Зображення обкладинки

Получение тонких пленок Si3N4 при пониженном давлении на пластинах диаметром до 200 мм

The influence of silicon nitride deposition condition on parameters of the obtained films has been investigated. It has been found that the deposition rate of silicon nitride films decreases with deposition temperature decreasing, and at the same time the within wafer thickness uniformity improves....

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2012
Автори:	Nalivaiko, O. Yu., Turtsevich, A. S.
Формат:	Стаття
Мова:	Українська
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2012
Теми:	нитрид кремния конденсаторный диэлектрик осаждение тонких пленок
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.6.34
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

Схожі ресурси

Получение тонких пленок Si₃N₄ при пониженном давлении на пластинах диаметром до 200 мм
за авторством: Наливайко, О.Ю., та інші
Опубліковано: (2012)

Получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов
за авторством: Turtsevich, A. S.
Опубліковано: (2008)

Осаждение пленок борофосфоросиликатного стекла с использованием системы ТЭОС – диметилфосфит – триметилборат
за авторством: Turtsevich, A. S., та інші
Опубліковано: (2015)

Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пленок поликристаллического кремния, легированных фосфором в процессе роста
за авторством: Nalivaiko, O. Yu., та інші
Опубліковано: (2009)

Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом плазмохимического осаждения на кремниевую подложку
за авторством: Rubtsevich, I. I., та інші
Опубліковано: (2011)

Газочувствительные элементы на основе пленок SiPcCl2
за авторством: Alieva, Kh. S., та інші
Опубліковано: (2010)

Кинетика процессов осаждения пленок поликремния, легированного кислородом в процессе роста
за авторством: Nalivaiko, O. Yu., та інші
Опубліковано: (2012)

Поглотители СВЧ-энергии с высокой теплопроводностью на основе AlN и SiC с добавками молибдена
за авторством: Chasnyk, V. I., та інші
Опубліковано: (2014)

Оптоэлектронные свойства в гидрогенизированных тонких пленках a-Si1−xGex:H (x = 0−1), полученных плазмохимическим осаждением
за авторством: Najafov, B. A., та інші
Опубліковано: (2018)

Применение технологии тонких пленок и наноструктурированных материалов при изготовлении теплонагруженных печатных плат
за авторством: Sakhno, E. A., та інші
Опубліковано: (2011)

Оптимизация конструкции мембранных датчиков
за авторством: Rubcevich, I. I., та інші
Опубліковано: (2009)

Прогнозирование параметров стеклокерамики со стеклокристаллической матрицей для разных соотношений компонентов и режимов спекания
за авторством: Dmitriev, M. V., та інші
Опубліковано: (2009)

Прогнозирование диэлектрических свойств некристаллизующейся моноармированной полиматричной стеклокерамики
за авторством: Dmitriev, M. V., та інші
Опубліковано: (2008)

Оптический датчик температуры на основе нанокристаллической пленки SiC
за авторством: Lopin, A. V., та інші
Опубліковано: (2007)

Оптоэлектронные свойства тонких пленок гидрогенизированного аморфного кремния-углерода и нанокристаллического кремния
за авторством: Najafov, B. A., та інші
Опубліковано: (2018)

Двухпараметрические динамические солитоны в тонких упругих пластинах
за авторством: Ковалев, А.С., та інші
Опубліковано: (2010)

О рациональной компоновке бурильной колонны для бурения скважин диаметром 76 мм
за авторством: Кожевников, А.А., та інші
Опубліковано: (2007)

Зависимость диэлектрической проницаемости кристаллизующейся фазы стеклокерамики от времени спекания
за авторством: Dmitriyev, M. V., та інші
Опубліковано: (2010)

Оценка параметров компонентов моноармированой стеклокерамики со стеклокристаллической матрицей
за авторством: Dmitriev, M. V., та інші
Опубліковано: (2009)

Способ определения доли кристаллов в стеклокерамическом диэлектрике
за авторством: Dmitriev, M. V., та інші
Опубліковано: (2009)

Прибор и методы измерения параметров и степени однородности пленочных структур
за авторством: Makara, V. A., та інші
Опубліковано: (2009)

Мiкроструктура тонких композитних плiвок Si–Sn
за авторством: Neimash, V. B., та інші
Опубліковано: (2018)

Распределение дефектов в тонких полупроводниковых пластинах при низкотемпературной деформации
за авторством: Уколов, А.И., та інші
Опубліковано: (2013)

Разработка и исследование технологии выплавки слитка ЭШП диаметром 800 мм без поверхностных дефектов
за авторством: Давидченко, С.В., та інші
Опубліковано: (2010)

Получение и свойства пористого карбида кремния
за авторством: Svetlichnaya, L. A., та інші
Опубліковано: (2005)

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
за авторством: Semenov, A. V., та інші
Опубліковано: (2012)

Способ электродугового восстановления кремния
за авторством: Solovyov, O. V., та інші
Опубліковано: (2005)

Нанесение тонких пленок в вакууме на подложки из синтетического опала
за авторством: Panfilov, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2005)

ЗАВИСИМОСТЬ ВОЗМУЩЕНИЙ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ В ДИЭЛЕКТРИКЕ ОТ ДИСПЕРСНОСТИ БЛИЗКО РАСПОЛОЖЕННЫХ ВОДНЫХ МИКРОВКЛЮЧЕНИЙ
за авторством: Щерба , М.А., та інші
Опубліковано: (2014)

О повышении надежности трубопроводов АЭС диаметром 325 мм из стали 08Х18Н10Т
за авторством: Вахрушева, В.С., та інші
Опубліковано: (2005)

Низкоразмерные кристаллы кремния для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2011)

Газоанализаторы на основе пористого карбида кремния
за авторством: Moskovchenko, N. N., та інші
Опубліковано: (2006)

Исследование астрометрических параметров 200-мм рефрактора АО ХГУ
за авторством: Павленко, П.П., та інші
Опубліковано: (1990)

Получение оксидных молибденовых бронз в условиях высоких давлений
за авторством: Стратийчук, Д.А.
Опубліковано: (2010)

Влияние толщины и температуры пленок фталоцианина меди на их свойства
за авторством: Alieva, Kh. S.
Опубліковано: (2012)

Электроосаждение конформных электродов для получения туннельного перехода с вакуумным нанозазором
за авторством: Djanghidze, L. B., та інші
Опубліковано: (2009)

Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
за авторством: Borisenko, A. G., та інші
Опубліковано: (2005)

ВПЛИВ ГРАНИЧНИХ УМОВ НА КОНЦЕНТРАЦІЮ НАПРУЖЕНЬ В ТОНКИХ ФУНКЦІОНАЛЬНО-ГРАДІЄНТНИХ ПЛАСТИНАХ З КРУГОВИМ ОТВОРОМ
за авторством: TEROKHIN, B. I.
Опубліковано: (2025)

Солитоны в упругих пластинах
за авторством: Ковалев, А.С., та інші
Опубліковано: (2002)

Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
за авторством: Boltovets, M. S., та інші
Опубліковано: (2009)