Технология создания легированных бором слоев на алмазе
The authors investigated natural type IIa diamond crystals and CVD diamond films. The article presents electrophysical parameters of the structures obtained in different modes of ion implantation of boron into the crystal with further annealing. Parameters of the crystals with a high nitrogen impuri...
Saved in:
| Date: | 2012 |
|---|---|
| Main Authors: | Zyablyuk, K. N., Mityagin, A. Yu., Talipov, N. H., Chucheva, G. V., Duhnovskii, M. P., Khmel’nitskii, R. A. |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2012
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.5.39 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentSimilar Items
Технология создания легированных бором слоев на алмазе
by: Зяблюк, К.Н., et al.
Published: (2012)
by: Зяблюк, К.Н., et al.
Published: (2012)
Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si
by: Bonchyk, A. Yu., et al.
Published: (2005)
by: Bonchyk, A. Yu., et al.
Published: (2005)
CКАНУВАЛЬНА ТУНЕЛЬНА МІКРОСКОПІЯ З ЛЕГОВАНИМ БОРОМ АЛМАЗНИМ ВІСТРЯМ ДЛЯ IN-SITU ПРОФІЛОМЕТРІЇ ТА ФІНІШНОЇ ОБРОБКИ В СТАНКАХ АЛМАЗНОГО МІКРОТОЧІННЯ
by: Грушко, В.І, et al.
Published: (2020)
by: Грушко, В.І, et al.
Published: (2020)
Природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов CdS
by: Garkavenko, A. S.
Published: (2012)
by: Garkavenko, A. S.
Published: (2012)
Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза
by: Altukhov, A. A., et al.
Published: (2011)
by: Altukhov, A. A., et al.
Published: (2011)
Технология и оборудование для обработки алмазных материалов современной электроники
by: Mityagin, A. Yu., et al.
Published: (2009)
by: Mityagin, A. Yu., et al.
Published: (2009)
Модель алмазного транзистора
by: Altukhov, A. A., et al.
Published: (2011)
by: Altukhov, A. A., et al.
Published: (2011)
Алмазные фотоприемники ультрафиолетового диапазона
by: Altukhov, A. A., et al.
Published: (2007)
by: Altukhov, A. A., et al.
Published: (2007)
Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами
by: Круковский, С.И., et al.
Published: (2007)
by: Круковский, С.И., et al.
Published: (2007)
Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами
by: Krukovsky, S. I., et al.
Published: (2007)
by: Krukovsky, S. I., et al.
Published: (2007)
Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
by: Vakiv, M. M., et al.
Published: (2010)
by: Vakiv, M. M., et al.
Published: (2010)
Мощные резисторы нового поколения на основе углеродных (алмазоподобных) пленок
by: Rotner, S. M., et al.
Published: (2006)
by: Rotner, S. M., et al.
Published: (2006)
Морфология и габитусные формы легированных бором монокристаллов алмаза при выращивании в системе Fe–Co–Zr
by: Чепугов, А.П., et al.
Published: (2010)
by: Чепугов, А.П., et al.
Published: (2010)
Алмазные многоэлементные фотоприемные устройства УФ-диапазона
by: Altukhov, A. A., et al.
Published: (2008)
by: Altukhov, A. A., et al.
Published: (2008)
Рентгенографическое изучение процесса формирования титановых покрытий на алмазе
by: Чуприна, В.Г., et al.
Published: (1983)
by: Чуприна, В.Г., et al.
Published: (1983)
Збільшення чутливості та радіаційної стійкості сенсорів-перетворювачів температури на основі генераторів на одноперехідних транзисторах
by: Vikulin, Ivan, et al.
Published: (2023)
by: Vikulin, Ivan, et al.
Published: (2023)
Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2013)
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2013)
Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2012)
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2012)
Комплексно-легированные эпитаксиальные структуры InP/InGaAsP для оптоэлектроники
by: Krukovsky, S. I.
Published: (2026)
by: Krukovsky, S. I.
Published: (2026)
Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-ТiО2:Mn/p-CdTe
by: Mostovyi, A. I., et al.
Published: (2013)
by: Mostovyi, A. I., et al.
Published: (2013)
Оптимизация изготовления высоковольтного горизонтального р-канального МОП-транзистора
by: Leonov, N. I., et al.
Published: (2006)
by: Leonov, N. I., et al.
Published: (2006)
ТЕПЛОПРОВІДНІСТЬ ПЛАСТИНОК МОНОКРИСТАЛІВ АЛМАЗУ ТИПУ IB і IIа, ОДЕРЖАНИХ МЕТОДОМ Т-ГРАДІЄНТУ В НРНТ УМОВАХ
by: Шульженко, О.О., et al.
Published: (2020)
by: Шульженко, О.О., et al.
Published: (2020)
ЗНОСОСТІЙКІСТЬ КОМПОЗИТІВ НА ОСНОВІ АЛМАЗУ ПРИ ПЕРЕРИВЧАСТОМУ ТОЧІННІ ГРАНІТУ
by: Чумак, Андрій, et al.
Published: (2023)
by: Чумак, Андрій, et al.
