Зображення обкладинки

Технология создания легированных бором слоев на алмазе

The authors investigated natural type IIa diamond crystals and CVD diamond films. The article presents electrophysical parameters of the structures obtained in different modes of ion implantation of boron into the crystal with further annealing. Parameters of the crystals with a high nitrogen impuri...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2012
Автори:	Zyablyuk, K. N., Mityagin, A. Yu., Talipov, N. H., Chucheva, G. V., Duhnovskii, M. P., Khmel’nitskii, R. A.
Формат:	Стаття
Мова:	Українська
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2012
Теми:	алмаз легирование бором ионная имплантация СВЧ-транзистор
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.5.39
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

Схожі ресурси

Технология создания легированных бором слоев на алмазе
за авторством: Зяблюк, К.Н., та інші
Опубліковано: (2012)

Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si
за авторством: Bonchyk, A. Yu., та інші
Опубліковано: (2005)

CКАНУВАЛЬНА ТУНЕЛЬНА МІКРОСКОПІЯ З ЛЕГОВАНИМ БОРОМ АЛМАЗНИМ ВІСТРЯМ ДЛЯ IN-SITU ПРОФІЛОМЕТРІЇ ТА ФІНІШНОЇ ОБРОБКИ В СТАНКАХ АЛМАЗНОГО МІКРОТОЧІННЯ
за авторством: Грушко, В.І, та інші
Опубліковано: (2020)

Природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов CdS
за авторством: Garkavenko, A. S.
Опубліковано: (2012)

Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза
за авторством: Altukhov, A. A., та інші
Опубліковано: (2011)

Технология и оборудование для обработки алмазных материалов современной электроники
за авторством: Mityagin, A. Yu., та інші
Опубліковано: (2009)

Модель алмазного транзистора
за авторством: Altukhov, A. A., та інші
Опубліковано: (2011)

Алмазные фотоприемники ультрафиолетового диапазона
за авторством: Altukhov, A. A., та інші
Опубліковано: (2007)

Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2007)

Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами
за авторством: Krukovsky, S. I., та інші
Опубліковано: (2007)

Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
за авторством: Vakiv, M. M., та інші
Опубліковано: (2010)

Мощные резисторы нового поколения на основе углеродных (алмазоподобных) пленок
за авторством: Rotner, S. M., та інші
Опубліковано: (2006)

Морфология и габитусные формы легированных бором монокристаллов алмаза при выращивании в системе Fe–Co–Zr
за авторством: Чепугов, А.П., та інші
Опубліковано: (2010)

Алмазные многоэлементные фотоприемные устройства УФ-диапазона
за авторством: Altukhov, A. A., та інші
Опубліковано: (2008)

Рентгенографическое изучение процесса формирования титановых покрытий на алмазе
за авторством: Чуприна, В.Г., та інші
Опубліковано: (1983)

Збільшення чутливості та радіаційної стійкості сенсорів-перетворювачів температури на основі генераторів на одноперехідних транзисторах
за авторством: Vikulin, Ivan, та інші
Опубліковано: (2023)

Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2013)

Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2012)

Комплексно-легированные эпитаксиальные структуры InP/InGaAsP для оптоэлектроники
за авторством: Krukovsky, S. I.
Опубліковано: (2026)

Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-ТiО2:Mn/p-CdTe
за авторством: Mostovyi, A. I., та інші
Опубліковано: (2013)

Оптимизация изготовления высоковольтного горизонтального р-канального МОП-транзистора
за авторством: Leonov, N. I., та інші
Опубліковано: (2006)

ТЕПЛОПРОВІДНІСТЬ ПЛАСТИНОК МОНОКРИСТАЛІВ АЛМАЗУ ТИПУ IB і IIа, ОДЕРЖАНИХ МЕТОДОМ Т-ГРАДІЄНТУ В НРНТ УМОВАХ
за авторством: Шульженко, О.О., та інші
Опубліковано: (2020)

