Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
The double epitaxial p+-InP/n-InGaAsP/n-InP heterostructures with coinciding electrical and metallurgical boundaries has been obtained. Such coincidence is achieved due to growing an additional buffer n-InP layer and de...
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автори: | Vakiv, N. M., Krukovskii, S. I., Sukach, A. V., Tetyorkin, V. V., Mrykhin, I. A., Mikhashchuk, Yu. S., Krukovskii, R. S. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2012
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.2.27 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipmentСхожі ресурси
Кріогенні термометри опору на основі плівок Ge–InP
за авторством: Mitin, Vadim, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Mitin, Vadim, та інші
Опубліковано: (2020)
Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
за авторством: Novitskyi, S. V.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Novitskyi, S. V.
Опубліковано: (2012)
Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
за авторством: Vakiv, M. M., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Vakiv, M. M., та інші
Опубліковано: (2010)
Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2014)
Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2011)
Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
за авторством: Krasnov, V. A., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Krasnov, V. A., та інші
Опубліковано: (2008)
Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Ч. 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
за авторством: Boltovets, N. S., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Boltovets, N. S., та інші
Опубліковано: (2010)
Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
Gunn Diode with Tunnel p++-n++-cathode
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)
Pеакції N-алкілгідразонів аліфатичних кетонів
за авторством: Kurpil’, B. B., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Kurpil’, B. B., та інші
Опубліковано: (2014)
On strongly almost \(m\)-\(\omega_1\)-\(p^{\omega+n}\)-projective abelian \(p\)-groups
за авторством: Danchev, Peter
Опубліковано: (2016)
за авторством: Danchev, Peter
Опубліковано: (2016)
Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-ТiО2:Mn/p-CdTe
за авторством: Mostovyi, A. I., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Mostovyi, A. I., та інші
Опубліковано: (2013)
Спектральна фоточутливість дифузійних Ge-p-i-n-фотодіодів
за авторством: Fedorenko, Artem
Опубліковано: (2020)
за авторством: Fedorenko, Artem
Опубліковано: (2020)
Кремнієвий p–i–n-фотодіод із підвищеною імпульсною чутливістю
за авторством: Kukurudziak, Mykola, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Kukurudziak, Mykola, та інші
Опубліковано: (2021)
Кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током
за авторством: Dobrovolskiy, Yu. G., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Dobrovolskiy, Yu. G., та інші
Опубліковано: (2011)
Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів MoN/p-CdTe та MoN/n-CdTe
за авторством: Kovaliuk, Taras, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Kovaliuk, Taras, та інші
Опубліковано: (2021)
Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
Локальные свойства электрически активных дефектов в солнечных батареях на основе кремния
за авторством: Popov, V. M., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Popov, V. M., та інші
Опубліковано: (2010)
Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO – p-InSe
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2015)
Проблеми хіміко-динамічного полірування в технології кремнієвих p-i-n фотодіодів
за авторством: Kukurudziak, M. S.
Опубліковано: (2023)
за авторством: Kukurudziak, M. S.
Опубліковано: (2023)
Коммутационные управляемые устройства на p–i–n-диодах миллиметрового диапазона длин волн
за авторством: Karushkin, N. F., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Karushkin, N. F., та інші
Опубліковано: (2016)
Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2013)
Метод «очищення» поверхні фоточутливих елементів кремнієвих p-i-n фотодіодів від дислокацій
за авторством: Kukurudziak, M. S.
Опубліковано: (2023)
за авторством: Kukurudziak, M. S.
Опубліковано: (2023)
On Sushchansky \(p\)-groups
за авторством: Bondarenko, Ievgen V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Bondarenko, Ievgen V., та інші
Опубліковано: (2018)
Steiner \(P\)-algebras
за авторством: Chakrabarti, Sucheta
Опубліковано: (2018)
за авторством: Chakrabarti, Sucheta
Опубліковано: (2018)
Classifying cubic \(s\)-regular graphs of orders \(22p \) and \( 22p^{2}\)
за авторством: Talebi, A. A., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Talebi, A. A., та інші
Опубліковано: (2018)
Kaluzhnin's representations of Sylow \(p\)-subgroups of automorphism groups of \(p\)-adic rooted trees
за авторством: Bier, Agnieszka, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Bier, Agnieszka, та інші
Опубліковано: (2018)
Моделювання розподілу носіїв заряду в активній області P-I-N-діодів методами теорії збурень
за авторством: Бомба, Андрій, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Бомба, Андрій, та інші
Опубліковано: (2021)
Влияние толщины кремниевых пластин на характеристики многопереходных солнечных элементов с вертикальными p–n-переходами
за авторством: Gnilenko, A. B., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Gnilenko, A. B., та інші
Опубліковано: (2012)
Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
за авторством: Boltovets, M. S., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Boltovets, M. S., та інші
Опубліковано: (2009)
P-velocity of the upper mantle
за авторством: Gordienko, V.V., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Gordienko, V.V., та інші
Опубліковано: (2021)
Про збіжність GARCH(p,q)
за авторством: Carkovs, J., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Carkovs, J., та інші
Опубліковано: (2018)
Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe
за авторством: Parkhomenko, H. P., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Parkhomenko, H. P., та інші
Опубліковано: (2016)
V. P. SHESTOPALOV AND HIS SCIENTIFIC SCHOOL: FROM QUASISTATICS TO QUASIOPTICS (to mark V.P.'s birth centenary)
за авторством: Melezhik, P. M., та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: Melezhik, P. M., та інші
Опубліковано: (2023)
To the 75-th Anniversary of P. M. MELEZHYK
за авторством: ,
Опубліковано: (2025)
за авторством: ,
Опубліковано: (2025)
On classifying the non-Tits \(P\)-critical posets
за авторством: Bondarenko, V. M., та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Bondarenko, V. M., та інші
Опубліковано: (2022)
Р–i–n-фотодіод на основі високоомного кремнію p-типу з підвищеною чутливістю на довжині хвилі 1060 нм
за авторством: Kukurudziak , Mykola, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Kukurudziak , Mykola, та інші
Опубліковано: (2020)
PROFESSOR P.P. KOPNIAIEV - SCIENTIST, PUBLIC PERSON, ESTABLISHER OF HIGHER ELECTRICAL ENGINEERING EDUCATION (TO THE 150TH ANNIVERSARY OF HIS BIRTH)
за авторством: Klepikov, V. B., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Klepikov, V. B., та інші
Опубліковано: (2017)
Semisymmetric \(Z_{p}\)-covers of the \(C20\) graph
за авторством: Talebi, A. A., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Talebi, A. A., та інші
Опубліковано: (2021)
ACADEMICIAN P.A. TUTKOVSKY ABOUT GENESIS OF AMBER
за авторством: Matsui, V.M.
Опубліковано: (2017)
за авторством: Matsui, V.M.
Опубліковано: (2017)
Схожі ресурси
-
Кріогенні термометри опору на основі плівок Ge–InP
за авторством: Mitin, Vadim, та інші
Опубліковано: (2020) -
Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
за авторством: Novitskyi, S. V.
Опубліковано: (2012) -
Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
за авторством: Vakiv, M. M., та інші
Опубліковано: (2010) -
Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2014) -
Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2011)