Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами

• Дата: 2013
• Автори: Karimov, A. V., Yodgorova, D. M., Giyasova, F. A., Mirdzhalilova, M. A., Asanova, G. O., Abdulkhaev, O. A., Mukhutdinov, Zh. F.
• Формат: Стаття
• Мова: Ukrainian
• Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2013
• Теми: фотодиодные структуры; барьер Шоттки; выпрямляющий переход; двухсторонняя чувствительность
• Онлайн доступ: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.1.09
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

The article presents the results of studies on silicon photodiode double-barrier structure with back-to-back rectifying junctions «metal — semiconductor» in the photodiode and photovoltaic modes. Such structures are of interest for the development of input devices for weak optical signals.