Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем
Increasing the degree of integration of hardware components imposes more stringent requirements for the reduction of the concentration of contaminants and oxidation stacking faults in the original silicon wafers with its preservation in the IC manufacturing process cycle. This causes high relevance...
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2013
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.2-3.43 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1856543845271994368 |
|---|---|
| author | Pilipenko, V. A. Gorushko, V. A. Petlitskiy, A. N. Ponaryadov, V. V. Turtsevich, A. S. Shvedov, S. V. |
| author_facet | Pilipenko, V. A. Gorushko, V. A. Petlitskiy, A. N. Ponaryadov, V. V. Turtsevich, A. S. Shvedov, S. V. |
| author_sort | Pilipenko, V. A. |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2025-08-13T20:26:27Z |
| description | Increasing the degree of integration of hardware components imposes more stringent requirements for the reduction of the concentration of contaminants and oxidation stacking faults in the original silicon wafers with its preservation in the IC manufacturing process cycle. This causes high relevance of the application of gettering in modern microelectronic technology. The existing methods of silicon wafers gettering and the mechanisms of their occurrence are considered. |
| first_indexed | 2025-09-24T17:30:51Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-393 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| language | English Ukrainian |
| last_indexed | 2025-09-24T17:30:51Z |
| publishDate | 2013 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-3932025-08-13T20:26:27Z Methods and mechanisms of gettering of silicon structures in the production of integrated circuits Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем Pilipenko, V. A. Gorushko, V. A. Petlitskiy, A. N. Ponaryadov, V. V. Turtsevich, A. S. Shvedov, S. V. silicon getter laser rapidly diffusing impurity gettering center dislocation stacking fault кремний геттер лазер быстродиффундирующая примесь центр геттерирования дислокация дефект упаковки Increasing the degree of integration of hardware components imposes more stringent requirements for the reduction of the concentration of contaminants and oxidation stacking faults in the original silicon wafers with its preservation in the IC manufacturing process cycle. This causes high relevance of the application of gettering in modern microelectronic technology. The existing methods of silicon wafers gettering and the mechanisms of their occurrence are considered. Увеличение степени интеграции элементной базы предъявляет все более жесткие требования к уменьшению концентрации загрязняющих примесей и окислительных дефектов упаковки в исходных кремниевых пластинах с ее сохранением в технологическом цикле изготовления ИМС. Это обуславливает высокую актуальность применения геттерирования в современной технологии микроэлектроники. В статье рассмотрены существующие методы геттерирования кремниевых пластин и механизмы их протекания. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2013-06-14 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.2-3.43 Technology and design in electronic equipment; No. 2–3 (2013): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 43-57 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 2–3 (2013): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 43-57 3083-6549 3083-6530 en uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.2-3.43/352 https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.2-3.43/353 Copyright (c) 2013 Pilipenko V. A., Gorushko V. A., Petlitskiy A. N., Ponaryadov V. V., Turtsevich A. S., Shvedov S. V. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | кремний геттер лазер быстродиффундирующая примесь центр геттерирования дислокация дефект упаковки Pilipenko, V. A. Gorushko, V. A. Petlitskiy, A. N. Ponaryadov, V. V. Turtsevich, A. S. Shvedov, S. V. Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем |
| title | Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем |
| title_alt | Methods and mechanisms of gettering of silicon structures in the production of integrated circuits |
| title_full | Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем |
| title_fullStr | Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем |
| title_full_unstemmed | Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем |
| title_short | Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем |
| title_sort | методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем |
| topic | кремний геттер лазер быстродиффундирующая примесь центр геттерирования дислокация дефект упаковки |
| topic_facet | silicon getter laser rapidly diffusing impurity gettering center dislocation stacking fault кремний геттер лазер быстродиффундирующая примесь центр геттерирования дислокация дефект упаковки |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.2-3.43 |
| work_keys_str_mv | AT pilipenkova methodsandmechanismsofgetteringofsiliconstructuresintheproductionofintegratedcircuits AT gorushkova methodsandmechanismsofgetteringofsiliconstructuresintheproductionofintegratedcircuits AT petlitskiyan methodsandmechanismsofgetteringofsiliconstructuresintheproductionofintegratedcircuits AT ponaryadovvv methodsandmechanismsofgetteringofsiliconstructuresintheproductionofintegratedcircuits AT turtsevichas methodsandmechanismsofgetteringofsiliconstructuresintheproductionofintegratedcircuits AT shvedovsv methodsandmechanismsofgetteringofsiliconstructuresintheproductionofintegratedcircuits AT pilipenkova metodyimehanizmygetterirovaniâkremnievyhstrukturvproizvodstveintegralʹnyhmikroshem AT gorushkova metodyimehanizmygetterirovaniâkremnievyhstrukturvproizvodstveintegralʹnyhmikroshem AT petlitskiyan metodyimehanizmygetterirovaniâkremnievyhstrukturvproizvodstveintegralʹnyhmikroshem AT ponaryadovvv metodyimehanizmygetterirovaniâkremnievyhstrukturvproizvodstveintegralʹnyhmikroshem AT turtsevichas metodyimehanizmygetterirovaniâkremnievyhstrukturvproizvodstveintegralʹnyhmikroshem AT shvedovsv metodyimehanizmygetterirovaniâkremnievyhstrukturvproizvodstveintegralʹnyhmikroshem |