Buchumschlag

Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами

The article describes the research of the influence of electrons with an effective energy of 12 MeV in the 0,33–33 Mrad dose range on the electrical and photovoltaic properties of photodiodes with «intrinsic oxide — p-InSe» structure. It has been found that the minimum dose improves their basic para...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2012
Hauptverfasser:	Sydor, O. N., Sydor, O. A., Kovalyuk, Z. D., Dubinko, V. I.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2012
Schlagworte:	слоистые кристаллы селенид индия фотодиод высокоэнергетические электроны радиационные дефекты
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.6.29
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
von: Kudrynskyi, Z. R., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO – p-InSe
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Подвижность дислокаций в кристаллах LiF, облученных высокоэнергетическими электронами
von: Малик, А.К., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Investigation of InS-InSe heterojunctions prepared using sulphurization of p-InSe
von: Z. D. Kovalyuk, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Confinement effects on decay rate of surface electron states over liquid helium
von: Sokolov, S.S., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Photoresonance and conductivity of surface electrons on liquid ³He
von: Konstantinov, D., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Dynamical structure factor of two-dimensional electrons over a helium film
von: Patricia Cristina Venturini, et al.
Veröffentlicht: (2008)

Electron attachment to atomic hydrogen on the surface of liquid ⁴He
von: Arai, T., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Радиационное упрочнение облученных электронами сплавов Н36 и Н36Т2
von: Данилов, С.Е., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Electrical and photoelectrical properties of n-InSe/p-CuInSe₂ optical contact
von: Kovalyuk, Z.D., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Изохронный отжиг сплавов Zr-Sc и Zr-Y, облученных 2 МэВ электронами
von: Борисенко, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Ненакаливаемые катоды на основе углеродных наноструктурированных слоистых структур
von: Belyanin, A. F., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Собственный капитал предприятия: проблемы отражения в учетной политике
von: Зинова, Ю.В.
Veröffentlicht: (2007)

Высокотемпературная люминесценция кристаллов ZnSe:Yb
von: Makhniy, V. P., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев
von: Kurmashev, Sh. D., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Формирование наноструктур оксид никеля—оксид индия методом CVD
von: Герасимчук, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Особенности разработки термостабилизированных германиевых фотодиодов
von: Рюхтин, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Oscillation mode transformation of edge magnetoplasmons in two-dimensional electron system on liquid-helium surface
von: Yamanaka, Shuji, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Низкочастотные аномалии эффективной массы заряженных кластеров в жидком гелии
von: Шикин, В.
Veröffentlicht: (2013)

Фотодиод ультрафиолетового диапазона на основе селенида цинка
von: Perevertailo, V. L., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра
von: Dobrovol’skii, Yu. G.
Veröffentlicht: (2012)

Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения
von: Perevertailo, V. L.
Veröffentlicht: (2012)

Каталитические и поверхностные свойства двойной системы оксид меди - оксид цинка
von: Бондарь, П.Г., et al.
Veröffentlicht: (1983)

Resonant tunneling of electrons in quantum wires
von: Krive, I.V., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Действие электрического поля на квантованные вихри в He II
von: Нацик, В.Д.
Veröffentlicht: (2007)

Возможное образование автолокализованного состояния квазиодномерных поверхностных электронов в плотном гелиевом паре
von: Николаенко, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Кинетика зародышеобразования при структурном ОЦК–ГПУ переходе в твердом гелии
von: Бирченко, А.П., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Смешанный сценарий реконструкции заряженной поверхности гелия
von: Шикин, В., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Microwave-resonance-induced magnetooscillations and vanishing resistance states in multisubband two-dimensional electron systems
von: Monarkha, Yu.P.
Veröffentlicht: (2011)

Квантовая турбулентность: коэффициент сопротивления при колебаниях погруженного в He II кварцевого камертона
von: Гриценко, И., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Ползучесть твердого ⁴Не при температурах ниже 1 К
von: Жучков, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2015)

О возможности рождения вихрей в сверхтекучих системах скрещенными однородным магнитным и неоднородным электрическим полями
von: Шевченко, С.И.
Veröffentlicht: (2013)

Формирование низкочастотных гармоник на поверхности жидкого водорода и гелия в турбулентном режиме
von: Абдурахимов, Л.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Об электрических явлениях в электронейтральных сверхтекучих системах
von: Шевченко, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током
von: Dobrovolskiy, Yu. G., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Ч. 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
von: Boltovets, N. S., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
von: Novitskyi, S. V.
Veröffentlicht: (2012)

Система измерения магнитного поля и температуры с цифровой обработкой сигнала
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Двухфункциональный датчик давления-температуры на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2013)