Температурные поля в растущем кристалле «солнечного кремния»
The optimal thermal terms for growing by Czochralski method Si single-crystals, suitable for making photoelectric energy converters, has been defined by the computer simulation method. Dependences of temperature fields character and crystallization front form on the diameter of the crystal, stage an...
Saved in:
| Date: | 2012 |
|---|---|
| Main Authors: | Kondrik, A. I., Datsenko, O. A., Kovtun, G. P. |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2012
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.3.21 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentSimilar Items
-
Температурные поля в растущем кристалле «солнечного кремния»
by: Кондрик, А.И., et al.
Published: (2012) -
Повышение эффективности кремниевых солнечных элементов посредством нанопористого покрытия
by: Dzhafarov, T. D., et al.
Published: (2012) -
Кремний мультипористой текстуры для фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии
by: Yerokhov, V. Yu., et al.
Published: (2009) -
ПРИМЕНЕНИЕ МЕТОДОВ ЭЛЕКТРОТЕХНИКИ ДЛЯ РАСЧЁТА ТЕПЛОВЫХ РЕЖИМОВ СОЛНЕЧНЫХ НАГРЕВАТЕЛЕЙ ВОДЫ ЁМКОСТНОГО ТИПА
by: Ермуратский , В., et al.
Published: (2014) -
Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний»
by: Smyntyna, V. A., et al.
Published: (2011)