Вплив вмісту домішок та структурних дефектів на властивості детектора на основі Cd0.9Mn0.1Te:V

The paper highlights the results of quantitative studies of the influence of the content of impurities and structural defects on the electrophysical and detector properties of Cd0.9Mn0.1Te:V — resistivity and concentrations of free charge carriers, life time of nonequilibrium charge carriers τ, char...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2023
Hauptverfasser:	Kondrik, Оleksandr, Solopikhin, Dmitriy
Format:	Artikel
Sprache:	English
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2023
Schlagworte:	CdMnTe властивості детектора моделювання дефекти структури глибокі рівні
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2023.3-4.52
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

id	oai:tkea.com.ua:article-41
record_format	ojs
spelling	oai:tkea.com.ua:article-412025-08-11T09:08:27Z Influence of the content of impurities and structural defects on the properties of the Cd0.9Mn0.1Te:V-based detector Вплив вмісту домішок та структурних дефектів на властивості детектора на основі Cd0.9Mn0.1Te:V Kondrik, Оleksandr Solopikhin, Dmitriy CdMnTe detector properties simulation structure defects deep levels CdMnTe властивості детектора моделювання дефекти структури глибокі рівні The paper highlights the results of quantitative studies of the influence of the content of impurities and structural defects on the electrophysical and detector properties of Cd0.9Mn0.1Te:V — resistivity and concentrations of free charge carriers, life time of nonequilibrium charge carriers τ, charge collection efficiency η. The optimal ranges of energy change and deep donor concentration, which ensure a high-resistive state and acceptable values of τ and η, are established. The authors study the compensation of cadmium vacancies with vanadium admixture. Досліджено перспективний матеріал Cd0.9Mn0.1Te:V, призначений для працюючих за кімнатної температури детекторів рентгенівського та гамма-випромінювання. Отримано результати кількісних досліджень впливу вмісту домішок та структурних дефектів на електрофізичні та детекторні властивості Cd0.9Mn0.1Te:V. Проведено аналіз обчислених величин питомого опору ρ та концентрацій вільних носіїв заряду, часу життя нерівноважних носіїв заряду τ, ефективності збирання зарядів η за різного складу домішок та дефектів у цьому матеріалі за температури 20°C. Встановлено оптимальні діапазони зміни енергії ED та концентрації глибокого донора ND, які забезпечують високоомний стан й прийнятні величини τ та η. Досліджено компенсацію вакансій кадмію домішкою ванадію. Зроблено припущення щодо причини відносно малої величини η та низької роздільності основних фотопіків в амплітудних спектрах детекторів на основі CdMnTe. Сформульовано напрямок подальших досліджень з метою з'ясування конкретних чинників деградації детекторних властивостей матеріалу під впливом внесених та фонових домішок. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2023-12-19 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2023.3-4.52 10.15222/TKEA2023.3-4.52 Technology and design in electronic equipment; No. 3–4 (2023): Technology and design in electronic equipment; 52-58 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 3–4 (2023): Технологія та конструювання в електронній апаратурі; 52-58 3083-6549 3083-6530 10.15222/TKEA2023.3-4 en https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2023.3-4.52/35 Copyright (c) 2023 Оleksandr Kondrik, Dmitriy Solopikhin http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
institution	Technology and design in electronic equipment
baseUrl_str
datestamp_date	2025-08-11T09:08:27Z
collection	OJS
language	English
topic	CdMnTe властивості детектора моделювання дефекти структури глибокі рівні
spellingShingle	CdMnTe властивості детектора моделювання дефекти структури глибокі рівні Kondrik, Оleksandr Solopikhin, Dmitriy Вплив вмісту домішок та структурних дефектів на властивості детектора на основі Cd0.9Mn0.1Te:V
topic_facet	CdMnTe detector properties simulation structure defects deep levels CdMnTe властивості детектора моделювання дефекти структури глибокі рівні
format	Article
author	Kondrik, Оleksandr Solopikhin, Dmitriy
author_facet	Kondrik, Оleksandr Solopikhin, Dmitriy
author_sort	Kondrik, Оleksandr
title	Вплив вмісту домішок та структурних дефектів на властивості детектора на основі Cd0.9Mn0.1Te:V
title_short	Вплив вмісту домішок та структурних дефектів на властивості детектора на основі Cd0.9Mn0.1Te:V
title_full	Вплив вмісту домішок та структурних дефектів на властивості детектора на основі Cd0.9Mn0.1Te:V
title_fullStr	Вплив вмісту домішок та структурних дефектів на властивості детектора на основі Cd0.9Mn0.1Te:V
title_full_unstemmed	Вплив вмісту домішок та структурних дефектів на властивості детектора на основі Cd0.9Mn0.1Te:V
title_sort	вплив вмісту домішок та структурних дефектів на властивості детектора на основі cd0.9mn0.1te:v
title_alt	Influence of the content of impurities and structural defects on the properties of the Cd0.9Mn0.1Te:V-based detector
description	The paper highlights the results of quantitative studies of the influence of the content of impurities and structural defects on the electrophysical and detector properties of Cd0.9Mn0.1Te:V — resistivity and concentrations of free charge carriers, life time of nonequilibrium charge carriers τ, charge collection efficiency η. The optimal ranges of energy change and deep donor concentration, which ensure a high-resistive state and acceptable values of τ and η, are established. The authors study the compensation of cadmium vacancies with vanadium admixture.
publisher	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
publishDate	2023
url	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2023.3-4.52
work_keys_str_mv	AT kondrikoleksandr influenceofthecontentofimpuritiesandstructuraldefectsonthepropertiesofthecd09mn01tevbaseddetector AT solopikhindmitriy influenceofthecontentofimpuritiesandstructuraldefectsonthepropertiesofthecd09mn01tevbaseddetector AT kondrikoleksandr vplivvmístudomíšoktastrukturnihdefektívnavlastivostídetektoranaosnovícd09mn01tev AT solopikhindmitriy vplivvmístudomíšoktastrukturnihdefektívnavlastivostídetektoranaosnovícd09mn01tev
first_indexed	2025-09-24T17:30:17Z
last_indexed	2025-09-24T17:30:17Z
_version_	1844167329906163712

Вплив вмісту домішок та структурних дефектів на властивості детектора на основі Cd0.9Mn0.1Te:V

Institution

Ähnliche Einträge