Схемотехника СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов
There has been designed, manufactured and tested a VLSI providing as a part of the microelectronic coordinate-sensitive detector the simultaneous elemental analysis of all the principles of the substance. VLSI ensures the amplifier-converter response on receiving of 1,6.10–13 С negative cha...
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2012
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.4.39 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipment| id |
oai:tkea.com.ua:article-438 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
oai:tkea.com.ua:article-4382025-09-19T16:00:10Z Circuit design of VLSI for microelectronic coordinate-sensitive detector for material element analysis Схемотехника СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов Sidorenko, V. P. Verbitskii, V. G. Prokofiev, Yu. V. VLSI CMOS technology microelectronic coordinate-sensitive detector elemental analysis convertor amplifier 10-bit counters СБИС КМОП-технология микроэлектронный координатно-чувствительный детектор элементный анализ усилители-преобразователи 10-разрядные счетчики There has been designed, manufactured and tested a VLSI providing as a part of the microelectronic coordinate-sensitive detector the simultaneous elemental analysis of all the principles of the substance. VLSI ensures the amplifier-converter response on receiving of 1,6.10–13 С negative charge to its input. Response speed of the microcircuit is at least 3 MHz in the counting mode and more than 4 MHz in the counter information read-out mode. The power consumption of the microcircuit is no more than 7 mA. Разработана, изготовлена и испытана СБИС, позволяющая в составе микроэлектронного координатно-чувствительного детектора проводить одновременный анализ всего элементного состава материала. Схема обеспечивает срабатывание усилителя-преобразователя при поступлении на его вход отрицательного заряда величиной 1,6.10–13 Кл. Быстродействие микросхемы в режиме счета составляет не менее 3 МГц, в режиме считывания информации со счетчиков — более 4 МГц, ток потребления — не более 7 мА. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2012-08-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.4.39 Technology and design in electronic equipment; No. 4 (2012): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 39-46 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 4 (2012): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 39-46 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.4.39/396 Copyright (c) 2012 Сидоренко В. П., Вербицкий В. Г., Прокофьев Ю. В. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| institution |
Technology and design in electronic equipment |
| baseUrl_str |
|
| datestamp_date |
2025-09-19T16:00:10Z |
| collection |
OJS |
| language |
Ukrainian |
| topic |
СБИС КМОП-технология микроэлектронный координатно-чувствительный детектор элементный анализ усилители-преобразователи 10-разрядные счетчики |
| spellingShingle |
СБИС КМОП-технология микроэлектронный координатно-чувствительный детектор элементный анализ усилители-преобразователи 10-разрядные счетчики Sidorenko, V. P. Verbitskii, V. G. Prokofiev, Yu. V. Схемотехника СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов |
| topic_facet |
VLSI CMOS technology microelectronic coordinate-sensitive detector elemental analysis convertor amplifier 10-bit counters СБИС КМОП-технология микроэлектронный координатно-чувствительный детектор элементный анализ усилители-преобразователи 10-разрядные счетчики |
| format |
Article |
| author |
Sidorenko, V. P. Verbitskii, V. G. Prokofiev, Yu. V. |
| author_facet |
Sidorenko, V. P. Verbitskii, V. G. Prokofiev, Yu. V. |
| author_sort |
Sidorenko, V. P. |
| title |
Схемотехника СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов |
| title_short |
Схемотехника СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов |
| title_full |
Схемотехника СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов |
| title_fullStr |
Схемотехника СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов |
| title_full_unstemmed |
Схемотехника СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов |
| title_sort |
схемотехника сбис для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов |
| title_alt |
Circuit design of VLSI for microelectronic coordinate-sensitive detector for material element analysis |
| description |
There has been designed, manufactured and tested a VLSI providing as a part of the microelectronic coordinate-sensitive detector the simultaneous elemental analysis of all the principles of the substance. VLSI ensures the amplifier-converter response on receiving of 1,6.10–13 С negative charge to its input. Response speed of the microcircuit is at least 3 MHz in the counting mode and more than 4 MHz in the counter information read-out mode. The power consumption of the microcircuit is no more than 7 mA. |
| publisher |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| publishDate |
2012 |
| url |
https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.4.39 |
| work_keys_str_mv |
AT sidorenkovp circuitdesignofvlsiformicroelectroniccoordinatesensitivedetectorformaterialelementanalysis AT verbitskiivg circuitdesignofvlsiformicroelectroniccoordinatesensitivedetectorformaterialelementanalysis AT prokofievyuv circuitdesignofvlsiformicroelectroniccoordinatesensitivedetectorformaterialelementanalysis AT sidorenkovp shemotehnikasbisdlâmikroélektronnogokoordinatnočuvstvitelʹnogodetektoradlâélementnogoanalizamaterialov AT verbitskiivg shemotehnikasbisdlâmikroélektronnogokoordinatnočuvstvitelʹnogodetektoradlâélementnogoanalizamaterialov AT prokofievyuv shemotehnikasbisdlâmikroélektronnogokoordinatnočuvstvitelʹnogodetektoradlâélementnogoanalizamaterialov |
| first_indexed |
2025-09-24T17:30:56Z |
| last_indexed |
2025-09-24T17:30:56Z |
| _version_ |
1850410255028060160 |