Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом

The thermal mathematical model is used to estimate self-heating of semiconductor devices of various types during current-voltage characteristics measuring by the pulse method. The influence of self-heating on electrical parameters of semiconductor devices is analyzed. The recommendations for determi...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2012
Автори: Yermolenko, Ye. O., Bondarenko, O. F., Baranov, O. M.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2012
Теми:
Онлайн доступ:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.5.14
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment
id oai:tkea.com.ua:article-419
record_format ojs
spelling oai:tkea.com.ua:article-4192025-09-19T16:00:28Z Thermal mathematical model of semiconductor devices for measurement of current-voltage characteristics by pulse method Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом Yermolenko, Ye. O. Bondarenko, O. F. Baranov, O. M. current-voltage characteristics semiconductor device pulse method of measurement thermal model вольт-амперная характеристика полупроводниковый прибор импульсный способ измерения тепловая модель The thermal mathematical model is used to estimate self-heating of semiconductor devices of various types during current-voltage characteristics measuring by the pulse method. The influence of self-heating on electrical parameters of semiconductor devices is analyzed. The recommendations for determination of values of measuring pulse sequence parameters are formulated to minimize self-heating of semiconductor structure. В работе тепловая математическая модель использована для оценки саморазогрева по­лу­про­вод­ни­ковых приборов в процессе измерения их вольт-амперной характеристики импульсным способом. Проанализировано влияние саморазогрева на электрические параметры по­лу­про­вод­ни­ко­вых приборов. Сформулированы рекомендации по выбору значений параметров из­ме­ри­тель­ной импульсной последовательности, использование которых позволяет ми­ни­ми­зи­ро­вать саморазогрев полупроводниковой структуры. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2012-10-23 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.5.14 Technology and design in electronic equipment; No. 5 (2012): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 14-18 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 5 (2012): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 14-18 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.5.14/378 Copyright (c) 2012 Yermolenko Ye. O., Bondarenko O. F., Baranov O. M. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
institution Technology and design in electronic equipment
baseUrl_str
datestamp_date 2025-09-19T16:00:28Z
collection OJS
language Ukrainian
topic вольт-амперная характеристика
полупроводниковый прибор
импульсный способ измерения
тепловая модель
spellingShingle вольт-амперная характеристика
полупроводниковый прибор
импульсный способ измерения
тепловая модель
Yermolenko, Ye. O.
Bondarenko, O. F.
Baranov, O. M.
Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом
topic_facet current-voltage characteristics
semiconductor device
pulse method of measurement
thermal model
вольт-амперная характеристика
полупроводниковый прибор
импульсный способ измерения
тепловая модель
format Article
author Yermolenko, Ye. O.
Bondarenko, O. F.
Baranov, O. M.
author_facet Yermolenko, Ye. O.
Bondarenko, O. F.
Baranov, O. M.
author_sort Yermolenko, Ye. O.
title Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом
title_short Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом
title_full Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом
title_fullStr Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом
title_full_unstemmed Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом
title_sort тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении вах импульсным способом
title_alt Thermal mathematical model of semiconductor devices for measurement of current-voltage characteristics by pulse method
description The thermal mathematical model is used to estimate self-heating of semiconductor devices of various types during current-voltage characteristics measuring by the pulse method. The influence of self-heating on electrical parameters of semiconductor devices is analyzed. The recommendations for determination of values of measuring pulse sequence parameters are formulated to minimize self-heating of semiconductor structure.
publisher PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
publishDate 2012
url https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.5.14
work_keys_str_mv AT yermolenkoyeo thermalmathematicalmodelofsemiconductordevicesformeasurementofcurrentvoltagecharacteristicsbypulsemethod
AT bondarenkoof thermalmathematicalmodelofsemiconductordevicesformeasurementofcurrentvoltagecharacteristicsbypulsemethod
AT baranovom thermalmathematicalmodelofsemiconductordevicesformeasurementofcurrentvoltagecharacteristicsbypulsemethod
AT yermolenkoyeo teplovaâmatematičeskaâmodelʹpoluprovodnikovyhpriborovpriizmereniivahimpulʹsnymsposobom
AT bondarenkoof teplovaâmatematičeskaâmodelʹpoluprovodnikovyhpriborovpriizmereniivahimpulʹsnymsposobom
AT baranovom teplovaâmatematičeskaâmodelʹpoluprovodnikovyhpriborovpriizmereniivahimpulʹsnymsposobom
first_indexed 2025-09-24T17:30:54Z
last_indexed 2025-09-24T17:30:54Z
_version_ 1850410252316442624