Особливості застосування листової термоміграції трирозмірної рідкої зони Al+Si для формування напівпровідникових силових приладів

• Datum: 2023
• Hauptverfasser: Polukhin, Оlекsіі, Kravchina, Vitalii
• Format: Artikel
• Sprache: English
• Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2023
• Schlagworte: Al Si розплав; діод; листова термоміграція; тривимірні зони
• Online Zugang: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2023.1-2.34
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

The paper considers using the technology of sheet thermomigration of three-dimensional zones, which implements p+-Si* liquid epitaxy on an n-Si wafer, to produce power semiconductor devices with crystals having thinned layers of high-resistive n-Si base, which are surrounded by p+-Si*&n...