Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами

• Datum: 2013
• Hauptverfasser: Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Giyasova, F. A., Mirdzhalilova, M. A., Asanova, G. O., Abdulkhaev, O. A., Mukhutdinov, Zh. F.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainian
• Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2013
• Schlagworte: фотодиодные структуры; барьер Шоттки; выпрямляющий переход; двухсторонняя чувствительность
• Online Zugang: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.1.09
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

The article presents the results of studies on silicon photodiode double-barrier structure with back-to-back rectifying junctions «metal — semiconductor» in the photodiode and photovoltaic modes. Such structures are of interest for the development of input devices for weak optical signals.