Дослідження динамічних ВАХ Si-фотодіодів в області малих струмів за допомогою комп’ютеризованого вимірювального комплексу

• Опубліковано в: Технологія та конструювання в електронній апаратурі
• Дата: 2025
• Випуск: 1–2
• Сторінки: 38-44
• ISSN: 3083-6549
• Автори та афіліації: Oleg Kshevetskyi — Yurii Fedkovych Chernivtsi National University, Chernivtsy, Ukraine; Yuriy Dobrovolsky — Yurii Fedkovych Chernivtsi National University, Chernivtsy, Ukraine; Rostyslav Diachuk — Yurii Fedkovych Chernivtsi National University, Chernivtsy, Ukraine — ORCID: 0000-0002-6259-3302
• Ключові слова: то і діаметр електрода має бути співрозмірним, передається на значну відстань до вимірювального пристрою без втрати інформації, infrared photodetectors, electronic structure, ккд фотоелектричного модуля, фотоелектричні характеристики, світлодіод, де важливими є міні- мальні розміри, мікроелектрод, такі пристрої мають суттєві переваги: вони компактні
• Автори: Kshevetskyi, Oleg, Dobrovolsky, Yuriy, Diachuk, Rostyslav
• Формат: Стаття
• Мова: Українська
• Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2025
• Теми: фотодіод; темновий струм; вольт-амперна характеристика; вимірювання; програмна інженерія
• Онлайн доступ: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2025.1-2.38
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

Studying the current-voltage characteristics (IVC) of photodiodes, as well as any other device with a p–n junction, allows us to determine their quality and compliance with the stated requirements for reverse dark current. However, in the development and production of photodiodes, dark currents are...