Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жид­ко­фаз­ной эпитаксии

Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жид­ко­фаз­ной эпитаксии

The double epitaxial p+-InP/n-InGaAsP/n-InP heterostructures with coinciding electrical and metallurgical boundaries has been obtained. Such coincidence is achieved due to growing an additional buffer n-InP layer and de...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2012
Автори: Vakiv, N. M., Krukovskii, S. I., Sukach, A. V., Tetyorkin, V. V., Mrykhin, I. A., Mikhashchuk, Yu. S., Kru­kov­skii, R. S.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2012
Теми:
эпитаксиальные гетероструктуры
жидкофазная эпитаксия
легирование
электролюминесценция
фоточувствительность
Онлайн доступ:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.2.27
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment
Опис
Резюме:The double epitaxial p+-InP/n-InGaAsP/n-InP heterostructures with coinciding electrical and metallurgical boundaries has been obtained. Such coincidence is achieved due to growing an additional buffer n-InP layer and decreasing the time for growing an emitter p+-InP layer heavily doped by zinc. Electroluminescence spectra of such structures have a smaller half-width and the infrared radiation of higher power than the structures in which the p–n-junction is formed in the InGaAsP layer. These heterostructures are designed to create efficient IR LEDs with wavelength of 1,06 mm in spectrum maximum.

Схожі ресурси