Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром
Differential distribution profiles of the thermal «junction-to-case» resistance of KP723G transistors in accordance with the attachment of the crystals into the package have been investigated. Spectra of thermal resistances were calculated from the analysis of the temporal dependence of the dynamic...
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автори: | Turtsevich, A. S., Rubtsevich, I. I., Solov’yov, Ya. А., Vas’kov, O. S., Kononenko, V. K., Niss, V. S., Kerentsev, A. F. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2012
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.5.44 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipmentСхожі ресурси
-
Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром
за авторством: Турцевич, А.С., та інші
Опубліковано: (2012) -
Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии
за авторством: Voronin, V. A., та інші
Опубліковано: (2010) -
Исследование метрологических параметров датчиков на основе pН-чувствительных полевых транзисторов
за авторством: Kukla, A. L., та інші
Опубліковано: (2013) -
ПОВЫШЕНИЕ ТОЧНОСТИ УЗКОДИАПАЗОННЫХ ИМПЕДАНСОМЕТРИЧЕСКИХ КАНАЛОВ ПРЯМОГО ПРЕОБРАЗОВАНИЯ
за авторством: Мельник, В.Г., та інші
Опубліковано: (2011) -
Методика расчета параметров УЗ-преобразователей повышенной частоты
за авторством: Lanin, V. L., та інші
Опубліковано: (2013)