Стимулируемая водородом миграция атомов металлов в структурах «металл — полупроводник»
The article presents experimental results of the effect atomic hydrogen has on the Cu—Ge and Ni—Ge structures. It has been shown experimentally that the treatment of structures at room temperature is accompanied by the introduction of metal atoms with an abnormally high concentration in the surface...
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автори: | Matyushin, V. M., Zhavzharov, E. L. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2012
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.6.44 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipmentСхожі ресурси
-
Стимулируемая водородом миграция атомов металлов в структурах «металл — полупроводник»
за авторством: Матюшин, В.М., та інші
Опубліковано: (2012) -
Формирование нанопленок Cu, Ag, Au под воздействием атомов водорода
за авторством: Zhavzharov, E. L., та інші
Опубліковано: (2015) -
Оборудование для формирования омических контактов полупроводниковых приборов на основе соединений A3B5
за авторством: Aleksandrov, S. B., та інші
Опубліковано: (2011) -
Фазовые переходы полупроводник–металл
за авторством: Таран, Ю.Н., та інші
Опубліковано: (2004) -
Исследование гетеронаносистем металл–полупроводник NixInSe (0001)
за авторством: Galiy, P.V., та інші
Опубліковано: (2017)