Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра
An algorithm for the simulation and analysis of the parameters that determine the sensitivity of the photodiode surface-barrier structures based on n+–n-GaP–SnO2(F) has been developed. It has been shown that the monochromatic current sensitivity to radiation at wavelength of 250 nm in such a structu...
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2012
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.5.31 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipmentСхожі ресурси
Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра
за авторством: Добровольский, Ю.Г.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Добровольский, Ю.Г.
Опубліковано: (2012)
Кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током
за авторством: Dobrovolskiy, Yu. G., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Dobrovolskiy, Yu. G., та інші
Опубліковано: (2011)
Фотодиод ультрафиолетового диапазона на основе селенида цинка
за авторством: Perevertailo, V. L., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Perevertailo, V. L., та інші
Опубліковано: (2010)
Симметричный двухкоординатный фотодиод
за авторством: Dobrovolskiy, Yu. G., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Dobrovolskiy, Yu. G., та інші
Опубліковано: (2008)
Цифровые генераторные преобразователи повышенной чувствительности для систем управления и контроля
за авторством: Shakurskiy, V. K., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Shakurskiy, V. K., та інші
Опубліковано: (2008)
Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2014)
Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2015)
Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Maronchuk, I. E., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Maronchuk, I. E., та інші
Опубліковано: (2008)
Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Ч. 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
за авторством: Boltovets, N. S., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Boltovets, N. S., та інші
Опубліковано: (2010)
Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
за авторством: Novitskyi, S. V.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Novitskyi, S. V.
Опубліковано: (2012)
Физиологические аспекты проектирования систем скрытой передачи информации на оптическом излучении видимого диапазона
за авторством: Brailovskii, V. V., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Brailovskii, V. V., та інші
Опубліковано: (2015)
Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
за авторством: Garkavenko, A. S.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Garkavenko, A. S.
Опубліковано: (2011)
Симметричный двухкоординатный фотодиод
за авторством: Добровольский, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Добровольский, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2008)
Определение общего содержания озона по спектрофотометрическим наблюдениям Солнца в УФ-области спектра
за авторством: Бурлов-Васильев, К.А., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Бурлов-Васильев, К.А., та інші
Опубліковано: (2000)
Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2009)
Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2007)
Квазиоптическое диплексирование в коротковолновой части миллиметрового диапазона
за авторством: Еру, И.И.
Опубліковано: (2003)
за авторством: Еру, И.И.
Опубліковано: (2003)
Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2010)
Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
за авторством: Andronova, E. V., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Andronova, E. V., та інші
Опубліковано: (2011)
Анизотропный термоэлемент в режиме генерации эдс и тока
за авторством: Anatychuk, L. I., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Anatychuk, L. I., та інші
Опубліковано: (2011)
Иммуносенсор поверхностного плазмонного резонанса с повышенной чувствительностью и стабильностью для детектирования фибриногена, растворимого фибрина и D-димера в плазме крови человека
за авторством: Костюкевич, Е.В., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Костюкевич, Е.В., та інші
Опубліковано: (2012)
Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод
за авторством: Добровольский, Ю.Г.
Опубліковано: (2006)
за авторством: Добровольский, Ю.Г.
Опубліковано: (2006)
ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЕ ЭКРАНЫ ДЛЯ СНИЖЕНИЯ ИНДУКЦИИ МАГНИТНОГО ПОЛЯ ПРОМЫШЛЕННОЙ ЧАСТОТЫ НА ОБЪЕКТАХ ЭНЕРГЕТИКИ
за авторством: Резинкина , М.М., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Резинкина , М.М., та інші
Опубліковано: (2012)
ПАССИВНОЕ СОГЛАСОВАНИЕ В ИЗМЕРИТЕЛЬНЫХ ЦЕПЯХ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ДАТЧИКОВ
за авторством: Луценко, В.Ю., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Луценко, В.Ю., та інші
Опубліковано: (2012)
Пары линий железа Fe I с разной магнитной чувствительностью
за авторством: Васильева, И.Э., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Васильева, И.Э., та інші
Опубліковано: (2009)
Фотодиод ультрафиолетового диапазона на основе селенида цинка
за авторством: Перевертайло, В.Л., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Перевертайло, В.Л., та інші
Опубліковано: (2010)
О перспективах создания коаксиального магнетрона коротковолновой части миллиметрового диапазона длин волн
за авторством: Омиров, А.А.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Омиров, А.А.
Опубліковано: (2012)
Алмазные фотоприемники ультрафиолетового диапазона
за авторством: Altukhov, A. A., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Altukhov, A. A., та інші
Опубліковано: (2007)
Моделирование термоэлектрического микрогенератора с каталитическим источником тепла на газовом топливе
за авторством: Strutynska, L. T.
Опубліковано: (2008)
за авторством: Strutynska, L. T.
Опубліковано: (2008)
Анизотропный приемник теплового излучения на основе антимонида кадмия
за авторством: Dobrovolskiy, Yu. G., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Dobrovolskiy, Yu. G., та інші
Опубліковано: (2009)
АНАЛИЗ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ ДИАГНОСТИЧЕСКИХ МОДЕЛЕЙ ДЛЯ КОНТРОЛЯ СОСТОЯНИЯ ОБМОТОК ТРАНСФОРМАТОРА ПОД НАГРУЗКОЙ
за авторством: Беляев , В.К., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Беляев , В.К., та інші
Опубліковано: (2013)
Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2013)
Детекторы сцинтиллятор фотодиод для инспекционных рентгеновских интроскопических систем
за авторством: Рыжиков, В.Д., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Рыжиков, В.Д., та інші
Опубліковано: (2001)
Особенности микроструктуры многослойных швов с различной чувствительностью к образованию горячих трещин
за авторством: Ющенко, К.А., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Ющенко, К.А., та інші
Опубліковано: (2016)
Измеритель мощности излучения в диапазонах УФ-А, УФ-В, УФ-С и их комбинаций
за авторством: Бобренко, Ю.Н., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Бобренко, Ю.Н., та інші
Опубліковано: (2006)
Кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током
за авторством: Добровольский, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Добровольский, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2011)
Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
за авторством: Sydor, O. N., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Sydor, O. N., та інші
Опубліковано: (2012)
Оптико-электронное устройство в системе контроля габаритов груза железнодорожного состава
за авторством: Dubeshko, A. V., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Dubeshko, A. V., та інші
Опубліковано: (2008)
Radiation influence on characteristics of GaP light emitting diodes
за авторством: Borzakovskyj, A., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Borzakovskyj, A., та інші
Опубліковано: (2009)
Ultrasound influence on exciton emission of GaP light diodes
за авторством: Gontaruk, O.M., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Gontaruk, O.M., та інші
Опубліковано: (2003)