Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
Experimental studies of Schottky diodes with molybdenum barrier structure showed that resistance of the structures to electrostatic discharge depends on the design parameters, as well as on guard ring diffusion depth. It has been proven that to improve the reliability of Schottky diodes one should u...
Gespeichert in:
| Datum: | 2012 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | Sоlоdukha, V. A., Turtsevich, A. S., Solov’yov, J. A., Rubtsevich, I. I., Kerentsev, A. F. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2012
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.5.22 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentÄhnliche Einträge
Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
von: Солодуха, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Солодуха, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Каскадный инжекционный фотоприемник на основе твердых растворов A2B6-соединений для спектрального диапазона = 500–650 нм
von: Mirsagatov, Sh. A., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Mirsagatov, Sh. A., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа
von: Baranov, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Baranov, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки
von: Anufriev, L. P., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Anufriev, L. P., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Расчет тонкопленочных транзисторов с затвором Шоттки на основе аморфного полупроводника
von: Mamedov, A. K.
Veröffentlicht: (2003)
von: Mamedov, A. K.
Veröffentlicht: (2003)
Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In2Hg3Te6 для диода Шоттки
von: Ashcheulov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Ashcheulov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов
von: Yatsunenko, A. G., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Yatsunenko, A. G., et al.
Veröffentlicht: (2005)
МОДЕЛИРОВАНИЕ СТАТИЧЕСКОГО ГЕОМАГНИТНОГО ПОЛЯ ВНУТРИ ПОМЕЩЕНИЙ СОВРЕМЕННЫХ ЖИЛЫХ ДОМОВ
von: Розов , В.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Розов , В.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2014)
МОДЕЛИРОВАНИЕ СТАТИЧЕСКОГО ГЕОМАГНИТНОГО ПОЛЯ ВНУТРИ ПОМЕЩЕНИЙ СОВРЕМЕННЫХ ЖИЛЫХ ДОМОВ
von: Розов , В.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Розов , В.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром
von: Turtsevich, A. S., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Turtsevich, A. S., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Особенности фотоэлектрических характеристик фотоэлектропреобразовательных структур
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Особенности плазмохимического травления торцов кремниевых пластин для фотоэлектрических преобразователей
von: Fedorovich, O. A., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Fedorovich, O. A., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза
von: Altukhov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Altukhov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа
von: Баранов, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Баранов, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Фотодиод ультрафиолетового диапазона на основе селенида цинка
von: Perevertailo, V. L., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Perevertailo, V. L., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки
von: Ануфриев, Л.П., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Ануфриев, Л.П., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов
von: Popov, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Popov, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом плазмохимического осаждения на кремниевую подложку
von: Rubtsevich, I. I., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Rubtsevich, I. I., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пленок поликристаллического кремния, легированных фосфором в процессе роста
von: Nalivaiko, O. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Nalivaiko, O. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Моделювання комбінованого діода Шоттки
von: Кісельов, Є.М.
Veröffentlicht: (2013)
von: Кісельов, Є.М.
Veröffentlicht: (2013)
Ретроспектива исследований в области искусственного и атмосферного электричества и молниезащиты технических объектов
von: Баранов, М.И.
Veröffentlicht: (2006)
von: Баранов, М.И.
Veröffentlicht: (2006)
Латеральная фотоЭДС в контакте Шоттки
von: Венгер, Е.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Венгер, Е.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Деградация контакта Шоттки при термическом отжиге
von: Венгер, Е.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Венгер, Е.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Теплотехнические характеристики радиатора для эффективных систем охлаждения радиоэлектронной техники
von: Rudenko, A. I., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Rudenko, A. I., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Анализ энергетических и магнитных процессов в дросселях импульсных преобразователей электрической энергии
von: Kadatsky, A. F., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Kadatsky, A. F., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки – Мотта
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Модель линии передачи для наноэлектроники
von: Nelin, E. A.
Veröffentlicht: (2009)
von: Nelin, E. A.
Veröffentlicht: (2009)
Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Латеральная фотоЭДС в неоднородном контакте Шоттки
von: Венгер, Е.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Венгер, Е.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Surface mounting of unpackaged power MOSFET
von: D. L. Anufriev, et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: D. L. Anufriev, et al.
Veröffentlicht: (2006)
Поверхностный монтаж мощных бескорпусных MOSFET-транзисторов
von: Anufriev, D. L., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Anufriev, D. L., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Тонкопленочные детекторные CdTe-структуры с барьером Шоттки
von: Мирсагатов, Ш.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Мирсагатов, Ш.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Шаровая молния – мощный природный молекулярный накопитель атмосферного электричества. Новая гипотеза происхождения и теория электрофизического феномена
von: Баранов, М.И.
Veröffentlicht: (2008)
von: Баранов, М.И.
Veröffentlicht: (2008)
Ähnliche Einträge
-
Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
von: Солодуха, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2012) -
Каскадный инжекционный фотоприемник на основе твердых растворов A2B6-соединений для спектрального диапазона = 500–650 нм
von: Mirsagatov, Sh. A., et al.
Veröffentlicht: (2018) -
Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2007) -
Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа
von: Baranov, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2007) -
Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2006)