Зображення обкладинки

Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами

The article presents the results of studies on silicon photodiode double-barrier structure with back-to-back rectifying junctions «metal — semiconductor» in the photodiode and photovoltaic modes. Such structures are of interest for the development of input devices for weak optical signals.

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2013
Автори:	Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Giyasova, F. A., Mirdzhalilova, M. A., Asanova, G. O., Abdulkhaev, O. A., Mukhutdinov, Zh. F.
Формат:	Стаття
Мова:	Українська
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2013
Теми:	фотодиодные структуры барьер Шоттки выпрямляющий переход двухсторонняя чувствительность
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.1.09
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

Схожі ресурси

Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2013)

Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
за авторством: Sоlоdukha, V. A., та інші
Опубліковано: (2012)

Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)

Особенности фотоэлектрических характеристик фотоэлектропреобразовательных структур
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2007)

Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)

Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2007)

Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2010)

Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2009)

К вопросу о минимизации числа межслойных переходов при трассировке печатных плат
за авторством: Luzin, S. Yu., та інші
Опубліковано: (2009)

Оптимизация расположения межслойных переходов на группе проводников
за авторством: Knop, K. A., та інші
Опубліковано: (2015)

Физиологические аспекты проектирования систем скрытой передачи информации на оптическом излучении видимого диапазона
за авторством: Brailovskii, V. V., та інші
Опубліковано: (2015)

Волноводно-микрополосковый переход 8-миллиметрового диапазона длин волн
за авторством: Yakovlev, I. V.
Опубліковано: (2007)

Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза
за авторством: Altukhov, A. A., та інші
Опубліковано: (2011)

Фотодиод ультрафиолетового диапазона на основе селенида цинка
за авторством: Perevertailo, V. L., та інші
Опубліковано: (2010)

Методика определения эффективной площади фоточувствительного элемента фотодиода
за авторством: Butenko, V. K., та інші
Опубліковано: (2007)

Study on the formation of current characteristics of a silicon photodiode with rectifying barriers
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2013)

Кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током
за авторством: Dobrovolskiy, Yu. G., та інші
Опубліковано: (2011)

Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра
за авторством: Dobrovol’skii, Yu. G.
Опубліковано: (2012)

Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа
за авторством: Baranov, V. V., та інші
Опубліковано: (2007)

Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)

ПАССИВНОЕ СОГЛАСОВАНИЕ В ИЗМЕРИТЕЛЬНЫХ ЦЕПЯХ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ДАТЧИКОВ
за авторством: Луценко, В.Ю., та інші
Опубліковано: (2012)

Математическое моделирование токовых состояний водных объектов
за авторством: Каленчук-Порханова, А.А.
Опубліковано: (2019)

Замороженный структурный беспорядок в псевдоспиновой модели с барьерами
за авторством: Коварский, В.Л., та інші
Опубліковано: (2000)

О рассеянии поверхностных гравитационных волн тонкими вертикальными барьерами
за авторством: Городецкая, Н.С., та інші
Опубліковано: (2015)

Анизотропный приемник теплового излучения на основе антимонида кадмия
за авторством: Dobrovolskiy, Yu. G., та інші
Опубліковано: (2009)

АНАЛИЗ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ ДИАГНОСТИЧЕСКИХ МОДЕЛЕЙ ДЛЯ КОНТРОЛЯ СОСТОЯНИЯ ОБМОТОК ТРАНСФОРМАТОРА ПОД НАГРУЗКОЙ
за авторством: Беляев , В.К., та інші
Опубліковано: (2013)

Предельный переход в псевдоспиновой модели структурного беспорядка с барьерами
за авторством: Коварский, В.Л., та інші
Опубліковано: (1996)

Цифровые генераторные преобразователи повышенной чувствительности для систем управления и контроля
за авторством: Shakurskiy, V. K., та інші
Опубліковано: (2008)

Моделирование тепловых процессов высокочастотного кремниевого p-i-n-диода
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2014)

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)

Механизм регулярных формоизменений микропроволоки при воздействии токовых нагрузок
за авторством: Моисеев, Л.М., та інші
Опубліковано: (2003)

ПОВЫШЕНИЕ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЙ СОВМЕСТИМОСТИ ЧАСТОТНО-ТОКОВЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ С НАГРУЗКОЙ
за авторством: Скурятин, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2012)

Деградация керамических терморезисторов в режиме импульсных токовых нагрузок
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2000)

ИССЛЕДОВАНИЕ ВЫСОКОЧУВСТВИТЕЛЬНОГО ФОТОПРИЕМНОГО УСТРОЙСТВА НА ОСНОВЕ ЛАВИННОГО ФОТОДИОДА ДЛЯ ОПТОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗМЕРИТЕЛЬНЫХ СИСТЕМ
за авторством: Брагинец, И.А., та інші
Опубліковано: (2016)

Исследование высокочувствительного фотоприемного устройства на основе лавинного фотодиода для оптоэлектронных измерительных систем
за авторством: Брагинец, И.А., та інші
Опубліковано: (2016)

Выбор предпочтительных слоев для проводников при трассировке многослойных печатных плат
за авторством: Petrosjan, G. S., та інші
Опубліковано: (2010)

Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In2Hg3Te6 для диода Шоттки
за авторством: Ashcheulov, A. A., та інші
Опубліковано: (2016)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2008)

Влияние проникающей радиации на параметры кремниевого планарного высокочастотного высоковольтного выпрямительного диода
за авторством: Рахматов, А.З., та інші
Опубліковано: (2011)

Производство фотоэлектрических преобразователей и рынок кремниевого сырья в 2006—2010 гг.
за авторством: Наумов, А.В.
Опубліковано: (2006)