Зображення обкладинки

Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка

The article presents a method of creating heterojunc¬tions based on semiconductors with different lattice types. Substrates manufactured from GaSe and InSe layered crystals were annealed in Zn vapor. This way, n-ZnSe–p-GaSe and n-ZnSe–p-InSe heterojunctions were obtained. The obtained heterojunction...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2012
Автори:	Kudrynskyi, Z. R., Kovalyuk, Z. D.
Формат:	Стаття
Мова:	Українська
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2012
Теми:	слоистые кристаллы гетеропереходы отжиг спектральные характеристики вольт-фарадные характеристики
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA.2012.6.40
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

Схожі ресурси

Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
за авторством: Sydor, O. N., та інші
Опубліковано: (2012)

Ртутный микрозонд для исследования локальных электрофизических свойств полупроводниковых структур
за авторством: Popov, V. M., та інші
Опубліковано: (2010)

Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2004)

Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2009)

Investigation of InS-InSe heterojunctions prepared using sulphurization of p-InSe
за авторством: Z. D. Kovalyuk, та інші
Опубліковано: (2012)

Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2009)

Вольт-амперні характеристики HPHT алмазів, вирощених при варіації складу ростових систем
за авторством: Чаплинський, Роман, та інші
Опубліковано: (2023)

ПОВЫШЕНИЕ ЭФФЕКТИВНОСТИ ДУГОВОЙ СОСТАВЛЯЮЩЕЙ ЛАЗЕРНО-ДУГОВОГО РАЗРЯДА
за авторством: Бушма , А.И., та інші
Опубліковано: (2016)

Photoelectric properties of In₂O₃-InSe heterostructure with nanostructured oxide
за авторством: Katerynchuk, V.M., та інші
Опубліковано: (2012)

Topology of the surface of thin oxide films CdO formed on van der Waals surfaces of InSe and GaSe layered crystals
за авторством: Z. R. Kudrynskyi
Опубліковано: (2013)

Mechanisms of forward current transport in p-GaSe-n-InSe heterojunctions
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2003)

Electrical and photoelectrical properties of n-InSe/p-CuInSe₂ optical contact
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2004)

Optical and electrical properties of InSe and GaSe layered crystals intercalated with ethanol
за авторством: V. B. Boledzyuk, та інші
Опубліковано: (2013)

Photoelectric properties of In2O3-InSe heterostructure with nanostructured oxide
за авторством: V. M. Katerynchuk, та інші
Опубліковано: (2012)

The electric field gradient asymmetry parameter in InSe
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2011)

The electric field gradient asymmetry parameter in InSe
за авторством: Z. D. Kovalyuk, та інші
Опубліковано: (2011)

Structure similarity and lattice dynamics of InSe and In₄Se₃ crystals
за авторством: Bercha, D.M., та інші
Опубліковано: (2000)

Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO – p-InSe
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2015)

Разработка сцинтилляторов на основе соединений AIIBVI для медицинского и технического радиационного приборостроения
за авторством: Starzhinskiy, N. G., та інші
Опубліковано: (2009)

Electrical properties of photosensitive heterostructures n-FeS₂/p-InSe
за авторством: Tkachuk, I.G., та інші
Опубліковано: (2018)

On Wannier exciton 2D localization in hydrogen intercalated InSe and GaSe layered semiconductor crystals
за авторством: Zhirko, Yu.I., та інші
Опубліковано: (2004)

The effect of the introduction of NI2+ ions on the properties of InSe layered crystals
за авторством: V. B. Boledziuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Особливості магнітоопору монокристалів InSe І GaSe
за авторством: Pokladok, N. T., та інші
Опубліковано: (2013)

Sheet resistance and surface topology time dynamics of intrinsic oxide film on InSe crystals
за авторством: V. M. Katerynchuk, та інші
Опубліковано: (2011)

Перенос заряда по локализованным состояниям в монокристаллах InSe и InSe<Sn>
за авторством: Мустафаева, С.Н., та інші
Опубліковано: (2010)

Влияние распределения примеси в базе на фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных УФ-фотоприемников
за авторством: Bobrenko, Yu. N., та інші
Опубліковано: (2012)

Optical and electrical properties of InSe and GaSe layered crystals intercalated with ethanol
за авторством: V. B. Boledziuk, та інші
Опубліковано: (2013)

Immersion zone irradiated with n-InSe electrons
за авторством: I. V. Mintianskyi, та інші
Опубліковано: (2013)

Широкозонные халькогенидные сцинтилляторы на основе соединений AIIBVI
за авторством: Starzhinskiy, N. G., та інші
Опубліковано: (2012)

The effect of thermal treatment on the properties of the InSe and GaSe, doped by cobalt and vanadium selenidem
за авторством: Z. D. Kovaliuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент
за авторством: Garkavenko, A. S., та інші
Опубліковано: (2014)

Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки
за авторством: Garkavenko, A. S., та інші
Опубліковано: (2014)

Створення гетероструктури n-InSe-графіт
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2016)

Влияние γ-облучения на параметры локализованных состояний в монокристаллах p-InSe и n-InSe<Sn>
за авторством: Мустафаева, С.Н., та інші
Опубліковано: (2010)

СТВОРЕННЯ АПАРАТУРИ ДЛЯ НИЗЬКОТЕМПЕРАТУРНИХ ДОСЛІДЖЕНЬ ВОЛЬТ-АМПЕРНИХ ХАРАКТЕРИСТИК І ГАЛЬВАНОМАГНІТНИХ ВЛАСТИВОСТЕЙ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ МАТЕРІАЛІВ ТА СТРУКТУР НА ЇХНІЙ ОСНОВI В ПОЛІ ЗОВНІШНЬОГО МАГНІТА
за авторством: ZHARKOV, I., та інші
Опубліковано: (2022)

Effect of the electron irradiation on electrical properties of n-InSe and their anisotropy
за авторством: I. V. Mintianskyi, та інші
Опубліковано: (2018)

Diluted magnetic layered semiconductor InSe:Mn with high Curie temperature
за авторством: Lashkarev, G.V., та інші
Опубліковано: (2011)

Diluted magnetic layered semiconductor InSe:Mn with high Curie temperature
за авторством: G. V. Lashkarev, та інші
Опубліковано: (2011)

Радиационная технология улучшения омических контактов к элементам электронной техники
за авторством: Konakova, R. V., та інші
Опубліковано: (2010)

Impedance Anisotropy and Quantum Photocapacity of Bio/Inorganic Clathrates InSe<HISTIDINE> and GaSe<HISTIDINE>
за авторством: Ivashchyshyn, F.O., та інші
Опубліковано: (2015)