Published: (2023)
СУЧАСНІ РОЗРОБКИ В ФОРМУВАННІ ГАЛЬВАНІЧНИМ МЕТОДОМ АЛМАЗНО-АБРАЗИВНОГО ШАРУ ІНСТРУМЕНТУ, ЗАСТОСУВАННІ CVD- І HPHT-АЛМАЗІВ ТА ПРЕЦИЗІЙНІЙ ПРАВЦІ СКЛАДНОПРОФІЛЬНИХ ДІЛЯНОК АЛМАЗНОГО ШАРУ
by: Лавріненко, Валерій
Published: (2025)
by: Лавріненко, Валерій
Published: (2025)
Трехпараметрический генераторный датчик
by: Filinyuk, M. A., et al.
Published: (2014)
by: Filinyuk, M. A., et al.
Published: (2014)
Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2011)
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2011)
Модифицирование бором наплавленного металла типа серого чугуна
by: Кривчиков, С.Ю.
Published: (2012)
by: Кривчиков, С.Ю.
Published: (2012)
Исследование свойств слоев поликремния на изоляторе при криогенных температурах для создания сенсоров
by: Дружинин, А.А., et al.
Published: (2003)
by: Дружинин, А.А., et al.
Published: (2003)
ЕТАПИ РОЗВИТКУ КОНСТРУКЦІЙ ДОЛІТ ІНМ ДЛЯ БУРІННЯ СВЕРДЛОВИН НА НАФТУ І ГАЗ
by: Квач, В. В.
Published: (2022)
by: Квач, В. В.
Published: (2022)
ВПЛИВ ПОРОШКІВ НТМ НА СТРУКТУРНІ ПЕРЕТВОРЕННЯ В СКЛОКОМПОЗИТАХ ПРИ ТЕРМООБРОБЦІ
by: Кухаренко, Світлана
Published: (2019)
by: Кухаренко, Світлана
Published: (2019)
ПЕРСПЕКТИВИ ВИКОРИСТАННЯ АЛМАЗНОГО ПОЛІКРИСТАЛІЧНОГО РІЗАЛЬНОГО ІНСТРУМЕНТУ ДЛЯ ОБРОБКИ ТИТАНОВИХ СПЛАВІВ. ОГЛЯД
by: Лямцева, Анна
Published: (2025)
by: Лямцева, Анна
Published: (2025)
Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2014)
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2014)
Особенности микролегирования бором при выплавке низколегированных конструкционных сталей
by: Назюта, Л.Ю., et al.
Published: (2018)
by: Назюта, Л.Ю., et al.
Published: (2018)
Микротвердость соединений рения с бором, углеродом и азотом
by: Ивановский, А.Л.
Published: (2012)
by: Ивановский, А.Л.
Published: (2012)
Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром
by: Turtsevich, A. S., et al.
Published: (2012)
by: Turtsevich, A. S., et al.
Published: (2012)
Полупроводниковые индуктивности для СВЧ-диапазона
by: Filynyuk, N. А., et al.
Published: (2006)
by: Filynyuk, N. А., et al.
Published: (2006)
Вплив доменної структури сегнетоелектричної підкладки на провідність графену (авторський огляд)
by: Strikha, M. V., et al.
Published: (2018)
by: Strikha, M. V., et al.
Published: (2018)
Легированные бором монокристаллы алмаза для зондов высоковакуумной туннельной микроскопии
by: Чепугов, А.П., et al.
Published: (2013)
by: Чепугов, А.П., et al.
Published: (2013)
ОСОБЛИВОСТІ СТРУКТУРИ КОМПОЗИТУ, ОТРИМАНОГО В СИСТЕМІ АЛМАЗ-TiNi3 ШЛЯХОМ ТЕРМОБАРИЧНОГО СПІКАННЯ
by: Осіпов, O. C., et al.
Published: (2022)
by: Осіпов, O. C., et al.
Published: (2022)
ПОЛІЕДРИЧНІ ФОРМИ МОНОКРИСТАЛІВ АЛМАЗУ З РОЗВИНУТИМИ ГРАНЯМИ ТЕТРАГОНТРИОКТАЕДРА
by: Коваленко, Тетяна, et al.
Published: (2023)
by: Коваленко, Тетяна, et al.
Published: (2023)
Similar Items
-
Технология создания легированных бором слоев на алмазе
by: Зяблюк, К.Н., et al.
Published: (2012) -
Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si
by: Bonchyk, A. Yu., et al.
Published: (2005) -
CКАНУВАЛЬНА ТУНЕЛЬНА МІКРОСКОПІЯ З ЛЕГОВАНИМ БОРОМ АЛМАЗНИМ ВІСТРЯМ ДЛЯ IN-SITU ПРОФІЛОМЕТРІЇ ТА ФІНІШНОЇ ОБРОБКИ В СТАНКАХ АЛМАЗНОГО МІКРОТОЧІННЯ
by: Грушко, В.І, et al.
Published: (2020) -
Природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов CdS
by: Garkavenko, A. S.
Published: (2012) -
Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза
by: Altukhov, A. A., et al.
Published: (2011)