Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев
On the basis of the authors' model of mass transfer, a new method for thick layers epitaxy has been developed. The method provides for the growth of different parts of the layers in two-layer systems obtained from the solution-melt and allows to control the thickness of substrate submelting and...
Gespeichert in:
| Datum: | 2013 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | Dranchuk, S. N., Zavadskiy, V. A., Mokritskiy, V. A. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2013
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.2-3.58 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentÄhnliche Einträge
Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем
von: Dranchuk, S. M., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Dranchuk, S. M., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии
von: Круковский, С.И.
Veröffentlicht: (2002)
von: Круковский, С.И.
Veröffentlicht: (2002)
Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
von: Vakiv, M. M., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Vakiv, M. M., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений A³B⁵
von: Yodgorova, D. M., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Yodgorova, D. M., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
von: Andronova, О. V., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Andronova, О. V., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Моделирование процессов тепломассопереноса при жидкофазной эпитаксии соединений А³В⁵ методом импульсного охлаждения насыщенного раствора-расплава
von: Андронова, Е.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Андронова, Е.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии
von: Voronin, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Voronin, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Выбор предпочтительных слоев для проводников при трассировке многослойных печатных плат
von: Petrosjan, G. S., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Petrosjan, G. S., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Низкотемпературный изотермический метод хлоридной эпитаксии In₁₋ᵪGaᵪAs
von: Губа, С.К.
Veröffentlicht: (1998)
von: Губа, С.К.
Veröffentlicht: (1998)
Импедансный анализатор для идентификации марок водно-спиртовых напитков
von: Kukla, A. L., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Kukla, A. L., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния
von: Rakhmatov, A. Z., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Rakhmatov, A. Z., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
von: Novosyadlyi, S. P., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Novosyadlyi, S. P., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Гибридный автодинный сенсор магнитного резонанса
von: Brajilovskyj, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Brajilovskyj, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Энергоемкость процесса жидкофазной восстановительной плавки
von: Костяков, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Костяков, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2006)
DIVERSITY AND VARIABILITY OF THE CОРЕРОD BEHAVIOUR IN ENVIRONMENTAL GRADIENTS: AN OVERVIEW
von: Seregin, S. A., et al.
Veröffentlicht: (2023)
von: Seregin, S. A., et al.
Veröffentlicht: (2023)
Эффективные сцинтилляционные материалы на основе твердых растворов ZnS1–xTex и перспективы их применения
von: Katrunov, K. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Katrunov, K. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Использование метода импедансной спектроскопии для анализа бензанольного топлива
von: Kukla, A. L., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Kukla, A. L., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Использование элементов искусственного интеллекта при исследовании физико-химических процессов производства конвертерной стали
von: Бондарь, В. И., et al.
Veröffentlicht: (2023)
von: Бондарь, В. И., et al.
Veröffentlicht: (2023)
Поведение ванадия при жидкофазной плавке ванадийсодержащего концентрата
von: Костяков, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Костяков, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Повышение эффективности модифицирования силуминов путем жидкофазной электрогидроимпульсной обработки
von: Цуркин, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Цуркин, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Диффузия фосфора с применением твердого планарного источника в производстве интегральных схем
von: Shangereeva, B. A.
Veröffentlicht: (2008)
von: Shangereeva, B. A.
Veröffentlicht: (2008)
ПРИБЛИЖЕННЫЕ ГРАНИЧНЫЕ УСЛОВИЯ И КОЭФФИЦИЕНТЫ ЭКРАНИРОВАНИЯ ТОНКИХ ПРОВОДЯЩИХ ОБОЛОЧЕК
von: Бондина, Н.Н., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Бондина, Н.Н., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Механизм формирования межслоевых квантовых нитей в легированном цинком Bi2Te3
von: Alieva, A. P., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Alieva, A. P., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Особенности морфологии фрактальных нанообъектов в кристаллах A2VB3VI
von: Aliyeva, A. P., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Aliyeva, A. P., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
von: Maronchuk, I. E., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Maronchuk, I. E., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Прогнозирование содержания углерода в полупродукте на выпуске из большегрузных 350-т конвертеров с применением непараметрической статистики
von: Бондарь, В. И., et al.
Veröffentlicht: (2023)
von: Бондарь, В. И., et al.
Veröffentlicht: (2023)
Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
von: Yodgorova, D. M., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Yodgorova, D. M., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Размерно-геометрические параметры моделей микроструктуры толстых резистивных пленок
von: Стерхова, А.В.
Veröffentlicht: (2002)
von: Стерхова, А.В.
Veröffentlicht: (2002)
Химическое осаждение из газовой фази гетеро- и наноструктур соединений III–V
von: Voronin, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Voronin, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Наноструктурированные антидиффузионные слои в контактах к широкозонным полупроводникам
von: Kudryk, Ya. Ya.
Veröffentlicht: (2013)
von: Kudryk, Ya. Ya.
Veröffentlicht: (2013)
Особенности восстановления металлов углеродом из оксидных материалов при жидкофазной восстановительной плавке
von: Костяков, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Костяков, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Погрешности при измерении характеристик рентгеновских установок
von: Dushkin, S. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Dushkin, S. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Расчет характеристик рентгеновского излучения
von: Dushkin, S. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Dushkin, S. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Ähnliche Einträge
-
Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем
von: Dranchuk, S. M., et al.
Veröffentlicht: (2012) -
Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009) -
Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии
von: Круковский, С.И.
Veröffentlicht: (2002) -
Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2012) -
Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2014)