Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жид­ко­фаз­ной эпитаксии

• Datum: 2012
• Hauptverfasser: Vakiv, N. M., Krukovskii, S. I., Sukach, A. V., Tetyorkin, V. V., Mrykhin, I. A., Mikhashchuk, Yu. S., Kru­kov­skii, R. S.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainisch
• Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2012
• Schlagworte: эпитаксиальные гетероструктуры; жидкофазная эпитаксия; легирование; электролюминесценция; фоточувствительность
• Online Zugang: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.2.27
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

The double epitaxial p+-InP/n-InGaAsP/n-InP heterostructures with coinciding electrical and metallurgical boundaries has been obtained. Such coincidence is achieved due to growing an additional buffer n-InP layer and de...