Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества

Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества

Experimental studies of Schottky diodes with molybdenum barrier structure showed that resistance of the structures to electrostatic discharge depends on the design parameters, as well as on guard ring diffusion depth. It has been proven that to improve the reliability of Schottky diodes one should u...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2012
Автори:	Sоlоdukha, V. A., Turtsevich, A. S., Solov’yov, J. A., Rubtsevich, I. I., Kerentsev, A. F.
Формат:	Стаття
Мова:	Ukrainian
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2012
Теми:	диод Шоттки потенциальный барьер разряд статического электричества
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.5.22
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

Схожі ресурси

Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
за авторством: Солодуха, В.А., та інші
Опубліковано: (2012)

Каскадный инжекционный фотоприемник на основе твердых растворов A2B6-соединений для спектрального диапазона = 500–650 нм
за авторством: Mirsagatov, Sh. A., та інші
Опубліковано: (2018)

Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2013)

Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2010)

Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2009)

Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In2Hg3Te6 для диода Шоттки
за авторством: Ashcheulov, A. A., та інші
Опубліковано: (2016)

Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
за авторством: Krasnov, V. A., та інші
Опубліковано: (2008)

МОДЕЛИРОВАНИЕ СТАТИЧЕСКОГО ГЕОМАГНИТНОГО ПОЛЯ ВНУТРИ ПОМЕЩЕНИЙ СОВРЕМЕННЫХ ЖИЛЫХ ДОМОВ
за авторством: Розов , В.Ю., та інші
Опубліковано: (2014)

МОДЕЛИРОВАНИЕ СТАТИЧЕСКОГО ГЕОМАГНИТНОГО ПОЛЯ ВНУТРИ ПОМЕЩЕНИЙ СОВРЕМЕННЫХ ЖИЛЫХ ДОМОВ
за авторством: Розов , В.Ю., та інші
Опубліковано: (2014)

Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза
за авторством: Altukhov, A. A., та інші
Опубліковано: (2011)

Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя
за авторством: Kudryk, Ya. Ya.
Опубліковано: (2009)

Особенности плазмохимического травления торцов кремниевых пластин для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Fedorovich, O. A., та інші
Опубліковано: (2009)

Фотодиод ультрафиолетового диапазона на основе селенида цинка
за авторством: Perevertailo, V. L., та інші
Опубліковано: (2010)

Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром
за авторством: Turtsevich, A. S., та інші
Опубліковано: (2012)

Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)

Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов
за авторством: Popov, V. M., та інші
Опубліковано: (2009)

Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Ч. 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
за авторством: Boltovets, N. S., та інші
Опубліковано: (2010)

Исследование удельного сопротивления омических контактов Au–Ti–Pd–n-Si для лавинно-пролетных диодов
за авторством: Basanets, V. V., та інші
Опубліковано: (2015)

Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом плазмохимического осаждения на кремниевую подложку
за авторством: Rubtsevich, I. I., та інші
Опубліковано: (2011)

Моделювання комбінованого діода Шоттки
за авторством: Кісельов, Є.М.
Опубліковано: (2013)

Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пленок поликристаллического кремния, легированных фосфором в процессе роста
за авторством: Nalivaiko, O. Yu., та інші
Опубліковано: (2009)

Деградация контакта Шоттки при термическом отжиге
за авторством: Венгер, Е.Ф., та інші
Опубліковано: (2012)

Латеральная фотоЭДС в контакте Шоттки
за авторством: Венгер, Е.Ф., та інші
Опубліковано: (2010)

Ретроспектива исследований в области искусственного и атмосферного электричества и молниезащиты технических объектов
за авторством: Баранов, М.И.
Опубліковано: (2006)

Кинетика деформации ВАХ оксидных варисторных структур, обусловленная перезарядкой локализованных состояний
за авторством: Tonkoshkur, A. S., та інші
Опубліковано: (2014)

Теплотехнические характеристики радиатора для эффективных систем охлаждения радиоэлектронной техники
за авторством: Rudenko, A. I., та інші
Опубліковано: (2011)

Латеральная фотоЭДС в неоднородном контакте Шоттки
за авторством: Венгер, Е.Ф., та інші
Опубліковано: (2011)

Surface mounting of unpackaged power MOSFET
за авторством: D. L. Anufriev, та інші
Опубліковано: (2006)

Анализ энергетических и магнитных процессов в дросселях импульсных преобразователей электрической энергии
за авторством: Kadatsky, A. F., та інші
Опубліковано: (2016)

Модель линии передачи для наноэлектроники
за авторством: Nelin, E. A.
Опубліковано: (2009)

Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2011)

Моделирование электрических схем защиты с использованием силовых лавинных диодов Кравчина В. В., Нагорная Н. Н.
за авторством: Kravchina, V. V., та інші
Опубліковано: (2010)

Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа
за авторством: Баранов, В.В., та інші
Опубліковано: (2007)

Тонкопленочные детекторные CdTe-структуры с барьером Шоттки
за авторством: Мирсагатов, Ш.А., та інші
Опубліковано: (2013)

Коммутационные управляемые устройства на p–i–n-диодах миллиметрового диапазона длин волн
за авторством: Karushkin, N. F., та інші
Опубліковано: (2016)

Технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки
за авторством: Ануфриев, Л.П., та інші
Опубліковано: (2005)

Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки–Мотта
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2008)

Шаровая молния – мощный природный молекулярный накопитель атмосферного электричества. Новая гипотеза происхождения и теория электрофизического феномена
за авторством: Баранов, М.И.
Опубліковано: (2008)

Математические модели формирования химической связи твердых растворов CdSb–ZnSb
за авторством: Ashcheulov, A. A., та інші
Опубліковано: (2009)

Методы определения высоты барьера шоттки из вольт-амперных характеристик (обзор)
за авторством: Кудрик, Я.Я., та інші
Опубліковано: (2014)