Температурные поля в растущем кристалле «солнечного кремния»

• Datum: 2012
• Hauptverfasser: Kondrik, A. I., Datsenko, O. A., Kovtun, G. P.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainian
• Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2012
• Schlagworte: солнечный кремний; тепловые поля; скорость направленной кристаллизации; размеры кристалла
• Online Zugang: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.3.21
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

The optimal thermal terms for growing by Czochralski method Si single-crystals, suitable for making photoelectric energy converters, has been defined by the computer simulation method. Dependences of temperature fields character and crystallization front form on the diameter of the crystal, stage an...