Зображення обкладинки

Получение тонких пленок Si3N4 при пониженном давлении на пластинах диаметром до 200 мм

The influence of silicon nitride deposition condition on parameters of the obtained films has been investigated. It has been found that the deposition rate of silicon nitride films decreases with deposition temperature decreasing, and at the same time the within wafer thickness uniformity improves....

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2012
Автори:	Nalivaiko, O. Yu., Turtsevich, A. S.
Формат:	Стаття
Мова:	Українська
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2012
Теми:	нитрид кремния конденсаторный диэлектрик осаждение тонких пленок
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.6.34
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

Схожі ресурси

Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом плазмохимического осаждения на кремниевую подложку
за авторством: Rubtsevich, I. I., та інші
Опубліковано: (2011)

Газочувствительные элементы на основе пленок SiPcCl2
за авторством: Alieva, Kh. S., та інші
Опубліковано: (2010)

Осаждение пленок борофосфоросиликатного стекла с использованием системы ТЭОС – диметилфосфит – триметилборат
за авторством: Turtsevich, A. S., та інші
Опубліковано: (2015)

Получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов
за авторством: Turtsevich, A. S.
Опубліковано: (2008)

Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пленок поликристаллического кремния, легированных фосфором в процессе роста
за авторством: Nalivaiko, O. Yu., та інші
Опубліковано: (2009)

Применение технологии тонких пленок и наноструктурированных материалов при изготовлении теплонагруженных печатных плат
за авторством: Sakhno, E. A., та інші
Опубліковано: (2011)

Кинетика процессов осаждения пленок поликремния, легированного кислородом в процессе роста
за авторством: Nalivaiko, O. Yu., та інші
Опубліковано: (2012)

Поглотители СВЧ-энергии с высокой теплопроводностью на основе AlN и SiC с добавками молибдена
за авторством: Chasnyk, V. I., та інші
Опубліковано: (2014)

Оптимизация конструкции мембранных датчиков
за авторством: Rubcevich, I. I., та інші
Опубліковано: (2009)

Влияние толщины и температуры пленок фталоцианина меди на их свойства
за авторством: Alieva, Kh. S.
Опубліковано: (2012)

Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках
за авторством: Venger, E. F., та інші
Опубліковано: (2014)

Прогнозирование параметров стеклокерамики со стеклокристаллической матрицей для разных соотношений компонентов и режимов спекания
за авторством: Dmitriev, M. V., та інші
Опубліковано: (2009)

Прогнозирование диэлектрических свойств некристаллизующейся моноармированной полиматричной стеклокерамики
за авторством: Dmitriev, M. V., та інші
Опубліковано: (2008)

Прибор и методы измерения параметров и степени однородности пленочных структур
за авторством: Makara, V. A., та інші
Опубліковано: (2009)

Зависимость диэлектрической проницаемости кристаллизующейся фазы стеклокерамики от времени спекания
за авторством: Dmitriyev, M. V., та інші
Опубліковано: (2010)

Способ определения доли кристаллов в стеклокерамическом диэлектрике
за авторством: Dmitriev, M. V., та інші
Опубліковано: (2009)

Оценка параметров компонентов моноармированой стеклокерамики со стеклокристаллической матрицей
за авторством: Dmitriev, M. V., та інші
Опубліковано: (2009)

Электроосаждение конформных электродов для получения туннельного перехода с вакуумным нанозазором
за авторством: Djanghidze, L. B., та інші
Опубліковано: (2009)

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
за авторством: Semenov, A. V., та інші
Опубліковано: (2012)

Низкоразмерные кристаллы кремния для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2011)

Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS
за авторством: Bobrenko, Yu. N., та інші
Опубліковано: (2009)

ЗАВИСИМОСТЬ ВОЗМУЩЕНИЙ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ В ДИЭЛЕКТРИКЕ ОТ ДИСПЕРСНОСТИ БЛИЗКО РАСПОЛОЖЕННЫХ ВОДНЫХ МИКРОВКЛЮЧЕНИЙ
за авторством: Щерба , М.А., та інші
Опубліковано: (2014)

Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
за авторством: Boltovets, M. S., та інші
Опубліковано: (2009)

ВПЛИВ ГРАНИЧНИХ УМОВ НА КОНЦЕНТРАЦІЮ НАПРУЖЕНЬ В ТОНКИХ ФУНКЦІОНАЛЬНО-ГРАДІЄНТНИХ ПЛАСТИНАХ З КРУГОВИМ ОТВОРОМ
за авторством: TEROKHIN, B. I.
Опубліковано: (2025)

Омические контакты к материалам на основе нитрида индия
за авторством: Sai, P. O.
Опубліковано: (2016)

Применение высокотеплопроводной керамики из нитрида алюминия в вакуумных электронных приборах СВЧ
за авторством: Chasnyk, V. I.
Опубліковано: (2013)

Поглотители СВЧ-энергии на основе нитрида алюминия с высоким уровнем поглощения
за авторством: Chasnyk, V. I.
Опубліковано: (2014)

Диэлектрические характеристики высокотеплопроводной AlN-керамики в диапазоне частот 3–93 ГГц
за авторством: Chasnyk, V. I., та інші
Опубліковано: (2013)

Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трехмерной интеграции кристаллов
за авторством: Golishnikov, А. А., та інші
Опубліковано: (2014)

ДОСЛІДЖЕННЯ ЕЛЕКТРОМАГНІТНОГО ПОЛЯ ІНДУКТОРА ДЛЯ МАГНІТОПЛАСТИЧНОГО ЕФЕКТУ В НЕМАГНІТНИХ МЕТАЛЕВИХ ПЛАСТИНАХ
за авторством: Крищук, Р.С.
Опубліковано: (2020)

Получение эффективных катодолюминесцентных структур на базе пленочной технологии
за авторством: Kovalenko, L. F., та інші
Опубліковано: (2008)

Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch
за авторством: Iatsunskyi, I. R.
Опубліковано: (2013)

Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
за авторством: Vakiv, M. M., та інші
Опубліковано: (2010)

Свойства и практическое применение нанокристаллических пленок оксида церия
за авторством: Maksimchuk, N. V., та інші
Опубліковано: (2010)

Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2013)

Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии
за авторством: Voronin, V. A., та інші
Опубліковано: (2010)

ВИЗНАЧЕННЯ ЧАСТКОВОГО ВІДНОСНОГО ОБТИСКУ ПРИ ХОЛОДНІЙ ПРОКАТЦІ ТОНКИХ І ОСОБЛИВО ТОНКИХ ШТАБ ДЛЯ РЕАЛІЗАЦІЇ ПРОЦЕСУ З НАЙМЕНШОЮ СИЛОЮ
за авторством: Vasilev, Ya., та інші
Опубліковано: (2022)

Фотокаталіз та оптичні властивості наноструктур ZnO, вирощених на пластинах Si, Au/Si та Ag/Si методом MOCVD
за авторством: Karpyna, V. A., та інші
Опубліковано: (2023)

Re-Extension of 200 MW Turbine Cast Casing Service
за авторством: Chernousenko, O. Yu., та інші
Опубліковано: (2019)

Re-Extension of 200 MW Turbine Cast Casing Service
за авторством: Chernousenko, O. Yu., та інші
Опубліковано: (2019)