Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра

An algorithm for the simulation and analysis of the parameters that determine the sensitivity of the photodiode surface-barrier structures based on n+–n-GaP–SnO2(F) has been developed. It has been shown that the monochromatic current sensitivity to radiation at wavelength of 250 nm in such a structu...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2012
Автор:	Dobrovol’skii, Yu. G.
Формат:	Стаття
Мова:	Ukrainian
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2012
Теми:	фотодиод фосфид галлия компьютерное моделирование чувствительность
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.5.31
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

id	oai:tkea.com.ua:article-423
record_format	ojs
spelling	oai:tkea.com.ua:article-4232025-09-19T16:00:28Z Photodiode based on GaP sensitized to short-wave region of UV spectrum Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра Dobrovol’skii, Yu. G. photodiode gallium phosphide computer design sensitivity фотодиод фосфид галлия компьютерное моделирование чувствительность An algorithm for the simulation and analysis of the parameters that determine the sensitivity of the photodiode surface-barrier structures based on n+–n-GaP–SnO2(F) has been developed. It has been shown that the monochromatic current sensitivity to radiation at wavelength of 250 nm in such a structure can reach 0,1–0,12 A/W. Разработан алгоритм для компьютерного моделирования и анализа параметров, определяющих чувствительность фотодиодов с поверхностно-барьерной структурой на основе n+–n-GaP–SnO2(F). Показано, что токовая монохроматическая чувствительность к излучению с длиной волны 250 нм у такой структуры может достигать 0,1–0,12 А/Вт. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2012-10-23 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.5.31 Technology and design in electronic equipment; No. 5 (2012): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 31-34 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 5 (2012): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 31-34 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.5.31/382 Copyright (c) 2012 Dobrovol’skii Yu. G. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
institution	Technology and design in electronic equipment
baseUrl_str
datestamp_date	2025-09-19T16:00:28Z
collection	OJS
language	Ukrainian
topic	фотодиод фосфид галлия компьютерное моделирование чувствительность
spellingShingle	фотодиод фосфид галлия компьютерное моделирование чувствительность Dobrovol’skii, Yu. G. Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра
topic_facet	photodiode gallium phosphide computer design sensitivity фотодиод фосфид галлия компьютерное моделирование чувствительность
format	Article
author	Dobrovol’skii, Yu. G.
author_facet	Dobrovol’skii, Yu. G.
author_sort	Dobrovol’skii, Yu. G.
title	Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра
title_short	Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра
title_full	Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра
title_fullStr	Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра
title_full_unstemmed	Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра
title_sort	фотодиод на основе gap с повышенной чувствительностью в коротковолновой области уф-спектра
title_alt	Photodiode based on GaP sensitized to short-wave region of UV spectrum
description	An algorithm for the simulation and analysis of the parameters that determine the sensitivity of the photodiode surface-barrier structures based on n+–n-GaP–SnO2(F) has been developed. It has been shown that the monochromatic current sensitivity to radiation at wavelength of 250 nm in such a structure can reach 0,1–0,12 A/W.
publisher	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
publishDate	2012
url	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.5.31
work_keys_str_mv	AT dobrovolskiiyug photodiodebasedongapsensitizedtoshortwaveregionofuvspectrum AT dobrovolskiiyug fotodiodnaosnovegapspovyšennojčuvstvitelʹnostʹûvkorotkovolnovojoblastiufspektra
first_indexed	2025-09-24T17:30:54Z
last_indexed	2025-09-24T17:30:54Z
_version_	1850410252812419072

Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра

Репозитарії

Схожі ресурси