Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
The article describes the research of the influence of electrons with an effective energy of 12 MeV in the 0,33–33 Mrad dose range on the electrical and photovoltaic properties of photodiodes with «intrinsic oxide — p-InSe» structure. It has been found that the minimum dose improves their basic para...
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2012
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.6.29 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipmentСхожі ресурси
Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
за авторством: Сидор, О.Н., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Сидор, О.Н., та інші
Опубліковано: (2012)
Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO – p-InSe
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2015)
Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
за авторством: Kudrynskyi, Z. R., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Kudrynskyi, Z. R., та інші
Опубліковано: (2012)
Особенности разработки термостабилизированных германиевых фотодиодов
за авторством: Ryuhtin, V. V., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Ryuhtin, V. V., та інші
Опубліковано: (2004)
Подвижность дислокаций в кристаллах LiF, облученных высокоэнергетическими электронами
за авторством: Малик, А.К., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Малик, А.К., та інші
Опубліковано: (2003)
Особенности топологии поверхности слоистых кристаллов In₄Se₃
за авторством: Balitsky, A. A.
Опубліковано: (2006)
за авторством: Balitsky, A. A.
Опубліковано: (2006)
3D слоистые структуры в качестве основы ненакаливаемых катодов и активных элементов фотодиодов
за авторством: Belyanin, A. F., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Belyanin, A. F., та інші
Опубліковано: (2005)
Особенности радиационного повреждения кремниевых детекторов высокоэнергетическими электронами
за авторством: Маслов, Н.И., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Маслов, Н.И., та інші
Опубліковано: (2002)
Особенности радиационного повреждения кремниевых детекторов высокоэнергетическими электронами
за авторством: Маслов, Н.И., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Маслов, Н.И., та інші
Опубліковано: (2002)
Investigation of InS-InSe heterojunctions prepared using sulphurization of p-InSe
за авторством: Z. D. Kovalyuk, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Z. D. Kovalyuk, та інші
Опубліковано: (2012)
Investigation of InS-InSe heterojunctions prepared using sulphurization of p-InSe
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2012)
Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2005)
Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2004)
Ионизационные механизмы генерации радиационных дефектов в кристаллах LiF при облучении высокоэнергетическими электронами
за авторством: Неклюдов, И.М., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Неклюдов, И.М., та інші
Опубліковано: (2009)
Electrical and photoelectrical properties of n-InSe/p-CuInSe₂ optical contact
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2004)
Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел–InSe–окисел"
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2005)
Confinement effects on decay rate of surface electron states over liquid helium
за авторством: Sokolov, S.S., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Sokolov, S.S., та інші
Опубліковано: (2008)
Photoresonance and conductivity of surface electrons on liquid ³He
за авторством: Konstantinov, D., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Konstantinov, D., та інші
Опубліковано: (2008)
Electron attachment to atomic hydrogen on the surface of liquid ⁴He
за авторством: Arai, T., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Arai, T., та інші
Опубліковано: (2008)
Dynamical structure factor of two-dimensional electrons over a helium film
за авторством: Patricia Cristina Venturini, та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Patricia Cristina Venturini, та інші
Опубліковано: (2008)
Dip-эффект в проводимости 2D-электронов на пленке гелия с шероховатой подложкой
за авторством: Лейдерер, П., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Лейдерер, П., та інші
Опубліковано: (2008)
Радиационное упрочнение облученных электронами сплавов Н36 и Н36Т2
за авторством: Данилов, С.Е., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Данилов, С.Е., та інші
Опубліковано: (2005)
Оптимизация геометрических характеристик p–n-структур для оптоэлектроники
за авторством: Vikulin, I. М., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Vikulin, I. М., та інші
Опубліковано: (2004)
Изохронный отжиг сплавов Zr-Sc и Zr-Y, облученных 2 МэВ электронами
за авторством: Борисенко, В.Н., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Борисенко, В.Н., та інші
Опубліковано: (2008)
Ненакаливаемые катоды на основе углеродных наноструктурированных слоистых структур
за авторством: Belyanin, A. F., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Belyanin, A. F., та інші
Опубліковано: (2013)
Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2004)
Высокотемпературная люминесценция кристаллов ZnSe:Yb
за авторством: Makhniy, V. P., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Makhniy, V. P., та інші
Опубліковано: (2016)
Собственный капитал предприятия: проблемы отражения в учетной политике
за авторством: Зинова, Ю.В.
Опубліковано: (2007)
за авторством: Зинова, Ю.В.
Опубліковано: (2007)
Изохронный отжиг сплавов Zr-La, Zr-Dy и Zr-Gd, облученных 2 МэВ электронами
за авторством: Борисенко, В.Н., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Борисенко, В.Н., та інші
Опубліковано: (2007)
Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев
за авторством: Kurmashev, Sh. D., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Kurmashev, Sh. D., та інші
Опубліковано: (2014)
Акустостимулированное понижение температуры отжига радиационных дефектов в кристаллах Ge
за авторством: Olikh, Ja. M., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Olikh, Ja. M., та інші
Опубліковано: (2004)
Низкочастотные аномалии эффективной массы заряженных кластеров в жидком гелии
за авторством: Шикин, В.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Шикин, В.
Опубліковано: (2013)
Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллимитровых длин волн
за авторством: Ivanov, V. N., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Ivanov, V. N., та інші
Опубліковано: (2006)
Oscillation mode transformation of edge magnetoplasmons in two-dimensional electron system on liquid-helium surface
за авторством: Yamanaka, Shuji, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Yamanaka, Shuji, та інші
Опубліковано: (2013)
Поляронное состояние поверхностных электронов над гелием, покрывающим cтруктурированную подложку
за авторством: Смородин, А.В., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Смородин, А.В., та інші
Опубліковано: (2013)
The fine structure of microwave-induced magneto-oscillations in photoconductivity of the two-dimensional electron system formed on a liquid-helium surface
за авторством: Monarkha, Yu.P.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Monarkha, Yu.P.
Опубліковано: (2013)
Фотодиод ультрафиолетового диапазона на основе селенида цинка
за авторством: Perevertailo, V. L., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Perevertailo, V. L., та інші
Опубліковано: (2010)
Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра
за авторством: Dobrovol’skii, Yu. G.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Dobrovol’skii, Yu. G.
Опубліковано: (2012)
Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения
за авторством: Perevertailo, V. L.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Perevertailo, V. L.
Опубліковано: (2012)
Получение наноструктурированных пленок AlN и ZnO и их применение в электронной технике
за авторством: Belyanin, A. F., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Belyanin, A. F., та інші
Опубліковано: (2005)