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2015)
Схожі ресурси
-
Система измерения магнитного поля и температуры с цифровой обработкой сигнала
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2013) -
Двухфункциональный датчик давления-температуры на основе нитевидных кристаллов кремния
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2013) -
Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2015) -
Высокотемпературные датчики давления с тензорезисторами на основе нитевидных кристаллов кремния
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2012) -
Тензорезисторы для низких температур на основе нитевидных кристаллов кремния
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2008)