Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом

The paper deals with investigation of magnetic field effect on electrophysical properties of Si1–xGex nanowhiskers at low temperatures. It was shown that field dependence of resistance of Si1–xGex nanowhiskers samples doped to concentrations near the dielectric side of metal-insula...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2012
Hauptverfasser: Druzhinin, А. A., Ostrovskii, І. P., Khoverko, Yu. М., Nichkalo, S. І., Koretskii, R. М.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainian
Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2012
Schlagworte:
Online Zugang:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.5.19
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Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment