Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем

• Дата: 2013
• Автори: Pilipenko, V. A., Gorushko, V. A., Petlitskiy, A. N., Ponaryadov, V. V., Turtsevich, A. S., Shvedov, S. V.
• Формат: Стаття
• Мова: Англійська; Українська
• Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2013
• Теми: кремний; геттер; лазер; быстродиффундирующая примесь; центр геттерирования; дислокация; дефект упаковки
• Онлайн доступ: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.2-3.43
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

Increasing the degree of integration of hardware components imposes more stringent requirements for the reduction of the concentration of contaminants and oxidation stacking faults in the original silicon wafers with its preservation in the IC manufacturing process cycle. This causes high relevance...