Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев
On the basis of the authors' model of mass transfer, a new method for thick layers epitaxy has been developed. The method provides for the growth of different parts of the layers in two-layer systems obtained from the solution-melt and allows to control the thickness of substrate submelting and...
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автори: | Dranchuk, S. N., Zavadskiy, V. A., Mokritskiy, V. A. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2013
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.2-3.58 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipmentСхожі ресурси
Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем
за авторством: Dranchuk, S. M., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Dranchuk, S. M., та інші
Опубліковано: (2012)
Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии
за авторством: Круковский, С.И.
Опубліковано: (2002)
за авторством: Круковский, С.И.
Опубліковано: (2002)
Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2012)
Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2014)
Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2013)
Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем
за авторством: Дранчук, С.Н., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Дранчук, С.Н., та інші
Опубліковано: (2012)
Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
за авторством: Vakiv, M. M., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Vakiv, M. M., та інші
Опубліковано: (2010)
Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений A³B⁵
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2007)
Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
за авторством: Andronova, О. V., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Andronova, О. V., та інші
Опубліковано: (2008)
Моделирование процессов тепломассопереноса при жидкофазной эпитаксии соединений А³В⁵ методом импульсного охлаждения насыщенного раствора-расплава
за авторством: Андронова, Е.В., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Андронова, Е.В., та інші
Опубліковано: (2007)
Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии
за авторством: Voronin, V. A., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Voronin, V. A., та інші
Опубліковано: (2010)
Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2007)
Выбор предпочтительных слоев для проводников при трассировке многослойных печатных плат
за авторством: Petrosjan, G. S., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Petrosjan, G. S., та інші
Опубліковано: (2010)
Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2012)
Импедансный анализатор для идентификации марок водно-спиртовых напитков
за авторством: Kukla, A. L., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Kukla, A. L., та інші
Опубліковано: (2012)
Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния
за авторством: Rakhmatov, A. Z., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Rakhmatov, A. Z., та інші
Опубліковано: (2010)
Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
за авторством: Novosyadlyi, S. P., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Novosyadlyi, S. P., та інші
Опубліковано: (2009)
Низкотемпературный изотермический метод хлоридной эпитаксии In₁₋ᵪGaᵪAs
за авторством: Губа, С.К.
Опубліковано: (1998)
за авторством: Губа, С.К.
Опубліковано: (1998)
Гибридный автодинный сенсор магнитного резонанса
за авторством: Brajilovskyj, V. V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Brajilovskyj, V. V., та інші
Опубліковано: (2009)
DIVERSITY AND VARIABILITY OF THE CОРЕРОD BEHAVIOUR IN ENVIRONMENTAL GRADIENTS: AN OVERVIEW
за авторством: Seregin, S. A., та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: Seregin, S. A., та інші
Опубліковано: (2023)
Энергоемкость процесса жидкофазной восстановительной плавки
за авторством: Костяков, В.Н., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Костяков, В.Н., та інші
Опубліковано: (2006)
Эффективные сцинтилляционные материалы на основе твердых растворов ZnS1–xTex и перспективы их применения
за авторством: Katrunov, K. A., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Katrunov, K. A., та інші
Опубліковано: (2011)
Использование метода импедансной спектроскопии для анализа бензанольного топлива
за авторством: Kukla, A. L., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Kukla, A. L., та інші
Опубліковано: (2015)
Поведение фосфора при жидкофазной восстановительной плавке
за авторством: Костяков, В.Н., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Костяков, В.Н., та інші
Опубліковано: (2006)
Использование элементов искусственного интеллекта при исследовании физико-химических процессов производства конвертерной стали
за авторством: Бондарь, В. И., та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: Бондарь, В. И., та інші
Опубліковано: (2023)
Поведение ванадия при жидкофазной плавке ванадийсодержащего концентрата
за авторством: Костяков, В.Н., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Костяков, В.Н., та інші
Опубліковано: (2006)
Повышение эффективности модифицирования силуминов путем жидкофазной электрогидроимпульсной обработки
за авторством: Цуркин, В.Н., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Цуркин, В.Н., та інші
Опубліковано: (2011)
Обобщенный теоретический подход к анализу газофазных процессов эпитаксии
за авторством: Воронин, В.А., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Воронин, В.А., та інші
Опубліковано: (2006)
Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
ПРИБЛИЖЕННЫЕ ГРАНИЧНЫЕ УСЛОВИЯ И КОЭФФИЦИЕНТЫ ЭКРАНИРОВАНИЯ ТОНКИХ ПРОВОДЯЩИХ ОБОЛОЧЕК
за авторством: Бондина, Н.Н., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Бондина, Н.Н., та інші
Опубліковано: (2012)
Диффузия фосфора с применением твердого планарного источника в производстве интегральных схем
за авторством: Shangereeva, B. A.
Опубліковано: (2008)
за авторством: Shangereeva, B. A.
Опубліковано: (2008)
Механизм формирования межслоевых квантовых нитей в легированном цинком Bi2Te3
за авторством: Alieva, A. P., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Alieva, A. P., та інші
Опубліковано: (2012)
Особенности морфологии фрактальных нанообъектов в кристаллах A2VB3VI
за авторством: Aliyeva, A. P., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Aliyeva, A. P., та інші
Опубліковано: (2011)
Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Maronchuk, I. E., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Maronchuk, I. E., та інші
Опубліковано: (2008)
Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2008)
Прогнозирование содержания углерода в полупродукте на выпуске из большегрузных 350-т конвертеров с применением непараметрической статистики
за авторством: Бондарь, В. И., та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: Бондарь, В. И., та інші
Опубліковано: (2023)
Размерно-геометрические параметры моделей микроструктуры толстых резистивных пленок
за авторством: Стерхова, А.В.
Опубліковано: (2002)
за авторством: Стерхова, А.В.
Опубліковано: (2002)
Химическое осаждение из газовой фази гетеро- и наноструктур соединений III–V
за авторством: Voronin, V. A., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Voronin, V. A., та інші
Опубліковано: (2008)
Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки
за авторством: Марончук, И.Е., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Марончук, И.Е., та інші
Опубліковано: (2003)
Схожі ресурси
-
Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем
за авторством: Dranchuk, S. M., та інші
Опубліковано: (2012) -
Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009) -
Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии
за авторством: Круковский, С.И.
Опубліковано: (2002) -
Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2012) -
Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2014)