Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом

The thermal mathematical model is used to estimate self-heating of semiconductor devices of various types during current-voltage characteristics measuring by the pulse method. The influence of self-heating on electrical parameters of semiconductor devices is analyzed. The recommendations for determi...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Date:2012
Main Authors: Yermolenko, Ye. O., Bondarenko, O. F., Baranov, O. M.
Format: Article
Language:Ukrainian
Published: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2012
Subjects:
Online Access:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.5.14
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment
_version_ 1856543854288699392
author Yermolenko, Ye. O.
Bondarenko, O. F.
Baranov, O. M.
author_facet Yermolenko, Ye. O.
Bondarenko, O. F.
Baranov, O. M.
author_sort Yermolenko, Ye. O.
baseUrl_str
collection OJS
datestamp_date 2025-09-19T16:00:28Z
description The thermal mathematical model is used to estimate self-heating of semiconductor devices of various types during current-voltage characteristics measuring by the pulse method. The influence of self-heating on electrical parameters of semiconductor devices is analyzed. The recommendations for determination of values of measuring pulse sequence parameters are formulated to minimize self-heating of semiconductor structure.
first_indexed 2025-09-24T17:30:54Z
format Article
id oai:tkea.com.ua:article-419
institution Technology and design in electronic equipment
language Ukrainian
last_indexed 2025-09-24T17:30:54Z
publishDate 2012
publisher PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
record_format ojs
spelling oai:tkea.com.ua:article-4192025-09-19T16:00:28Z Thermal mathematical model of semiconductor devices for measurement of current-voltage characteristics by pulse method Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом Yermolenko, Ye. O. Bondarenko, O. F. Baranov, O. M. current-voltage characteristics semiconductor device pulse method of measurement thermal model вольт-амперная характеристика полупроводниковый прибор импульсный способ измерения тепловая модель The thermal mathematical model is used to estimate self-heating of semiconductor devices of various types during current-voltage characteristics measuring by the pulse method. The influence of self-heating on electrical parameters of semiconductor devices is analyzed. The recommendations for determination of values of measuring pulse sequence parameters are formulated to minimize self-heating of semiconductor structure. В работе тепловая математическая модель использована для оценки саморазогрева по­лу­про­вод­ни­ковых приборов в процессе измерения их вольт-амперной характеристики импульсным способом. Проанализировано влияние саморазогрева на электрические параметры по­лу­про­вод­ни­ко­вых приборов. Сформулированы рекомендации по выбору значений параметров из­ме­ри­тель­ной импульсной последовательности, использование которых позволяет ми­ни­ми­зи­ро­вать саморазогрев полупроводниковой структуры. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2012-10-23 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.5.14 Technology and design in electronic equipment; No. 5 (2012): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 14-18 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 5 (2012): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 14-18 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.5.14/378 Copyright (c) 2012 Yermolenko Ye. O., Bondarenko O. F., Baranov O. M. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
spellingShingle вольт-амперная характеристика
полупроводниковый прибор
импульсный способ измерения
тепловая модель
Yermolenko, Ye. O.
Bondarenko, O. F.
Baranov, O. M.
Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом
title Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом
title_alt Thermal mathematical model of semiconductor devices for measurement of current-voltage characteristics by pulse method
title_full Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом
title_fullStr Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом
title_full_unstemmed Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом
title_short Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом
title_sort тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении вах импульсным способом
topic вольт-амперная характеристика
полупроводниковый прибор
импульсный способ измерения
тепловая модель
topic_facet current-voltage characteristics
semiconductor device
pulse method of measurement
thermal model
вольт-амперная характеристика
полупроводниковый прибор
импульсный способ измерения
тепловая модель
url https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.5.14
work_keys_str_mv AT yermolenkoyeo thermalmathematicalmodelofsemiconductordevicesformeasurementofcurrentvoltagecharacteristicsbypulsemethod
AT bondarenkoof thermalmathematicalmodelofsemiconductordevicesformeasurementofcurrentvoltagecharacteristicsbypulsemethod
AT baranovom thermalmathematicalmodelofsemiconductordevicesformeasurementofcurrentvoltagecharacteristicsbypulsemethod
AT yermolenkoyeo teplovaâmatematičeskaâmodelʹpoluprovodnikovyhpriborovpriizmereniivahimpulʹsnymsposobom
AT bondarenkoof teplovaâmatematičeskaâmodelʹpoluprovodnikovyhpriborovpriizmereniivahimpulʹsnymsposobom
AT baranovom teplovaâmatematičeskaâmodelʹpoluprovodnikovyhpriborovpriizmereniivahimpulʹsnymsposobom