Buchumschlag

Получение тонких пленок Si3N4 при пониженном давлении на пластинах диаметром до 200 мм

The influence of silicon nitride deposition condition on parameters of the obtained films has been investigated. It has been found that the deposition rate of silicon nitride films decreases with deposition temperature decreasing, and at the same time the within wafer thickness uniformity improves....

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2012
Hauptverfasser:	Nalivaiko, O. Yu., Turtsevich, A. S.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2012
Schlagworte:	нитрид кремния конденсаторный диэлектрик осаждение тонких пленок
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.6.34
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Получение тонких пленок Si₃N₄ при пониженном давлении на пластинах диаметром до 200 мм
von: Наливайко, О.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов
von: Turtsevich, A. S.
Veröffentlicht: (2008)

Осаждение пленок борофосфоросиликатного стекла с использованием системы ТЭОС – диметилфосфит – триметилборат
von: Turtsevich, A. S., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пленок поликристаллического кремния, легированных фосфором в процессе роста
von: Nalivaiko, O. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом плазмохимического осаждения на кремниевую подложку
von: Rubtsevich, I. I., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Газочувствительные элементы на основе пленок SiPcCl2
von: Alieva, Kh. S., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Поглотители СВЧ-энергии с высокой теплопроводностью на основе AlN и SiC с добавками молибдена
von: Chasnyk, V. I., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Кинетика процессов осаждения пленок поликремния, легированного кислородом в процессе роста
von: Nalivaiko, O. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Применение технологии тонких пленок и наноструктурированных материалов при изготовлении теплонагруженных печатных плат
von: Sakhno, E. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Оптимизация конструкции мембранных датчиков
von: Rubcevich, I. I., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Оптический датчик температуры на основе нанокристаллической пленки SiC
von: Lopin, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Прогнозирование параметров стеклокерамики со стеклокристаллической матрицей для разных соотношений компонентов и режимов спекания
von: Dmitriev, M. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Прогнозирование диэлектрических свойств некристаллизующейся моноармированной полиматричной стеклокерамики
von: Dmitriev, M. V., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Двухпараметрические динамические солитоны в тонких упругих пластинах
von: Ковалев, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2010)

О рациональной компоновке бурильной колонны для бурения скважин диаметром 76 мм
von: Кожевников, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
von: Semenov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Зависимость диэлектрической проницаемости кристаллизующейся фазы стеклокерамики от времени спекания
von: Dmitriyev, M. V., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Оценка параметров компонентов моноармированой стеклокерамики со стеклокристаллической матрицей
von: Dmitriev, M. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Способ определения доли кристаллов в стеклокерамическом диэлектрике
von: Dmitriev, M. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Распределение дефектов в тонких полупроводниковых пластинах при низкотемпературной деформации
von: Уколов, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Прибор и методы измерения параметров и степени однородности пленочных структур
von: Makara, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Разработка и исследование технологии выплавки слитка ЭШП диаметром 800 мм без поверхностных дефектов
von: Давидченко, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Низкоразмерные кристаллы кремния для фотоэлектрических преобразователей
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Газоанализаторы на основе пористого карбида кремния
von: Moskovchenko, N. N., et al.
Veröffentlicht: (2006)

О повышении надежности трубопроводов АЭС диаметром 325 мм из стали 08Х18Н10Т
von: Вахрушева, В.С., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Электроосаждение конформных электродов для получения туннельного перехода с вакуумным нанозазором
von: Djanghidze, L. B., et al.
Veröffentlicht: (2009)

ЗАВИСИМОСТЬ ВОЗМУЩЕНИЙ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ В ДИЭЛЕКТРИКЕ ОТ ДИСПЕРСНОСТИ БЛИЗКО РАСПОЛОЖЕННЫХ ВОДНЫХ МИКРОВКЛЮЧЕНИЙ
von: Щерба , М.А., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Исследование астрометрических параметров 200-мм рефрактора АО ХГУ
von: Павленко, П.П., et al.
Veröffentlicht: (1990)

Получение оксидных молибденовых бронз в условиях высоких давлений
von: Стратийчук, Д.А.
Veröffentlicht: (2010)

ВПЛИВ ГРАНИЧНИХ УМОВ НА КОНЦЕНТРАЦІЮ НАПРУЖЕНЬ В ТОНКИХ ФУНКЦІОНАЛЬНО-ГРАДІЄНТНИХ ПЛАСТИНАХ З КРУГОВИМ ОТВОРОМ
von: TEROKHIN, B. I.
Veröffentlicht: (2025)

Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
von: Borisenko, A. G., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Влияние толщины и температуры пленок фталоцианина меди на их свойства
von: Alieva, Kh. S.
Veröffentlicht: (2012)

Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
von: Boltovets, M. S., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Солитоны в упругих пластинах
von: Ковалев, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Получение тонких алмазных пленок при магнетронном распылении графитовой мишени
von: Костановский, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)

К теории роста усталостных трещин нормального отрыва в тонких изотропных пластинах конечных размеров при одноосном растяжении – сжатии
von: Голуб, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Вплив кільцевого включення змінної товщини на концентрацію напружень навколо кругового отвору у тонких пластинах і циліндричних оболонках
von: Терьохін, Б.І.
Veröffentlicht: (2025)

Омические контакты к материалам на основе нитрида индия
von: Sai, P. O.
Veröffentlicht: (2016)

Получение в условиях высоких давлений и температур наноструктурных композитов и нструментального назначения
von: Шульженко, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Получение новой фазы сиалона при высоком давлении, сдвиговой деформации и комнатной температуре
von: Новиков, Н.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)