Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом
The paper deals with investigation of magnetic field effect on electrophysical properties of Si1–xGex nanowhiskers at low temperatures. It was shown that field dependence of resistance of Si1–xGex nanowhiskers samples doped to concentrations near the dielectric side of metal-insula...
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2012
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.5.19 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1856543854111490048 |
|---|---|
| author | Druzhinin, А. A. Ostrovskii, І. P. Khoverko, Yu. М. Nichkalo, S. І. Koretskii, R. М. |
| author_facet | Druzhinin, А. A. Ostrovskii, І. P. Khoverko, Yu. М. Nichkalo, S. І. Koretskii, R. М. |
| author_sort | Druzhinin, А. A. |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2025-09-19T16:00:28Z |
| description | The paper deals with investigation of magnetic field effect on electrophysical properties of Si1–xGex nanowhiskers at low temperatures. It was shown that field dependence of resistance of Si1–xGex nanowhiskers samples doped to concentrations near the dielectric side of metal-insulator junction possesses the linear character. The concept of making sensors on the basis of Si1–xGex nanowhiskers detecting simultaneously magnetic field and temperature has been proposed. |
| first_indexed | 2025-09-24T17:30:54Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-420 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-09-24T17:30:54Z |
| publishDate | 2012 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-4202025-09-19T16:00:28Z Si1–xGex nanocrystals as sensitive elements for magnetic field and temperature sensors Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом Druzhinin, А. A. Ostrovskii, І. P. Khoverko, Yu. М. Nichkalo, S. І. Koretskii, R. М. nanowhiskers magnetoresistance sensor нитевидные нанокристаллы магнетосопротивление сенсор The paper deals with investigation of magnetic field effect on electrophysical properties of Si1–xGex nanowhiskers at low temperatures. It was shown that field dependence of resistance of Si1–xGex nanowhiskers samples doped to concentrations near the dielectric side of metal-insulator junction possesses the linear character. The concept of making sensors on the basis of Si1–xGex nanowhiskers detecting simultaneously magnetic field and temperature has been proposed. В работе тепловая математическая модель использована для оценки саморазогрева полупроводниковых приборов в процессе измерения их вольт-амперной характеристики импульсным способом. Проанализировано влияние саморазогрева на электрические параметры полупроводниковых приборов. Сформулированы рекомендации по выбору значений параметров измерительной импульсной последовательности, использование которых позволяет минимизировать саморазогрев полупроводниковой структуры. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2012-10-23 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.5.19 Technology and design in electronic equipment; No. 5 (2012): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 19-21 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 5 (2012): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 19-21 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.5.19/379 Copyright (c) 2012 Druzhinin А. A., Ostrovskii І. P., Khoverko Yu. М., Nichkalo S. І., Koretskii R. М. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | нитевидные нанокристаллы магнетосопротивление сенсор Druzhinin, А. A. Ostrovskii, І. P. Khoverko, Yu. М. Nichkalo, S. І. Koretskii, R. М. Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом |
| title | Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом |
| title_alt | Si1–xGex nanocrystals as sensitive elements for magnetic field and temperature sensors |
| title_full | Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом |
| title_fullStr | Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом |
| title_full_unstemmed | Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом |
| title_short | Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом |
| title_sort | тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении вах импульсным способом |
| topic | нитевидные нанокристаллы магнетосопротивление сенсор |
| topic_facet | nanowhiskers magnetoresistance sensor нитевидные нанокристаллы магнетосопротивление сенсор |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.5.19 |
| work_keys_str_mv | AT druzhininaa si1xgexnanocrystalsassensitiveelementsformagneticfieldandtemperaturesensors AT ostrovskiiíp si1xgexnanocrystalsassensitiveelementsformagneticfieldandtemperaturesensors AT khoverkoyum si1xgexnanocrystalsassensitiveelementsformagneticfieldandtemperaturesensors AT nichkalosí si1xgexnanocrystalsassensitiveelementsformagneticfieldandtemperaturesensors AT koretskiirm si1xgexnanocrystalsassensitiveelementsformagneticfieldandtemperaturesensors AT druzhininaa teplovaâmatematičeskaâmodelʹpoluprovodnikovyhpriborovpriizmereniivahimpulʹsnymsposobom AT ostrovskiiíp teplovaâmatematičeskaâmodelʹpoluprovodnikovyhpriborovpriizmereniivahimpulʹsnymsposobom AT khoverkoyum teplovaâmatematičeskaâmodelʹpoluprovodnikovyhpriborovpriizmereniivahimpulʹsnymsposobom AT nichkalosí teplovaâmatematičeskaâmodelʹpoluprovodnikovyhpriborovpriizmereniivahimpulʹsnymsposobom AT koretskiirm teplovaâmatematičeskaâmodelʹpoluprovodnikovyhpriborovpriizmereniivahimpulʹsnymsposobom |