Вплив вмісту домішок та структурних дефектів на властивості детектора на основі Cd0.9Mn0.1Te:V
The paper highlights the results of quantitative studies of the influence of the content of impurities and structural defects on the electrophysical and detector properties of Cd0.9Mn0.1Te:V — resistivity and concentrations of free charge carriers, life time of nonequilibrium charge carriers τ, char...
Saved in:
| Date: | 2023 |
|---|---|
| Main Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2023
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2023.3-4.52 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1856543723443191808 |
|---|---|
| author | Kondrik, Оleksandr Solopikhin, Dmitriy |
| author_facet | Kondrik, Оleksandr Solopikhin, Dmitriy |
| author_sort | Kondrik, Оleksandr |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2025-08-11T09:08:27Z |
| description | The paper highlights the results of quantitative studies of the influence of the content of impurities and structural defects on the electrophysical and detector properties of Cd0.9Mn0.1Te:V — resistivity and concentrations of free charge carriers, life time of nonequilibrium charge carriers τ, charge collection efficiency η. The optimal ranges of energy change and deep donor concentration, which ensure a high-resistive state and acceptable values of τ and η, are established. The authors study the compensation of cadmium vacancies with vanadium admixture. |
| first_indexed | 2025-09-24T17:30:17Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-41 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| language | English |
| last_indexed | 2025-09-24T17:30:17Z |
| publishDate | 2023 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-412025-08-11T09:08:27Z Influence of the content of impurities and structural defects on the properties of the Cd0.9Mn0.1Te:V-based detector Вплив вмісту домішок та структурних дефектів на властивості детектора на основі Cd0.9Mn0.1Te:V Kondrik, Оleksandr Solopikhin, Dmitriy CdMnTe detector properties simulation structure defects deep levels CdMnTe властивості детектора моделювання дефекти структури глибокі рівні The paper highlights the results of quantitative studies of the influence of the content of impurities and structural defects on the electrophysical and detector properties of Cd0.9Mn0.1Te:V — resistivity and concentrations of free charge carriers, life time of nonequilibrium charge carriers τ, charge collection efficiency η. The optimal ranges of energy change and deep donor concentration, which ensure a high-resistive state and acceptable values of τ and η, are established. The authors study the compensation of cadmium vacancies with vanadium admixture. Досліджено перспективний матеріал Cd0.9Mn0.1Te:V, призначений для працюючих за кімнатної температури детекторів рентгенівського та гамма-випромінювання. Отримано результати кількісних досліджень впливу вмісту домішок та структурних дефектів на електрофізичні та детекторні властивості Cd0.9Mn0.1Te:V. Проведено аналіз обчислених величин питомого опору ρ та концентрацій вільних носіїв заряду, часу життя нерівноважних носіїв заряду τ, ефективності збирання зарядів η за різного складу домішок та дефектів у цьому матеріалі за температури 20°C. Встановлено оптимальні діапазони зміни енергії ED та концентрації глибокого донора ND, які забезпечують високоомний стан й прийнятні величини τ та η. Досліджено компенсацію вакансій кадмію домішкою ванадію. Зроблено припущення щодо причини відносно малої величини η та низької роздільності основних фотопіків в амплітудних спектрах детекторів на основі CdMnTe. Сформульовано напрямок подальших досліджень з метою з'ясування конкретних чинників деградації детекторних властивостей матеріалу під впливом внесених та фонових домішок. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2023-12-19 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2023.3-4.52 10.15222/TKEA2023.3-4.52 Technology and design in electronic equipment; No. 3–4 (2023): Technology and design in electronic equipment; 52-58 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 3–4 (2023): Технологія та конструювання в електронній апаратурі; 52-58 3083-6549 3083-6530 10.15222/TKEA2023.3-4 en https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2023.3-4.52/35 Copyright (c) 2023 Оleksandr Kondrik, Dmitriy Solopikhin http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | CdMnTe властивості детектора моделювання дефекти структури глибокі рівні Kondrik, Оleksandr Solopikhin, Dmitriy Вплив вмісту домішок та структурних дефектів на властивості детектора на основі Cd0.9Mn0.1Te:V |
| title | Вплив вмісту домішок та структурних дефектів на властивості детектора на основі Cd0.9Mn0.1Te:V |
| title_alt | Influence of the content of impurities and structural defects on the properties of the Cd0.9Mn0.1Te:V-based detector |
| title_full | Вплив вмісту домішок та структурних дефектів на властивості детектора на основі Cd0.9Mn0.1Te:V |
| title_fullStr | Вплив вмісту домішок та структурних дефектів на властивості детектора на основі Cd0.9Mn0.1Te:V |
| title_full_unstemmed | Вплив вмісту домішок та структурних дефектів на властивості детектора на основі Cd0.9Mn0.1Te:V |
| title_short | Вплив вмісту домішок та структурних дефектів на властивості детектора на основі Cd0.9Mn0.1Te:V |
| title_sort | вплив вмісту домішок та структурних дефектів на властивості детектора на основі cd0.9mn0.1te:v |
| topic | CdMnTe властивості детектора моделювання дефекти структури глибокі рівні |
| topic_facet | CdMnTe detector properties simulation structure defects deep levels CdMnTe властивості детектора моделювання дефекти структури глибокі рівні |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2023.3-4.52 |
| work_keys_str_mv | AT kondrikoleksandr influenceofthecontentofimpuritiesandstructuraldefectsonthepropertiesofthecd09mn01tevbaseddetector AT solopikhindmitriy influenceofthecontentofimpuritiesandstructuraldefectsonthepropertiesofthecd09mn01tevbaseddetector AT kondrikoleksandr vplivvmístudomíšoktastrukturnihdefektívnavlastivostídetektoranaosnovícd09mn01tev AT solopikhindmitriy vplivvmístudomíšoktastrukturnihdefektívnavlastivostídetektoranaosnovícd09mn01tev |