Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
Experimental studies of Schottky diodes with molybdenum barrier structure showed that resistance of the structures to electrostatic discharge depends on the design parameters, as well as on guard ring diffusion depth. It has been proven that to improve the reliability of Schottky diodes one should u...
Saved in:
| Date: | 2012 |
|---|---|
| Main Authors: | Sоlоdukha, V. A., Turtsevich, A. S., Solov’yov, J. A., Rubtsevich, I. I., Kerentsev, A. F. |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2012
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.5.22 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentSimilar Items
Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
by: Солодуха, В.А., et al.
Published: (2012)
by: Солодуха, В.А., et al.
Published: (2012)
Каскадный инжекционный фотоприемник на основе твердых растворов A2B6-соединений для спектрального диапазона = 500–650 нм
by: Mirsagatov, Sh. A., et al.
Published: (2018)
by: Mirsagatov, Sh. A., et al.
Published: (2018)
Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
by: Gorev, N. B., et al.
Published: (2007)
by: Gorev, N. B., et al.
Published: (2007)
Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа
by: Baranov, V. V., et al.
Published: (2007)
by: Baranov, V. V., et al.
Published: (2007)
Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
by: Gorev, N. B., et al.
Published: (2006)
by: Gorev, N. B., et al.
Published: (2006)
Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2013)
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2013)
Технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки
by: Anufriev, L. P., et al.
Published: (2005)
by: Anufriev, L. P., et al.
Published: (2005)
Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
by: Gorev, N. B., et al.
Published: (2010)
by: Gorev, N. B., et al.
Published: (2010)
Расчет тонкопленочных транзисторов с затвором Шоттки на основе аморфного полупроводника
by: Mamedov, A. K.
Published: (2003)
by: Mamedov, A. K.
Published: (2003)
Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
by: Gorev, N. B., et al.
Published: (2009)
by: Gorev, N. B., et al.
Published: (2009)
Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In2Hg3Te6 для диода Шоттки
by: Ashcheulov, A. A., et al.
Published: (2016)
by: Ashcheulov, A. A., et al.
Published: (2016)
Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2005)
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2005)
Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов
by: Yatsunenko, A. G., et al.
Published: (2005)
by: Yatsunenko, A. G., et al.
Published: (2005)
МОДЕЛИРОВАНИЕ СТАТИЧЕСКОГО ГЕОМАГНИТНОГО ПОЛЯ ВНУТРИ ПОМЕЩЕНИЙ СОВРЕМЕННЫХ ЖИЛЫХ ДОМОВ
by: Розов , В.Ю., et al.
Published: (2014)
by: Розов , В.Ю., et al.
Published: (2014)
МОДЕЛИРОВАНИЕ СТАТИЧЕСКОГО ГЕОМАГНИТНОГО ПОЛЯ ВНУТРИ ПОМЕЩЕНИЙ СОВРЕМЕННЫХ ЖИЛЫХ ДОМОВ
by: Розов , В.Ю., et al.
Published: (2014)
by: Розов , В.Ю., et al.
Published: (2014)
Особенности фотоэлектрических характеристик фотоэлектропреобразовательных структур
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2007)
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2007)
Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром
by: Turtsevich, A. S., et al.
Published: (2012)
by: Turtsevich, A. S., et al.
Published: (2012)
Особенности плазмохимического травления торцов кремниевых пластин для фотоэлектрических преобразователей
by: Fedorovich, O. A., et al.
Published: (2009)
by: Fedorovich, O. A., et al.
Published: (2009)
Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза
by: Altukhov, A. A., et al.
Published: (2011)
by: Altukhov, A. A., et al.
Published: (2011)
Фотодиод ультрафиолетового диапазона на основе селенида цинка
by: Perevertailo, V. L., et al.
Published: (2010)
by: Perevertailo, V. L., et al.
Published: (2010)
Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа
by: Баранов, В.В., et al.
Published: (2007)
by: Баранов, В.В., et al.
Published: (2007)
Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2009)
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2009)
Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов
by: Popov, V. M., et al.
Published: (2009)
by: Popov, V. M., et al.
Published: (2009)
Технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки
by: Ануфриев, Л.П., et al.
Published: (2005)
by: Ануфриев, Л.П., et al.
Published: (2005)
Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом плазмохимического осаждения на кремниевую подложку
by: Rubtsevich, I. I., et al.
Published: (2011)
by: Rubtsevich, I. I., et al.
Published: (2011)
Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пленок поликристаллического кремния, легированных фосфором в процессе роста
by: Nalivaiko, O. Yu., et al.
Published: (2009)
by: Nalivaiko, O. Yu., et al.
Published: (2009)
Моделювання комбінованого діода Шоттки
by: Кісельов, Є.М.
Published: (2013)
by: Кісельов, Є.М.
Published: (2013)
Ретроспектива исследований в области искусственного и атмосферного электричества и молниезащиты технических объектов
by: Баранов, М.И.
Published: (2006)
by: Баранов, М.И.
Published: (2006)
Латеральная фотоЭДС в контакте Шоттки
by: Венгер, Е.Ф., et al.
Published: (2010)
by: Венгер, Е.Ф., et al.
Published: (2010)
Деградация контакта Шоттки при термическом отжиге
by: Венгер, Е.Ф., et al.
Published: (2012)
by: Венгер, Е.Ф., et al.
Published: (2012)
Теплотехнические характеристики радиатора для эффективных систем охлаждения радиоэлектронной техники
by: Rudenko, A. I., et al.
Published: (2011)
by: Rudenko, A. I., et al.
Published: (2011)
Анализ энергетических и магнитных процессов в дросселях импульсных преобразователей электрической энергии
by: Kadatsky, A. F., et al.
Published: (2016)
by: Kadatsky, A. F., et al.
Published: (2016)
Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки – Мотта
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2008)
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2008)
Модель линии передачи для наноэлектроники
by: Nelin, E. A.
Published: (2009)
by: Nelin, E. A.
Published: (2009)
Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин
by: Druzhinin, A. A., et al.
Published: (2011)
by: Druzhinin, A. A., et al.
Published: (2011)
Латеральная фотоЭДС в неоднородном контакте Шоттки
by: Венгер, Е.Ф., et al.
Published: (2011)
by: Венгер, Е.Ф., et al.
Published: (2011)
Surface mounting of unpackaged power MOSFET
by: D. L. Anufriev, et al.
Published: (2006)
by: D. L. Anufriev, et al.
Published: (2006)
Поверхностный монтаж мощных бескорпусных MOSFET-транзисторов
by: Anufriev, D. L., et al.
Published: (2006)
by: Anufriev, D. L., et al.
Published: (2006)
Кинетика деформации ВАХ оксидных варисторных структур, обусловленная перезарядкой локализованных состояний
by: Tonkoshkur, A. S., et al.
Published: (2014)
by: Tonkoshkur, A. S., et al.
Published: (2014)
Тонкопленочные детекторные CdTe-структуры с барьером Шоттки
by: Мирсагатов, Ш.А., et al.
Published: (2013)
by: Мирсагатов, Ш.А., et al.
Published: (2013)
Similar Items
-
Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
by: Солодуха, В.А., et al.
Published: (2012) -
Каскадный инжекционный фотоприемник на основе твердых растворов A2B6-соединений для спектрального диапазона = 500–650 нм
by: Mirsagatov, Sh. A., et al.
Published: (2018) -
Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
by: Gorev, N. B., et al.
Published: (2007) -
Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа
by: Baranov, V. V., et al.
Published: (2007) -
Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
by: Gorev, N. B., et al.
Published: (2006)