Buchumschlag

Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии

The double epitaxial p+-InP/n-InGaAsP/n-InP heterostructures with coinciding electrical and metallurgical boundaries has been obtained. Such coincidence is achieved due to growing an additional buffer n-InP layer and de...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2012
Hauptverfasser:	Vakiv, N. M., Krukovskii, S. I., Sukach, A. V., Tetyorkin, V. V., Mrykhin, I. A., Mikhashchuk, Yu. S., Krukovskii, R. S.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2012
Schlagworte:	эпитаксиальные гетероструктуры жидкофазная эпитаксия легирование электролюминесценция фоточувствительность
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.2.27
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Кріогенні термометри опору на основі плівок Ge–InP
von: Mitin, Vadim, et al.
Veröffentlicht: (2020)

Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
von: Novitskyi, S. V.
Veröffentlicht: (2012)

Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
von: Vakiv, M. M., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
von: Krasnov, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Ч. 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
von: Boltovets, N. S., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Gunn Diode with Tunnel p++-n++-cathode
von: Arkusha, Yu. V., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Pеакції N-алкілгідразонів аліфатичних кетонів
von: Kurpil’, B. B., et al.
Veröffentlicht: (2014)

On strongly almost \(m\)-\(\omega_1\)-\(p^{\omega+n}\)-projective abelian \(p\)-groups
von: Danchev, Peter
Veröffentlicht: (2016)

Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-ТiО2:Mn/p-CdTe
von: Mostovyi, A. I., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Спектральна фоточутливість дифузійних Ge-p-i-n-фотодіодів
von: Fedorenko, Artem
Veröffentlicht: (2020)

Кремнієвий p–i–n-фотодіод із підвищеною імпульсною чутливістю
von: Kukurudziak, Mykola, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током
von: Dobrovolskiy, Yu. G., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів MoN/p-CdTe та MoN/n-CdTe
von: Kovaliuk, Taras, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Локальные свойства электрически активных дефектов в солнечных батареях на основе кремния
von: Popov, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO – p-InSe
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Проблеми хіміко-динамічного полірування в технології кремнієвих p-i-n фотодіодів
von: Kukurudziak, M. S.
Veröffentlicht: (2023)

Коммутационные управляемые устройства на p–i–n-диодах миллиметрового диапазона длин волн
von: Karushkin, N. F., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Метод «очищення» поверхні фоточутливих елементів кремнієвих p-i-n фотодіодів від дислокацій
von: Kukurudziak, M. S.
Veröffentlicht: (2023)

On Sushchansky \(p\)-groups
von: Bondarenko, Ievgen V., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Steiner \(P\)-algebras
von: Chakrabarti, Sucheta
Veröffentlicht: (2018)

Classifying cubic \(s\)-regular graphs of orders \(22p \) and \( 22p^{2}\)
von: Talebi, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Kaluzhnin's representations of Sylow \(p\)-subgroups of automorphism groups of \(p\)-adic rooted trees
von: Bier, Agnieszka, et al.
Veröffentlicht: (2018)

Моделювання розподілу носіїв заряду в активній області P-I-N-діодів методами теорії збурень
von: Бомба, Андрій, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Влияние толщины кремниевых пластин на характеристики многопереходных солнечных элементов с вертикальными p–n-переходами
von: Gnilenko, A. B., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
von: Boltovets, M. S., et al.
Veröffentlicht: (2009)

P-velocity of the upper mantle
von: Gordienko, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2021)

Про збіжність GARCH(p,q)
von: Carkovs, J., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe
von: Parkhomenko, H. P., et al.
Veröffentlicht: (2016)

V. P. SHESTOPALOV AND HIS SCIENTIFIC SCHOOL: FROM QUASISTATICS TO QUASIOPTICS (to mark V.P.'s birth centenary)
von: Melezhik, P. M., et al.
Veröffentlicht: (2023)

To the 75-th Anniversary of P. M. MELEZHYK
von: ,
Veröffentlicht: (2025)

On classifying the non-Tits \(P\)-critical posets
von: Bondarenko, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2022)

Р–i–n-фотодіод на основі високоомного кремнію p-типу з підвищеною чутливістю на довжині хвилі 1060 нм
von: Kukurudziak , Mykola, et al.
Veröffentlicht: (2020)

PROFESSOR P.P. KOPNIAIEV - SCIENTIST, PUBLIC PERSON, ESTABLISHER OF HIGHER ELECTRICAL ENGINEERING EDUCATION (TO THE 150TH ANNIVERSARY OF HIS BIRTH)
von: Klepikov, V. B., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Semisymmetric \(Z_{p}\)-covers of the \(C20\) graph
von: Talebi, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2021)

ACADEMICIAN P.A. TUTKOVSKY ABOUT GENESIS OF AMBER
von: Matsui, V.M.
Veröffentlicht: (2017)