Особливості застосування листової термоміграції трирозмірної рідкої зони Al+Si для формування напівпровідникових силових приладів
The paper considers using the technology of sheet thermomigration of three-dimensional zones, which implements p+-Si* liquid epitaxy on an n-Si wafer, to produce power semiconductor devices with crystals having thinned layers of high-resistive n-Si base, which are surrounded by p+-Si*&n...
Збережено в:
| Дата: | 2023 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2023
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2023.1-2.34 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |