Buchumschlag

Особенности изготовления Cd1–xZnxTe-детектора ионизирующего излучения

The article describes a newly-developed method of manufacturing of an operating element of the Cd1–xZnxTe-detector of ionizing radiation with high sensitivity to low-energy gamma radiation of the americium 241Am radioactive isotope. The proposed two-step method of chemical surface treatment...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2013
Hauptverfasser:	Tomashik, Z. F., Stratiichuk, I. B., Tomashik, V. N., Budzulyak, S. I., Gnativ, І. І., Komar, V. K., Dubina, N. G., Lots’ko , A. P., Korbutyak, D. V., Demchina, L. A., Vakhnyak, N. D.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2013
Schlagworte:	детектор ионизирующего излучения полупроводник химическое травление химико-динамическое полирование химико-механическое полирование
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.1.42
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Формирование полированной поверхности халькогенидов Bi и Sb в травильных композициях K2Cr2O7–HBr
von: Pavlovich, I. I., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch
von: Iatsunskyi, I. R.
Veröffentlicht: (2013)

Особенности изготовления Cd1-xZnxTe-детектора ионизирующего излучения
von: Томашик, З.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Features of manufacturing Cd1–xZnxTe ionizing radiation detector
von: Z. F. Tomashik, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
von: Andronova, О. V., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Analysis of luminescence method for determination of Cd₁₋xZnxTe composition
von: Glinchuk, K.D., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Analysis of luminescence method applicability for determination of Cd₁₋xZnxTe composition
von: Glinchuk, K.D., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Влияние плазмохимического травления на структуру поверхности кремниевых пластин фотоэлектрических преобразователей
von: Polozov, B. P., et al.
Veröffentlicht: (2006)

МАГНИТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ДВИГАТЕЛЬ ВОЗВРАТНО-ВРАЩАТЕЛЬНОГО ДВИЖЕНИЯ С УПРУГОЙ СВЯЗЬЮ РОТОРА
von: Антонов, А.Е., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Фотоэлектростимулированная пассивация спектрометрических Cd1–xZnxTe-детекторов
von: Zagoruiko, Yu. A., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Фотоэлектростимулированная пассивация спектрометрических Cd1–xZnxTe-детекторов
von: Загоруйко, Ю.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Analysis of photoluminescence of p-Cd1–xZnxTe crystals irradiated by y-quanta
von: N. M. Litovchenko, et al.
Veröffentlicht: (2010)

Конденсаторы на основе интеркалата GaSe
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Влияние длительности спекания на микроструктуру и электрические свойства низковольтной варисторной керамики на основе оксида цинка
von: Lyashkov, A. Yu.
Veröffentlicht: (2018)

Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
von: Borisenko, A. G., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Механизм управления фоточувствительностью полевого фототранзистора
von: Yodgorova, D. М.
Veröffentlicht: (2006)

Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
von: Boltovets, M. S., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Анализ фотолюминесценции кристаллов p-Cd1–xZnxTe, облученных гамма-квантами
von: Литовченко, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Наноструктурированные антидиффузионные слои в контактах к широкозонным полупроводникам
von: Kudryk, Ya. Ya.
Veröffentlicht: (2013)

Методика и установка для определения теплопроводности полупроводников с использованием лучистой энергии
von: Gurbanniyazov, M. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Growing the high-resistive Cd₁₋xZnxTe single crystals from a vapor phase
von: Feychuk, P., et al.
Veröffentlicht: (2005)

State of Cd₁₋xZnxTe and Cd₁₋xMnxTe surface depending on treatment type
von: Dremlyuzhenko, S.G., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Structural and microstructural properties of Cd₁-xZnxTe films deposited by close spaced vacuum sublimation
von: Znamenshchykov, Y.V., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Interaction of the ZnxCd1-xTe and Cd0.2Hg0.8Te solid solutions with NaNO2–NI–lactic acid etchants
von: R. A. Denisjuk, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Laser ablation and photostimulated passivation of Cd₁₋ₓZnₓTe crystals
von: Zagoruiko, Yu.A., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Dissolution of indium arsenide in nitric solutions of the hydrobromic acid
von: Tomashik, Z.F., et al.
Veröffentlicht: (1999)

Особенности трансформации примесно-дефектных комплексов в CdTe:Cl под воздействием СВЧ-облучения
von: Budzulyak, S. I., et al.
Veröffentlicht: (2014)

КОМПЬЮТЕРНЫЙ АНАЛИЗ ЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИХ НАПРЯЖЕНИЙ В ПОЛИЭТИЛЕНОВОЙ ИЗОЛЯЦИИ СИЛОВОГО КАБЕЛЯ ПРИ НАЛИЧИИ МИКРОВКЛЮЧЕНИЙ
von: Кучерявая, И.Н.
Veröffentlicht: (2012)

Thermographical monitoring of structure transformations in Cd₁-ₓZnₓTe milts
von: Feychuk, P.I., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Герметизированные модули кремниевых детекторов ионизирующего излучения
von: Васильев, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Chemical dynamic polishing CdTe and CdxHg₁–xTe single crystals by using solutions of H₂O₂–HCl–tartaric acid system
von: Tomashik, Z.F., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Chemical etching of ZnSe crystal surfaced by the H2O2–HBr– acetic acid solutions
von: A. S. Stanetskaja, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Chemical dissolution of indium arsenide in the Br₂-HBr solutions
von: Tomashik, Z.F., et al.
Veröffentlicht: (1999)

On determination of Cd1–xZnxTe composition from an analysis of the 4.2, 77 and 295 K edge photoluminescence spectra
von: K. D. Glinchuk, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n-GaAs
von: Melebayew, D., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Исследование моделей родиевого эмиттера детектора прямого заряда
von: Борисенко, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Численный анализ источников ионизирующего излучения камер деления
von: Канченко, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

МУЛЬТИФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ ПРИ ЭЛЕКТРОИСКРОВОЙ ОБРАБОТКЕ ТОКОПРОВОДЯЩИХ ГРАНУЛ
von: Кучерявая, И.Н.
Veröffentlicht: (2017)

Plasma treatment of Cd₁₋ₓZnₓTe (x ~ 0.04) single crystals
von: Smirnov, A.B.
Veröffentlicht: (2011)

Formation of polished surface of PbTe and Pb1-xSnxTe semiconductor plates PbTe y Pb1–xSnxTe
von: G. P. Malanich, et al.
Veröffentlicht: (2018)