ЗНОСОСТІЙКІСТЬ КОМПОЗИТІВ НА ОСНОВІ АЛМАЗУ ПРИ ПЕРЕРИВЧАСТОМУ ТОЧІННІ ГРАНІТУ
за авторством: Чумак, Андрій, та інші
Опубліковано: (2023)

СУЧАСНІ РОЗРОБКИ В ФОРМУВАННІ ГАЛЬВАНІЧНИМ МЕТОДОМ АЛМАЗНО-АБРАЗИВНОГО ШАРУ ІНСТРУМЕНТУ, ЗАСТОСУВАННІ CVD- І HPHT-АЛМАЗІВ ТА ПРЕЦИЗІЙНІЙ ПРАВЦІ СКЛАДНОПРОФІЛЬНИХ ДІЛЯНОК АЛМАЗНОГО ШАРУ
за авторством: Лавріненко, Валерій
Опубліковано: (2025)

Модифицирование бором наплавленного металла типа серого чугуна
за авторством: Кривчиков, С.Ю.
Опубліковано: (2012)

Трехпараметрический генераторный датчик
за авторством: Filinyuk, M. A., та інші
Опубліковано: (2014)

Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2011)

Исследование свойств слоев поликремния на изоляторе при криогенных температурах для создания сенсоров
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2003)

ЕТАПИ РОЗВИТКУ КОНСТРУКЦІЙ ДОЛІТ ІНМ ДЛЯ БУРІННЯ СВЕРДЛОВИН НА НАФТУ І ГАЗ
за авторством: Квач, В. В.
Опубліковано: (2022)

ВПЛИВ ПОРОШКІВ НТМ НА СТРУКТУРНІ ПЕРЕТВОРЕННЯ В СКЛОКОМПОЗИТАХ ПРИ ТЕРМООБРОБЦІ
за авторством: Кухаренко, Світлана
Опубліковано: (2019)

ПЕРСПЕКТИВИ ВИКОРИСТАННЯ АЛМАЗНОГО ПОЛІКРИСТАЛІЧНОГО РІЗАЛЬНОГО ІНСТРУМЕНТУ ДЛЯ ОБРОБКИ ТИТАНОВИХ СПЛАВІВ. ОГЛЯД
за авторством: Лямцева, Анна
Опубліковано: (2025)

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2014)

Особенности микролегирования бором при выплавке низколегированных конструкционных сталей
за авторством: Назюта, Л.Ю., та інші
Опубліковано: (2018)

Микротвердость соединений рения с бором, углеродом и азотом
за авторством: Ивановский, А.Л.
Опубліковано: (2012)

Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром
за авторством: Turtsevich, A. S., та інші
Опубліковано: (2012)

Полупроводниковые индуктивности для СВЧ-диапазона
за авторством: Filynyuk, N. А., та інші
Опубліковано: (2006)

Вплив доменної структури сегнетоелектричної підкладки на провідність графену (авторський огляд)
за авторством: Strikha, M. V., та інші
Опубліковано: (2018)

Легированные бором монокристаллы алмаза для зондов высоковакуумной туннельной микроскопии
за авторством: Чепугов, А.П., та інші
Опубліковано: (2013)

ОСОБЛИВОСТІ СТРУКТУРИ КОМПОЗИТУ, ОТРИМАНОГО В СИСТЕМІ АЛМАЗ-TiNi3 ШЛЯХОМ ТЕРМОБАРИЧНОГО СПІКАННЯ
за авторством: Осіпов, O. C., та інші
Опубліковано: (2022)

ПОЛІЕДРИЧНІ ФОРМИ МОНОКРИСТАЛІВ АЛМАЗУ З РОЗВИНУТИМИ ГРАНЯМИ ТЕТРАГОНТРИОКТАЕДРА
за авторством: Коваленко, Тетяна, та інші
Опубліковано: (2023)