Buchumschlag

Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами

The article presents the results of studies on silicon photodiode double-barrier structure with back-to-back rectifying junctions «metal — semiconductor» in the photodiode and photovoltaic modes. Such structures are of interest for the development of input devices for weak optical signals.

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2013
Hauptverfasser:	Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Giyasova, F. A., Mirdzhalilova, M. A., Asanova, G. O., Abdulkhaev, O. A., Mukhutdinov, Zh. F.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2013
Schlagworte:	фотодиодные структуры барьер Шоттки выпрямляющий переход двухсторонняя чувствительность
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.1.09
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
von: Sоlоdukha, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Особенности фотоэлектрических характеристик фотоэлектропреобразовательных структур
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2009)

К вопросу о минимизации числа межслойных переходов при трассировке печатных плат
von: Luzin, S. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Оптимизация расположения межслойных переходов на группе проводников
von: Knop, K. A., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Физиологические аспекты проектирования систем скрытой передачи информации на оптическом излучении видимого диапазона
von: Brailovskii, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза
von: Altukhov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Фотодиод ультрафиолетового диапазона на основе селенида цинка
von: Perevertailo, V. L., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током
von: Dobrovolskiy, Yu. G., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Методика определения эффективной площади фоточувствительного элемента фотодиода
von: Butenko, V. K., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра
von: Dobrovol’skii, Yu. G.
Veröffentlicht: (2012)

Study on the formation of current characteristics of a silicon photodiode with rectifying barriers
von: A. V. Karimov, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа
von: Baranov, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

ПАССИВНОЕ СОГЛАСОВАНИЕ В ИЗМЕРИТЕЛЬНЫХ ЦЕПЯХ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ДАТЧИКОВ
von: Луценко, В.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Математическое моделирование токовых состояний водных объектов
von: Каленчук-Порханова, А.А.
Veröffentlicht: (2019)

Замороженный структурный беспорядок в псевдоспиновой модели с барьерами
von: Коварский, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (2000)

О рассеянии поверхностных гравитационных волн тонкими вертикальными барьерами
von: Городецкая, Н.С., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Анизотропный приемник теплового излучения на основе антимонида кадмия
von: Dobrovolskiy, Yu. G., et al.
Veröffentlicht: (2009)

АНАЛИЗ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ ДИАГНОСТИЧЕСКИХ МОДЕЛЕЙ ДЛЯ КОНТРОЛЯ СОСТОЯНИЯ ОБМОТОК ТРАНСФОРМАТОРА ПОД НАГРУЗКОЙ
von: Беляев , В.К., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Цифровые генераторные преобразователи повышенной чувствительности для систем управления и контроля
von: Shakurskiy, V. K., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Моделирование тепловых процессов высокочастотного кремниевого p-i-n-диода
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Предельный переход в псевдоспиновой модели структурного беспорядка с барьерами
von: Коварский, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (1996)

Выбор предпочтительных слоев для проводников при трассировке многослойных печатных плат
von: Petrosjan, G. S., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Механизм регулярных формоизменений микропроволоки при воздействии токовых нагрузок
von: Моисеев, Л.М., et al.
Veröffentlicht: (2003)

ПОВЫШЕНИЕ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЙ СОВМЕСТИМОСТИ ЧАСТОТНО-ТОКОВЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ С НАГРУЗКОЙ
von: Скурятин, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Деградация керамических терморезисторов в режиме импульсных токовых нагрузок
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2000)

ИССЛЕДОВАНИЕ ВЫСОКОЧУВСТВИТЕЛЬНОГО ФОТОПРИЕМНОГО УСТРОЙСТВА НА ОСНОВЕ ЛАВИННОГО ФОТОДИОДА ДЛЯ ОПТОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗМЕРИТЕЛЬНЫХ СИСТЕМ
von: Брагинец, И.А., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Исследование высокочувствительного фотоприемного устройства на основе лавинного фотодиода для оптоэлектронных измерительных систем
von: Брагинец, И.А., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In2Hg3Te6 для диода Шоттки
von: Ashcheulov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Влияние проникающей радиации на параметры кремниевого планарного высокочастотного высоковольтного выпрямительного диода
von: Рахматов, А.З., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Производство фотоэлектрических преобразователей и рынок кремниевого сырья в 2006—2010 гг.
von: Наумов, А.В.
Veröffentlicht: (2006)

Управление падением напряжения кремниевого диода путем облучения электронами и термической обработки
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
von: Yodgorova, D. M., et al.
Veröffentlicht: (2008)